Способ измерения профиля концентра-ции носителей заряда b полупроводниках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
0 П И С А Н И Е 1 п 18 Ш 28ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических(61) Дополнительное к авт (22) Заявлено 02.04.79 (21) свид-в 2746007 181) М. Кл 1 Х 2 с присоединением за ки Государственный комитет СССР(23) Приоритет юллетень Ме 9 Опубликовано 07,03.8 Дата опубликования(53) УДК о делам изобретен и открытий 88,8) исания 07.03.8 72) Авторы изобрете Криницкий(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХолупроводнииспользовано профиля кон- полупроводИзобретение от ковой технике и для экспрессного центрации носите никах.Известен способ центрации носите нике, основанный радных характер ртутных контакто Шоттки на повер носится к может быт измерения лей заряда измерениялей зарядана измереистик св, образухности по профиля конв полупроводии вольтфаомощью трех ющих барьер 10 лупроводника Недостатком этого способ сложность, обусловленная н иметь три ртутных контакта полупроводника.является его обходим остью к поверхности фи- луро 21еготью Фор1. Способ ции носител основанный характерист а изо тен измерения пр й заряда вна измерении к с помощью филя концентраполупроводниках,вольтфарадных ртутного контакИзвестен также способ измерения проля концентрации носителей заряда в попроводниках, основанный на измеревольтфарадных характеристик с помощртутного контакта к поверхности диэлрика, нанесенного на поверхность полуводника и удаляемого после измеренийНедостатком этого способа являетсясложность, обусловленная необходимоссоздания тонкого диэлектрического слояповерхности полупроводника путемокисления и связанная с этим недостаная экспрессность измерений. Целью изобретения является повышение экспрессности и упрощение способа.Поставленная цель достигается тем, что перед измерением вольтфарадных характеристик на поверхность полупроводника наносят слой полимерного диэлектрического материала, полимеризующегося в нормальных условиях. Кроме того, на поверхность полупроводника наносят слой коллодия.П р и м е р. На поверхность полупроводника наносят кисточкой или окунанием коллодий в растворителе. После 5 - 10 мин просушки при комнатной температуре полученная структура типа диэлектрик-полупроводник приводится в контакт с ртутным контактом и измеряют вольтфарадную характеристику МДП структуры, по которой определяют профиль концентрации носителей заряда в полупроводнике. После измерений слой диэлектрика отделяют от полупроводника и удаляют.Способ значительно сокращает время измерений профиля носителей заряда до 15 - 25 мин и снижает трудозатраты.Составитель Л. Смирнов Техред О. Павлова Корректор О. Тюрина Редактор О. Филиппова Заказ 359/18 Изд185 Тираж 915 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4,5 Типография, нр. Сапунова, 2 та к поверхности диэлектрика, нанесенного па поверхность полупроводника и удаляемого после измерений, о тл и ч а и щ и й с я тем, что, с целью повышения экспрессности и упрощения способа, перед измерением вольтфарадных характеристик на поверхность полупроводника наносят слой полимерного диэлектрического материала, полимеризующегося в нормальных условиях.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность полупроводника наносят слой коллодия. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Пономарев В. А. Измерение концентрации основных носителей заряда в эпитаксиальных пленках кремния, арсенида галлия и - и+ типа дифференциальным емкостным методом с тремя ртутными контактами. - Электронная техника, сер, 3, Полупроводниковые приборы, 19 б 8, вып. 3,Г 0 с, 88 - 95,2, Сагйче 11 М, 1., Реаг 1 К, Г., Е 1 ес 1 гоп1 еп, 9,4, Р. 88 (1973),
СмотретьЗаявка
2746007, 02.04.1979
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1631
КОЛЕСНИК ОЛЕГ ЛЕОНИДОВИЧ, ЕФИМОВ ВАЛЕНТИН ИВАНОВИЧ, КРИНИЦКИЙ СЕРГЕЙ ЛЬВОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/22
Метки: заряда, концентра-ции, носителей, полупроводниках, профиля
Опубликовано: 07.03.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-811128-sposob-izmereniya-profilya-koncentra-cii-nositelejj-zaryada-b-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения профиля концентра-ции носителей заряда b полупроводниках</a>
Устройство для автоматической сварки поверхностей произвольного профиля
Номер патента: 627937
Опубликовано: 15.10.1978
Автор: Трефилов
МПК: B23K 9/10
Метки: автоматической, поверхностей, произвольного, профиля, сварки
...углу поворота горелки, с привода 4, С выхода блокасс оцд ,о поступает на вход привода 2, сигналФо ( ь к сонг,/ (о 25Для скоростей 1( и Мсправедливы соотношения (в преобразованияхЛапласа прн С 6еС сооз 1;- ипи, (г,-г,),йд- -со 8 а (г - т ),Л р д Ю С Г - Ь и - Ю 1 ( ид - ид ) Соб а +ц ь ц 1( до д оУ,-иг,и,- ь;-(и- иц)вва,ц 1, а + - ы-сова,чц - 81 йадч; (5)й Аи -- сова ч + 81 п а Ч = Ь а 1 мсова и +1 сд Йдд р . оц Р ох 1 о%1 1(д 1(Ч й цдо р д О 2 Ц Р Ад О ц%па у +(1+сов а - ф- )ч -мГ 81 ва и + - сора мч о р к з ода р о го Характеристический определитель системы равен 50- -гсова1 Ю - дб 1 и а,с и с 08 а 811 аАд1+в - 81 п а +в - Й-соб а +5 ч-собца +фд-юю совф а ц л а Л 1 Р о аР о 1 Р о Ра 1 ц аа ЪУравнения (1) и (2) в...
Устройство для нанесения микродоз на поверхность носителя
Номер патента: 1355873
Опубликовано: 30.11.1987
Авторы: Громовицкий, Тамберг
МПК: G01F 13/00
Метки: микродоз, нанесения, носителя, поверхность
...устанавливают в корпусе 7 сменную центрирующую втулку со сквозным каналом под выбранный внешний диаметр носителя 2, сменную заглушку 9 с иглой 10 из африкционного материала под внутренний диаметр выбранного носителя 2, при этом заглушку фиксируют шариковым фиксатором так, чтобы конец держателя 11 прошел через отверстие заглушки, и вращая держатель 11 за этот конец, служащий ручкой оператору,.устанавливают нож 12 в рабочее положение, при котором его режущая кромка должна зайти в кольцевую канавку 14 иглы, Устанавливают в корпусе 7 заряженные требуемым реагентом микродозирующие элементы, например, в виде шариковых стержней 1.Устанавливают гильзу 13 с носителем 2 в корпус 7 и при этом проводят свободный конец носителя между роликами 3 и 4...
Способ очистки поверхностей постоянного профиля
Номер патента: 1556775
Опубликовано: 15.04.1990
Авторы: Бацеля, Друпп, Руденко
МПК: A01D 41/127, A01D 75/00, B01D 35/16, B08B 9/04
Метки: поверхностей, постоянного, профиля
...О 56 т 75 Формула изобретения Составитель А. Кзлахин Гс ла к т ор Л. Реви н Техрел И. Вере Корректор 1. Патай Заказ 679 Тираж 515 Полписное ВНГИГ 1 И Госу,шрственинго коиитета по изобрегснияц и открытиям при ГКНТ СССР13035, Москва, Ж - 35, Ра шская наб., л. 4 5 Произволствеино.излатегшский колбинт Патент, г. Ужгорол, ул. Гагарина, 101направлении раскрытия зазора). Г 1 ри этом зона постоянного гидроъддрд также движется вмесге с коциром в зазоре, очищая поверхность цод копиром.При обработке внутренней поверхности постоянного профиля копир устанавливают внутри изделия с зазором и воду нагнетают к копиру прямо в изделие. Лалее процесс очистки происходит аналогично очистке наружной поверхности. В случае, если изделие не рассчитано ца...
Способ ленточного шлифования поверхностей сложного профиля
Номер патента: 275779
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Поль, Романов, Фишеров
МПК: B24B 17/02, B24B 19/14, B24B 21/16
Метки: ленточного, поверхностей, профиля, сложного, шлифования
...контактный ролик по периферии выполняют профилированным по контуру пространственной развертки сопряженной поверхности обрабатываемой заготовки. Его угловой поворот согласуют с поступательным перемещением заготовки.На фиг. 1 изображена принципиальная схема процесса шлифования лопастей воздушного винта по описываемому способу; на фиг,2 -то же, вид сверху,Обрабатываемая деталь 1 размещается на5 подвижном элементе, например, столе, ц совершает поступательно-возвратное перемещение в направлении стрелки 2. Абразивная бес.конечная лента 3 прижцмается к обрабатываемым поверхностям детали при помощи профи 10 лированных контактных роликов 4, вращающихся в направлении, указанном стрелками5. Направление движения абразивной лентыпоказано стрелками...
Система автоматической наплавки поверхностей сложного профиля
Номер патента: 570468
Опубликовано: 30.08.1977
Автор: Трефилов
МПК: B23K 9/10
Метки: автоматической, наплавки, поверхностей, профиля, сложного
...горизонтального перемещения стола относительно горелки, привод 14 горизонтального перемещения, редуктор 15, фотодатчики 16 и усилитель 17,Работа системы осуществляется следующим образом.Напряжение дуги У сравнивается с заданным напряжением У поступающим с задатчика напряжения дуги (не показан) в узле 1 сравнения. Полученная разность поступает в привод 2 вертикального перемещения стола относительно горелки (или горелки относительно стола), который через редуктор 4 перемещает установочный стол 3 с деталью. Скорость вертикального перемещения 1"у измеряется элементом 5 измерения скорости вертикального перемещения и поступает на вход суммирующего устройства 6 привода вращения стола. На второй вход устройства 6 одновременно поступает...
Предыдущий патент: Чувствительный элемент датчикагазоанализатора
Следующий патент: Способ измерения влажности газов
Случайный патент: Способ определения молекулярного отношения электролитов алюминиевых ванн