Способ получения покрытия из карбидакремния
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союа Соеетских Социалистических РеспуйлинЗависимое от авт. свидетельстваКл, 80 Ь, 8/11121, 31(36 Заявлено 2.Х 11.1968 ( 1294501/29-33)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 10.1 Ч.1970, БюллетеньДата опубликования описания 8.И 1.197 МПК С 04 Ь С 01 Ь УДК 666,764.5Комитет по делам ооретеиий и открытий ри Совете Мииистрое СССРСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ КАР КРЕМНИЯ2 реххлористого кремния в водороде составляет 1,2 10 - моль, средняя скорость роста карбида кремния составляет 0,2 лйlлшн, Через 30 - 40 лин подачу паров тетрахлорида кремния прекращают, а затем при той же температуре в реактор подают хлористый водород для удаления свободного кремния с поверхности покрытия. Концентрация хлористого водорода в водороде составляет 7 - 10 об.время обработки 10 - 15 мин,Охлаждение пьедестала до комнатной температуры производят в атмосфере водорода.Предложенный способ позволяет сохранить толщину, рельеф и качество имевшегося ранее карбидного покрытия, получить новое карбидное покрытие только на поверхности оголенных мест пьедестала и увеличить срок службы пьедестала в 1,5 - 2 раза. ПредметСпособ получения кремния на графите него кремнием, отлч лью реставрации г используемых при по вых эпитаксиальных вертают обработке в температуре 1 450 всью тетрахлорида кр следующей обработк дом в течение 10 - 15 зобретени покрытия изпутем пропиткиаюиийся тем, чрафитовых пьедлучении полупроструктур, изде.течение 30 - 40 л500 С парогазоемния и водороой хлористымлин,Изобретение относится к способам реставрации изделий из графита с защитнымпокрытием из карбида кремния.Известен способ получения покрытия награфитовых изделиях путем пропитки парогазоной смесью, содержащей соединения углерода и кремния.Цель изобретения - реставрация графитовых пьедесталовиспользуемых при получении полупроводниковых эпитахсиальных 10структур,Достигается это тем, что изделие подвергают обработке в течение 30 - 40 мин при температуре 1 450 - 1 500 С .парогазовой смесьютеграхлорида кремния и водорода с последующей обработкой хлористым водородом втечение 10 - 15 мин,Предложенный способ осуществляют следующим образом: графитовый пьедестал при 20 наличии на нем полукристаллического кремния нагревают в атмосфере водорода до температуры 1200 С и обрабатывают хлористым водородом, Концентрация хлористого водорода в водороде 7 - 10 об.%. Время обработки 25 в зависимости от толщины слоя поликристаллического кремния составляет 15 - 30 мин.После этого температуру пьедестала поднимают до 1450 С и в реакционное пространство подают парогазовую смесь четыреххлористо го кремния и водорода, концентрация четыкарбида последо, сцеесталов, водниконе подин при ой смеда с по- водоро
СмотретьЗаявка
1294501
А. Д. Хромов, В. А. Крамер
МПК / Метки
МПК: C04B 35/54, C04B 41/85
Метки: карбидакремния, покрытия
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-268969-sposob-polucheniya-pokrytiya-iz-karbidakremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения покрытия из карбидакремния</a>
Автономный прибор для записи температуры и течений в океане
Номер патента: 142084
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Стась
МПК: G01D 5/245, G01P 5/07
Метки: автономный, записи, океане, прибор, температуры, течений
...компаса, термометра и часов. Скорость течения определяют количеством снимков в определенный промежуток времени.Описываемый автономный прибор пригоден для записи температуры и течений на любых глубинах океана, так как отсутствие магнитной муфты сцепления, ограничивающей толщину донной части цилиндра, позволяет делать его корпус любой прочности.Предмет изобретенияЛвтономный прибор для записи температуры и течений в океане, выполненный в виде цилиндра, внутри которого размещена компасная картушка, ртутный термометр, часовой механизм, электробатареи, осветительные лампы, фотоустройства и электромагнитная муфта сцепления, отличающийся тем, что, с целью бесконтактной связи ротора вертушки с регистрирующим механизмом, в нем применен...
Способ разделения водорода и гало-генида водорода
Номер патента: 835949
Опубликовано: 07.06.1981
Авторы: Андреев, Жирнов, Лунин, Ляпунов, Шайдуров
МПК: C01B 1/26
Метки: водорода, гало-генида, разделения
...Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 3рама или пентахлорид молибдена вводят в виде паров или аэрозоля.Пример 1. В процессе химического газофазного осаждения вольфрама образуется 3000 л газовой смеси, состоящей из 77,1 об.% водорода (температура кипения минус 252,8 С) и 22,9 об. % фтористого, водорода (температура плавления минус 83 С). Эту смесь газов направляют в вымораживатель. На входе в вымораживатель добавляют 0,4 об, % паров гексафторида вольфрама (температура плавления ниже 2,5 С) и охлаждают газовую смесь до температуры минус 90 С. Время прохождения газовой смеси через выморажи ватель составляет 12 мин, при этом 98,2 об. % фтористого водорода и весь...
Способ получения изолирующих покрытий
Номер патента: 1119523
Опубликовано: 27.12.1996
Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев
МПК: H01L 21/205
Метки: изолирующих, покрытий
Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 10-6) 1.
Сссрприоритет 27. v. 1969, № 798669, швейцарияопубликовано 20. хп. 1972. бюллетень № 3за 1973дата опубликования оиисания 6. п. 1973удк 678. 664(088. 8)
Номер патента: 363249
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вител, Фемистоклис
МПК: C08G 18/62, C09D 3/72
Метки: 1969, 1972, 1973дата, 1973удк, 3за, 664(088, 798669, бюллетень, оиисания, опубликования, сссрприоритет, хп, швейцарияопубликовано
...чего лаковое покрытие или пленка становится нелипким, поверхность покры 5 10 6тия теряет способность поглощать пыль и делается также не очень чувствительной к ударам или другим механическим воздействиям. Лакированные таким способом предметы могут быть подвергнуты дальнейшей обработке. Для достижения очень хороших свойств покрытий необходимо дальнейшее отвержденне при комнатной температуре в течение 3 - 4 дней или термообработка, проводимая в течение 30 мин при 120 С. П р и м е р 1. Готовят реактивный лак на основе 80,3 вес. сополимера и 19,7 вес. /о органического триизоцианата. Количество обо их компонентов указано в расчете на вес тверды веществ534 г раствора сополимерного продукта (1)на основе стирола, акриловой кислоты и...
Полирующий травитель для полупроводниковых кристаллов и способ травления
Номер патента: 860645
Опубликовано: 15.04.1983
Авторы: Бакланов, Земсков, Митькин, Репинский, Свешникова
МПК: H01L 21/306
Метки: кристаллов, полирующий, полупроводниковых, травитель, травления
...увеличения скорости гидролиза дифторида ксенона в воде, что может привести к нарушению стабильности процесса травления,20 25 30 П р и м е р. Раствор дифторидаксенона в воде готовят растворениемв бидистиллированной воде навесокдифторида ксенона, представляющего 35 собой белый порошок. Травление полупроводниковых кристаллов Са, 5,5 Аз п 5 Ь, СаР проводят в водномрастворе дифторида ксенона на травильной установке с вращающимся 40 фторопластовым стаканом, наклоненным под углом 70 . Образец погружаоют в стакан. Скорость вращениястакана 60-80 об/мин. Скорость травления оценивают по изменению весаобразцов за время эксперимента. Исходную концентрацию дифторида ксенона в воде в выполненных экспериментах варьируют от 0,1 до 2...