Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее покрытие затвора.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров транзисторов, отжиг проводят в среде водорода, дополнительно содержащей мышьяк при относительных расходах последних 10:(0,25 1) молярных объемов соответственно.
Описание
Положительный эффект в данном способе основан на насыщающемся характере зависимости толщины окисляемого слоя от времени, в результате чего по достижению оксидом заданной толщины (она является функцией температуры) процесс роста оксида прекращается, так как образовавшийся оксид пассивирует поверхность материала подложки и материала затвора от дальнейшего окисления. Сильное различие в скоростях окисления на крутом и пологом участках кривой зависимости толщины от времени обеспечивает высокую точность размеров формируемых зазоров.
Диапазон предлагаемых температур 400-600oС при термическом окислении материала подложки и затвора (нитрида ниобия, ниобия) снизу ограничен неоднородностью толщины образующихся оксидов, а сверху появлением в материале подложки модификаций оксидов, удаление которых данным способом в восстановительной атмосфере водорода невозможно, при этом резко возрастает скорость окисления и рост оконца до толщин

Диапазон температур отжига (сублимации оксидов подложки) снизу ограничен температурами разложения оксидов материала подложки и температурой перевода оксида Nb2O5 (образующегося в процессе окисления) в оксид Nb2O. Сверху температурный диапазон отжига ограничен температурами, при которых наблюдается резкое нарушение стехиометрии состава поверхности подложки (по результатам оже-спектроскопии).
Диапазон указанных времен окисления ограничен временами, соответствующими выходу кривой зависимости толщины окисления от времени на пологий участок. Характерные же времена выхода кривой указанной зависимости на пологий участок зависят от температуры окисления.
На фиг. 1 10 показана последовательность операций.
На поверхности подложки арсенида галлия 1 посредством фотолитографии формируют рисунок (фиг. 1) на маскирующем покрытии 2, последовательно наносят пленки нитрида ниобия 3 (толщиной 1500


Данный способ изготовления полевого транзистора с самосовмещенным затвором вследствие улучшения однородности длин зазоров затвор-исток и затвор-сток по плоскости пластины позволяет существенно увеличить степень интеграции и процент выхода годных ИС. 2 4 6 8
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов, работающих на частотах в несколько десятков гигагерц. Целью изобретения является повышение воспроизводимости величины зазоров между активными областями. Цель достигается тем, что в качестве подножки берут арсенид галлия, а затвор выполняют из ниобия либо нитрида ниобия. Формируют маскирующее покрытие под изготовление областей истока и стока. Затем проводят термообработку в атмосфере сухого кислорода при 400-600oС. Отжигают подложку в среде водорода при 640-700oС. Формируют области истока и стока. 10 ил.
Рисунки
Заявка
4392718/25, 01.02.1988
Артамонов М. М, Ильичев Э. А, Ахинько И. А, Инкин В. Н, Григорьев А. Т, Гольдберг Е. Я, Липшиц Т. Л, Шелюхин Е. Ю
МПК / Метки
МПК: H01L 21/335
Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов
Опубликовано: 10.07.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1565292-sposob-izgotovleniya-polevykh-tranzistorov-s-samosovmeshhennym-zatvorom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором</a>
Предыдущий патент: Узел ввода оптического излучения в барокамеру
Следующий патент: Заглушка для радиоэлектронных пультов и блоков
Случайный патент: Устройство для контроля прошивки кодовых жгутов пзу