ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистицеских Республик(61) Д олнительное к авт, свид(22) Заявлено 11.06.73 (21 с присоединением заявки Х (23) Приоритет 77 25 М, Кл о Н 01 31/12 2902 25 осударственный ионитеСоввта Министров СССРоо делам изооретенийи открытий(53) УДК 621.382 ковано 25.03.77. Бюлл та опубликования опис 2) Авторы изобретения оспокеви нститут электроники АН Белорусской СС 1) Заявит(54 О Изобретение относится к оэлектроник естве элемента выожет быть использовано вслительной техники, автотх монолитных оптоэлектрреходами.Известны полупрово в интеграль.хемах с р-идниковые оптроны, в кото- элементы: излучающие щие среды и фотоприемоляют создаинтегральных е конструкциипланарного э не по ть его хем в едином технологическом цикле, Известен также оптрон, содержащий свето од хоость р-тт- перееду, связанньом,р-п переость 2).вместима с э с выходящим на боковую поверхндом, через оптически передающую срс окружающим его фотоприемниккоторого выходит на ту же поверхнОднако такая конструкция несоментами монолитных интегральныхЦель изобретения - увеличенипередачи и получение конструкцииэлементами полупроводниковых мгральных схем.Эта цель достигаетсясветодиода и фотоприемни схем.е коэффициентасовместимой сонолитных интетем, что р-В-переходыка выполнены одновре- об рых применены дискретньдиоды, оптические переданики 1.Однако таки менно выходящими на поверхность,перпендику ную к боковой поверхности светодиода.На фиг.1 схематически изображен общий вид планарной структуры оптрона, разрез; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - вид сптрона сверху.Оптрон содержит р-й-переход 1 светодиода, пе. редающую среду из двуокиси кремния 2 и р-нпереход 3 фотоприемника. При изготовлении оптрона в пластине кремния 4 т-типа толщиной 200-300 мк вытравливают сквозные отверстия 5 диаметром 200-ЗООмк. По известной планарной технологии формируется р-и-переход 3 фотоприемника методом диффузии примесей р-типа. Окислением создается слой двуокиси кремния 2 толщиной 0,1-0,2 мк, осуществляющий электрическую развязку светодиода и фотоприемника. Окисленные сквозные отверстия апитаксиально заращиваются полупроводниковым материалом 6 светодиода, например арсенидом галлия п-типа, по одному из известных способов, Затем создаются р.%переход 1 светодиода и омические контакты 7 и 8 фотоприемника и светодиода по известной технологии напыле. нием золота и никеля; р.ть-переходы оптрона в плоскости А-А выполнены в виде концентрических355 окружностей (см,фиг, 2). Взаимное разположение планарных омических контактов и электрических выводов изображено на фиг. 3. Все элементы оптрона .расположены в теле полупроводщковой подложки в тонком приповерхностном слое, в котором могут располагаться другие элементы интегральных схем, например транзисторы, резисто. ры, диоды. Так как все элементы конструкции расположены с одной стороны подложки и все электрические контакты расположены в одной плоскости, оптрон изготовляется по планарной технологии в едином цикле с другими элементами монолитных интегральных схем.Формула изобретенияОптрон, содержащий световод с выходящим на боковую поверхность р-й-переходом через опти 1730 чески передающую среду, связанный с окружающим его фотоприемником, р-ть.переход которого выходит на ту же поверхность, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения коэффициента передачи и получения конструкции, совместимой с элементами монолитных интегральных схем, р й-переходы светодиода и фотоприемника выполнены одновременно выходящими на поверхность, перпендикулярную к боковой поверхности светодиода. ЮИсточники информации, принятые во вниманиепри экспертизе:1, Дж, Менименс, "Электроникаф, 1965, т, 38,Яф 15, с, 3.ц 2. Патент Великобритании У 1251382, кл.Н 1 К,1971 (прототип).551730 дактор Т, Иванов Заказ 131/29 Тираж 1002ИПИ Государственного комитета Советапо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб Подписное Министров ССС

Смотреть

Заявка

1931377, 11.06.1973

ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ АН БЕЛОРУССКОЙ ССР

ОСИНСКИЙ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, КОСТЮКЕВИЧ НИКОЛАЙ КОНСТАНТИНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 31/12

Метки: оптрон

Опубликовано: 25.03.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-551730-optron.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Оптрон</a>

Похожие патенты