Холодный катод

Номер патента: 1798737

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Пятыхин

МПК: G01R 29/12

Метки: выхода, работы, транзисторный, электронов

...можно совместить в одном приборе устройство для замера КРП и оптическую систему, позволяющую производить 45 выбор микрообъектов для измерений, как это выполнено в других совмещенных ириборах, микротвердомерах типа ПУТ-З,Техническое обоснование работоспособности предлагаемого способа заключается в следующем, При контакте металла и полупроводника донорного типа базовой области (например, для транзистора типа р-и-р) за счет разности работ выхода происходит ионизация базовой области и, следовательно, изменение тока 1, протекающего через транзистор.Пусть термодинамическая работа выхода металла выше работы выхода полупроводника, Так как уровень Ферми в полупроводнике расположен выше, чем в металле, то поток электронов из полупроводника будет...

Номер патента: 1473568

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Бедельбаева, Колобов, Любин, Любина, Петьков, Седых

МПК: G03F 7/26

Метки: литографии

...температуре 60-80" С В течение Вр 8 меии 1 о, определяемого из выражения60 ф/Т ;о500 3 1 Т, где- ИнтенсивностьэксгОнирующего СВета, Вт/см; Т - температура подложки, ОС; /3 - коэффициент,сф Вт го ад/РмПри Т 60 С сущесвеино уменьшаетсяскорость фоторастворения цинка в ХСП, чтоцриводит к снижению саеточуаствительноСти,я оСоказывается существенным влияние теомическои Виффузии цинка, что приВодит к снижению саеточуаствительности литографического г;роцессэ,Э г+ 1оИ 1 В ЕЧ Еи ИЕ Ррс:пЕИИ60/П - - 1 о 500/ Т обеспечивает селективность травления облученных и необлученных участков, что позволяет реализовать литографический процесс.При то 60 ф/1 Т селективность травления не обеспечивается, так как очень мала скорость растворения цинка.При 10500 ф...

Номер патента: 811128

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Ефимов, Колесник, Криницкий

МПК: G01N 27/22

Метки: заряда, концентра-ции, носителей, полупроводниках, профиля

...обусловленная необходимоссоздания тонкого диэлектрического слояповерхности полупроводника путемокисления и связанная с этим недостаная экспрессность измерений. Целью изобретения является повышение экспрессности и упрощение способа.Поставленная цель достигается тем, что перед измерением вольтфарадных характеристик на поверхность полупроводника наносят слой полимерного диэлектрического материала, полимеризующегося в нормальных условиях. Кроме того, на поверхность полупроводника наносят слой коллодия.П р и м е р. На поверхность полупроводника наносят кисточкой или окунанием коллодий в растворителе. После 5 - 10 мин просушки при комнатной температуре полученная структура типа диэлектрик-полупроводник приводится в контакт с...

Номер патента: 1127488

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Андреев, Коньков, Теруков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний

...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...

Номер патента: 1669327

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Асалханов, Домбровский, Иванов

МПК: H01J 29/51

Метки: вакууме, луча, места, падения, поверхности, полупроводника, регистрации, электронного

СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ МЕСТА ПАДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В ВАКУУМЕ, включающий очистку поверхности полупроводника и облучение ее электронным лучом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрации низкоэнергетического электронного луча при упрощении способа, одновременно с облучением поверхности полупроводника электронным лучом дополнительно осуществляют сканирование поверхности сфокусированным световым лучом, при этом регистрацию места падения электронного луча проводят по изменению величины тока электронного луча в момент совпадения места падения электронного и светового лучей.