Способ электрохимической обработки поверхностей

Номер патента: 1840203

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, галогенсодержащих, окисления, пластин, полупроводниковых, электролитах

1. Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах путем подачи положительного напряжениян на окисляемую пластину, отли-чающийся тем, что, с целью повышения качества окисления, перед подачей положительного напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицательного напряжения 3-10 В на пластину или на дополнительно вводимый электрод.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение, поданное на пластину, выдерживают в течение 5-60 с, после чего полярность меняют.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение на дополнительно вводимый электрод подают в...

Номер патента: 408746

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Ковалевский, Костюк, Кузьмин, Луценко, Магид, Ноткович, Смоленцев

МПК: B23H 7/16

Метки: внутренних, поверхностей, станок, электрохимической

...с зазором между ними, обеспечивающим вентиляцию и уменьшающий нагрев контактов. Своими концами шины 26 закреплены на полукольцах коллектора.Для создания контакта шин с обрабатываемой деталью 4 коллектор снабгкен прижимными башмаками 27, которые посредством винтов 28 с пружинами 29 связаны с полукольцами. Прижимные багцмаки включают в себя металлические каркасы, внутри которых размещены резиновые вкладыши 30. Нижний башмак снабжен откидными зажимами 31 с откидной планкой 32 и с регулируемымц винтами 33.В исходном положении привод 6 продольной подачи находится в крайнем левом положении.ОбрЯбатываемяя деталь 4 мстЯнавливаетс 51 в приводных опорах 3 и в открытый коллектор 16 токоподвода 2. После этого коллектор закрывается, при этом гибкие...

Номер патента: 459818

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Блинов, Козырь, Яловега

МПК: H01L 7/68

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

...самоуравновешивания подвешены к станине 13 на двойномшарнире Гука 14.Работает устройство следующим образом.1 О В гнезда ротора 2 закладывают полупроводниковые пластины и поджимают их сверху с помощью пневмопривода 5 крышкой 4 с усилием, гарантирующим давление на поверхность ротора 4 - 15 кг/см, Затем в полость 15 между ротором 2 и крышкой 4 из резервуара6 под давлением подают нагретую до температуры 80 - 90 С смесь особо чистой воды с растворенным в ней кислородом. Когда в магистрали подачи воды давление возрастает до 20 появления тонкого слоя жидкости, истекающей по кольцевому зазору, включают центрифугу 1. По окончании процесса очистки выключают центрифугу, прекращают подачу смеси, поднимают крышку и освобождают ротор 25 от очищенных...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...

Номер патента: 763839

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бусыгина, Гук, Даровских, Ельцов, Кириллова, Шуман, Юрре

МПК: G03C 1/68

Метки: пассивации, пластин, поверхности, полупроводниковых, состав

...непосредственно над поверхностью полупроводниковой пластины - хлор поступает только иэ полимерного слоя, помещенного на поверхности, а не продувается в течение всего процесса окисления через трубу.раствор состава для пассивации готовят, растворением в неполярном растворителе толуол, трихлорэтйлен, хлороформ) циклополиизопрена или эпоксидированного циклополиизопрена 4 Й и хлорсодержащих каучуков - хлоропренового или хлоркаучука, Приготовленный .раствор наносят центрифугированием (2500 об/мин, 20-30 с) на поверхность кремниевых пластин типов щ р и и в диапазоне сопротивлений от 0,1 до 300 Ом/см (бр 1; 1 у 0; 10; 100 У 300), сушат при бСС для удаления растворителя, затем окисляют в дифФузионной печи типа СДО при 150 С в течение 1-2 ч,...