Устройство для термозащиты интегральных схем

(19) (111 51)С 05 0 23/19 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗОБ ЕНИЯ ЛЬСТ ВТОРСКО 1(71) Институт физики полупрАИ ЛитССР. Юод валь ки 1986.СССР1971 НОЗАЩИТЫ И тносится к автомат термозащитным уст х интегральных ми Изобретение относится к ке, в частности к устройст защиты, может быть использ предотвращения общего пере талла монолитной интеграль и одновременно локального отдельных элементов и пере также может быть использов ральных мощных усилителях,заторах тока и напряжения,рах, формирователях, преоб лях сигналов и других инте схемах. Цель изобретения - повыш дежности. На чертеже ройства. Устройство содер датчик 1 температурьие на" ма ус представлена с жит транз( 4) УСТРОДСТВО ДЛЯТЕГРАЛЬИЫХ СХЕМ(57) Изобретение оке, в частности кройствам монолитны автомативам термоовано для грева крисной схемы перегрева ходов, а ано в интег в стабили- компараторазовате" гральных росхем. Устройство содержит транзисторный датчик температуры, последова"тельно с которым включен в диодном режиме транзистор смещенияуправляю"щий, усилительный и исполнительныйтранзисторы и обеспечивает повышениенадежности путем предотвращения какобщего перегрева кристалла, так и перегрева его отдельных элементов засчет введения в устройство дифференциального каскада, транзисторного триггера и управляемого источника тока.При этом управление источника токаосуществляется с выхода транзисторного триггера, у которого коллекторытранзисторов включены в эмиттерныецепи дифференциального каскада. 1 ил,смещения, управляющий транзистор 3,усилительный транзистор 4, первый ивторой резисторы 5 и 6, источник 7опорного напряжения, исполнительныйтранзистор 8, нагрузку 9, шины 10 и11 питания дифференциальный каскад12, транзисторный триггер 13 и управ",ляемый источник 14 тока, при этом дифференциальный каскад реализован натранзисторах 15 и 16, транзисторный1триггер - на транзисторах 17 и .18, управляемый источник тока - на транзисторах 19 и 20,Устройство работает следующим об;разом.В исходном состоянии на базе транзистора 15 существует положительноенапряжение, которое образуется натранзисторе 2 смещения и переходе ба 154157 Зэа - эмиттер датчика 1. Данное напряжение и держит транзистор 15 в от"крытом состоянии, а также открыты итранзисторы 18 и 4. Ток открытоготранзистора 4 протекает через первыйрезистор 5 и транзистор 20, включен-.ный в диодном режиме, который вместес транзистором 19 образует источниктока.10В случае нагрева транзисторногодатчика 1 до определенной температурыего напряжение база - эмиттер падает,базовый ток через транзистор 15 резкоуменьшается и транзистор закрывается, 15Закрываютсл и транзисторы 18 и 4 изза отсутствия Базового тока, получаемого от транзистора 15. После закрытия транзистора 4 ток через транзистор 20 также уменьшаетсл, закрываятранзисторы 19 и 3, В то же времяиэ-за наличия базового тока на транзисторе 16 от источника 7 он открывается и открывает транзистор 17, который дополнительно шунтирует базы тран зисторов 18 и 4 на общую шину, способствуя дальнейшему их запиранию. Такимобразом, на определенной точке температуры получают резкий рывок выключения исполнительного транзистора 8, но зополного выключения не происходит, потому что автоматически происходит выключение тока питания транзисторов 15и 16. В случае охлаждения датчикавесь процесс происходит аналогично,35но в обратном порядке,В случае перегрева всего кристалла напряжение на транзисторах 1, 215 16 17, 18 и 4 падает, но напряжение на базе транзистора 1 б остается40постоянным, Базовый ток в данном транзисторе возрастает, и он открывается,открывал транзистор 17, который шунтирует базы транзисторов 18 и 4 наобщую шину источника питания и закрывает их. В дальнейыем процесс происходит описанным способом,дТаким образом, предлагаемая схемасрабатывает от пеоегрева кристалла иот перегрева мощного транзистора, чтообеспечивает повышенную надежность,Устройство легко выполнимо в интег.,ралсдносл исполнении, занимает мало места на кристалле и употребляет незначительную часть энергии. Кроме того, устройство обеспечивает возможность внешнего управления по базовой цепи исполнительного транзистора.Формула и з о б р е т е н и яУстройство для термозащиты интегральных схем содержащее транзисторный датчик температуры, транзисторсмещения, включенный в диодном режиме,управляющий транзистор, усилительныйтранзистор, два резистора, источникопорного напряжения, последовательносоединенные исполнительный транзистор и нагрузку, подключенные к шинампитания, причем транзисторный датчиктемпературы и транзистор смещения соединены последовательно и подключеныпараллельно исполнительному транзистору, база которого соединена с однимиз выходных электродов управляющеготранзистора, другой выходной электродкоторого связан с одной из ыин питания, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повышения надежности,устройство содержит транзисторный дифФеренциальный каскад, транзисторныйтриггер и управляемый источник тока,управляющий вход которого соединен свыходным электродом усилительноготранзистора через первый реэистор,выходы управляемого источника токаподключены соответственно к базе управляющего транзистора и коллекторамтранзисторов диФФеренциального каскада, подключенным эмиттерами через соответствующие транзисторы транзисторного триггера к другой шине питания,выход транзисторного триггера соединен с базой усилительного транзистора, другой выходной электрод которого подключен к другой шине питания,база транзисторного датчика температуры и база одного из транзисторов дифференциального каскада подключенычерез второй резистор к одной шинепитания, а выход источника опорногонапрлжения соединен с базой другоготранзистора диФФеренциального каскада,1541573 Составитель Г, Крейман Техред М.Дидык Корректор Л Патай Редактор Е. Папп Заказ 279 Тираж 655 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент"г. Ужгород, ул, Гагарина, 111