Полупроводниковый мостовой датчик температуры

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Соеетскиа Социалистических Республиио Зависимое от авт, свидетельства Заявлено 15.Х,1970 ( 1483981 с присоединением заявки1. Кл, 6 011 т 7/ Комитет оо де При тет х 536.5(088.8 о 0 ретении и открытиири Совете МиииотроаСССР ень23 ликовано 28,711.19. Вюл публикования описания 4 Х 111.1972 Да Авторытзобретения В. И. Воросколевский, Б. А. Заварнов, И. П, Куликов, С. Н. Пи А. И. Пляченко Заявит 11 ОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОСТОВОЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЬ Изобретение может быть использовано в си. стемах трехпозиционного регулирования температуры различного назначения, работающих в диапазоне от - 30 С до +70 С.Известны полупроводниковые мостовые датчики температуры, в одном или двух плечах которых включены терморезисторы (термисторы) . Выходной сигнал датчика, являющийся функцией окружающей температуры, снимается с одной из диагоналей моста. В ка. честве двух плеч мостового датчика при питании постоянным током могут быть использованы полупроводниковые стабилизаторы напряжения (стабилитроны).Применяемые мостовые датчики температуры даже при использовании терморезисторов имеют относительно низкую чувствительность и требуют при использовании в системах регулирования температуры достаточно сложных усилительно-преобразующих устройств для усиления и формирования трехпозпционной характеристики регулятора.Для увеличения выходных сигналов датчика, формирования в самом датчике трехпозпционной характеристики, необходимой для управления регулятором температуры, и упро. щения его схемы в предлагаемом датчике к общей точке стабилнтронов подключены эмиттеры транзисторов разного типа проводимости, базы которых соединены с термостабильным сопротивлением, включенным между терморезнстором и вторым термостабпльным сопротивлением,При этом мощность выходных сигналовдатчика увеличивается в десятки раз, а требуемая трехпозициопная характеристика регулирования определяется параметрами мостового датчика, что существенно упрощает схему управляющего устройства регулятора н10 значительно повышает его надежность.Схема описываемого датчика приведена начертеже.Четырехплечий мост ооразуется терморезнстором (плп группой терморезисторов) 1, тер.15 мостабильными сопротивлениями 2, 3 и двумястаоплитронами 4, 5. К концам резистораподключены базы транзисторов 6, Т разноготипа проводимости, эмнттеры которых соединены с общей точкой стабилнтронов 4, 5, Пн 20 танце для датчика подается через ограничивающее сопротивление на выводы 8, 9. Выходные сигналы датчика снимаются с выводовго, п.При температуре настройки, когда сонро 25 тивление терморезпстора У равняется сопро.тивлению термостабпльного резистора Обатранзистора 6 и 7 закрьты, так как длякрытия кремниевОго транзистора необхОдпмо,чтобы напряжение между эмиттером и базой30 превышало величину 0,67 в. Прн повышештнСоставитель И.,цуосон1 е.,1 п:и Л Ьопаооаа едакто Хейфиц корректор О. Ъори тказ р 4796 Изд. Ле 1076 Тираы 406 11 одписиоеНИИП 11 Комитета яо делам изобретений и открлий 1 при Советс Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр, Сапунова,температуры относительно температуры па. стройки сопротивление терморезистора 1 уменьшается и открывается транзистор 6. Если вывод 10 подключен к минусу источника питания, то в коллекторной цепи транзистора 6 появляется ток, которым может бы гь вкЛючено элект ромеи аническое реле через транзисторное реле. Транзистор 7 остается прп этом закрытым. При снижении темперагуры относительно температуры настройки потенциал общей точки резисторов 2 и 3 повышается и открывается транзистор 7. Если вывод 11 подключен к плюсу источника питания, то в коллекторной цепи рансора 7 появляется ток, достаточный дляправления транзисторным реле. Транзистор 6 остается при этом закрытым, Ширина зоны нечувствительности устройства (когда закрыты оба трапзистора 6 и 71 определяется величиной сопротивсн ипя резистора 2. Предмет изобретения11 олупроводннковый мостовой датчик температуры, содержащий мостовую схему с включенными в ее плечи терморезистором, термостабильными сопротивлениями и стабилитронами, отлнчающияся тем, что, с целью увели чения его выходны.с сигналов, формированияв самом датчике трехпозиционной характеристики для управления регулятором температуры и упрощения его схемы, к общей точке стабилитронов подключены эмиттеры транзисто ров разного типа проводимости, базы которыхсоединены с термостабильным сопротивлениемм, включенным между терморезистором и вторым термостабильным сопротивлением,