396644

Номер патента: 71763

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Соколов

МПК: G01J 3/32

Метки: излучения, линий, обнаружения, поглощения, спектра, спектральных, сплошного, фоне

...направлению спектральных линий. Свет, пройдя щель экрана, падает на фотоэлемент, включенный на вход усилителя, на выходе которого имеются два выпрямителя и два измерительных прибора. Если щель экрана колеблется перед частью сплошного спектра, то фототок изменяется очень мало (за счет неравномерности распределения энергии излучения по длинам волн и неравномерности спектральной характеристики фотоэлемента). Если же на фоне сплошного спектра появляются черные линии поглощения или светлые линии испускания, то в фотоэлементе появятся импульсы уменьшения фототока пли, соответственно, импульсы нарастания фототока, которые, будучи усилены и выпрямлены, вызовут отклонение измерительного прибора. Противоположное по знаку параллельное включение на...

Номер патента: 434823

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Друскина, Шавер

МПК: G01T 1/11

Метки: лития, основе, термолюминофор, фтористого

...накладывается кривая, обуо ловленная главным образом явлением трибо термолюмпнесцснцпи и не связанная с облучением термолюмпнофора, Интенсивность трпботермолюмннесценции незначительна. Ее роль проявляется только при измерении малых доз. Триботермолюминесценция значи434823 Составитель О. ЦаллаговаРедактор А, Караулова Техред В, Куприянов Корректор Л. Небола Заказ 3107/54 Тир ок 717 Подписное БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5Филиал ППП Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 тельно уменьшается при прогревании термолюминофора, в инертной атмосфере, она практически отсутствует в монолитных образцах термолюминофора, Поэтому для измере ния малых доз...

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.