Нейристор

Номер патента: 494063

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Вайткус, Ярашюнас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, фотоэлектрических, характеристик

...содержащее одномодовый твердотельный лазер 1 на стекле с неодимом, лазерный усилитель 2, набор нейтральных светофильтрон 3 для изменения мощности излучения лазераа стеклянную плоскопараллельную пластйну тдля отвода части луча лазера к измерителю 5 мощности излучения, например к фотоэлементу ФЭКК, За пластиной 4 на пути излучения установлен делитель 6 света, например система призма для разделения лазерного луча на два луча. На месте пересечения этих лучей помещен исследуеьияй полупроводниковый образец 7 и измеритель 8 интенсивности дифракциикоторым может служить также фотоэлемейт ФЗКК. Измеритель 5 мощности излучения и измеритель 8 интенсивности дифракции подключены к двухлучевому запоминающему осциллографу С 1-429. Направление лучей...

Номер патента: 661437

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик, электрофизических

...гранях образца находит.применение способ 21.Измерения электрофизических характеристик полупроводниказаключаютсяв том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные магнитное иэлектрическое поля, измеряют их велйчину и регистрируют электрический.сигнал на поверхности полупроводника.Однако, в известном способе из-за воздействия на образец стационарных сил Лоренца в процессе измерения имеет место определенное изменение отношения величины поверхностных электростатических потенциалов во и авэо наа противоположных гранях образца. В результате этого изменяются и скорости поверхностной рекомбийации на этих гранях. Следовательно имеет место зависимость между результатами и режимом измерения, которая приводит к грубым погрешностям....

Номер патента: 873166

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...9, 1 д - граничная частота полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта.При этом поверхностные электростатические потенциалы и скорость поверхностной рекомбинации на гранях исследуемого образца 2 под полевыми пластинами 3 изменяются по синусоидальному закону противофаэно и обеспечивается линейность функции 1(Ц 4)=сопвс О . Частота о связана с измеряемой величиной эффективного времени живинка носителей тока в образце 2 формулойГзф= 1/2 )Игде То - период. Причем частота Г определяется как частота выходного переменного напряжения исследуемого образца 2, при котором фаза этого напряжения отстает на )Г/4 относи" тельно фазы переменного напряжения с частотой Гс на полевых пластинах 3.Частота выходного напряжения исследуемого образца 2...

Номер патента: 1578770

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Борисов, Дюков, Кибалов, Файфер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...квантов 1,3 эВ. Свет модулирован частотой 1 к Гц, Ге гистрируемое п ространственное разрешение сигнала 0,1 мкм, Коэффициент усиления выбирался равным 20, Далее понижали 1 ок зонда и его энергию до выхода регистрируемОго сигнала в насыщение, Для пластины КДБэто 0,1 нА и 15 кВ соотвутственно, Для пластины КДБ,1 насыщейие достигалось при токе 50 пАи энергии 2 кэВ., Далее изменяли частоту модуляции в диапазоне 0,1 - 10 Гц. Уменьшение сигнала фотоЭДС наблюдалось при частотах выше 5 кГц, При частоте 1 кГц в полосе 3 Гц снимали зависимость сигнала фотоЭДС от интенсивности освещения (кривая 11 на фиг, 2). По значению насыщения сигнала определяли поверхностные потенциальные барьеры участков поверхности, т,е. наведенной фотоЭДС. Измеренные...

Номер патента: 1816116

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Небрат, Овсюк, Попов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, первый и второй селективные делители, переключатель, первый вход которого соединен с шиной нулевого потенциала, первый регулируемый усилитель, емкостный делитель, нуль-орган, выход которого подключен к входу RC-фильтра, фазовращатель и первый и второй синхронные детекторы, первые и вторые входы которых...