Способ получения тонких пленок

Номер патента: 1739398

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Мордехай, Николаев, Франкевич

МПК: H01J 49/38

Метки: анализа, ионно-циклотронного, масс-спектрометрического, методом, поверхности, резонанса

...ниЯ М 2.Разрешение по массе определяется энергетической шириной спектра ионов рассеяния, которая зависит от разрешения экспериментальной установки по энергии и углу. Для детектора с достаточно малым углом сбора разрешающая способность по массе определяется разрешающей способностью экспериментальной установки поЕ 1энергии-3: МгМг Е 1 М 1ЛЛ 2 ЪБ(М 2 + 1)М 1(гу - зпго - созб(Мгу зпо) М 1 М 1 Из этого соотношения видно, что максимальное разрешение получается при угле О= 180 О т,е. рассеивании назад. При пред. лагаемом способе анализа угол рассеивания равен 180 О, что позволяет получать максимально возможное разрешение по массе,Способ анализа осуществляется следующим образом,Ионы, образованные в ионном источнике 1 (фиг.З), ускоряются в поле,...

Номер патента: 297709

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гскнвг, Корнеев, Тюнькин, Чернышев

МПК: C23C 14/36

Метки: ионного, напыления, пленок

...полюсу источника напряжения, а широкая часть трубы служит анодом и может быть либо заземлена, либо находиться под небольшим относительно земли смещением. Подложкодержатель электрически нейтрален и в поддержании разряда не участвует. Расстояние между трубой и боковой поверхностью катода 4 выбрано таким, что разряд здесь це возникает и возникает лишь тогда, когда до -- 4,. В этом случае труба перестает служить экраном ц становится анодом.Для интенсификации разряда служит магнит 4, который одновременно играет роль магнитного затвора для заряженных частиц, Магнитное поле не пропускает к поверхности297709 Предмет изобретения Составитель Н, Герасимова Редактор А, В. Корнеев Техрсд 3. Н, ТараненкоКорректоры; В. Петрова и Е. Ласточкина Заказ...

Номер патента: 1806419

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дехтяр, Квелде, Куницын, Маркелова, Носков, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: ионного, момента, окончания, пленок, процесса, травления

...образец. тонкой пленки сплава РС-ЗОООК толщиной300 Ао, нанесенной на термически окисленную кремниевую подложку, Фотоэлектрическая работа выхода электрона с подлокки -10 эВ. Образец подвергался ионна-химическому травлению в реакторе установкиУРМ.3.279,026. Травителем являлись ионыгаза ЯГ 6, образующиеся в источнике ионовИИ - 4-0.15 при давлении 10 Па.Контроль ионно-химического травленияосуществлялся каждые 2 минуты, при этомисточник ионов отключался,Образец с пленкой освещался ультрафиолетовым светом, пропускаемым черездифракционный монохроматор и фильтрБС. Энергия бомбардирующего фотонаравнялась, т,е. расположена в диапазоне9,84,954,5 эВ (фотоэлектрическая работа выхода электрона с пленки 4,5 эВ),В процессе освещения измеряли...

Номер патента: 388236

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: G01T 1/28

Метки: атомов, детектор, ионов, нейтральных

...одинаковым образомнезависимо от первоначального заряда. Дляувеличения эффективности регистрации эмиттер представляет собой тело вращения, обра 5 зующей которого является отрезок параболы,а собирающая поверхность коллектора имеетконическую форму.На фиг. 1 и 2 показана схема описываемогодетектора,10 Он имеет корпус 1 с крышкой 2, второпластовые втулки 3 и 4, коллектор 5 с выводом б,эмиттер 7 с выводом 8, нанесенную на мелкоструктурную сетку углеродную фольгу 9, изолирующую втулку 10, цилиндр 11 с выво 15 дом 12.Работает детектор следующим образом.Регистрируемые частицы попадают в фольгу 9. Испытав взаимодействие с ее атомами,20 они независимо от своего первоначальногозарядового или энергетического состояниявылетают с обратной стороны...

Номер патента: 1057564

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Борисков, Елисеев, Кирбитова, Шарапова

МПК: C22B 15/00

Метки: ионов, меди, металлов, минералов, одновалентной, поверхности, удаления, цветных, частиц

...раствором нат"риевой соли бицинхониновой кислотыпри рН6. После десорбции определяютобъем раствора и количество десорбированной с поверхности пирита одновалентной меди, которое составляет0,036 мг или 12 от всей сообиоованной минералом меди,П р и м е р 3, Селективно десорбируют одновалентную медь с поверхности сфалерита, обработанного СцЬОц вприсутствии йа 50 (250 мг/л). Сфалерит промывают смесью бицинхониновойкислоты и ее калиевой соли, С поверхности сфалерита десорбируют 91,24 одновалентной меди,Предложенный способ в отличие отизвестного позволяет селективно десор"бировать одновалентную медь с твердыхповеохностей, так как бицинхониноваякислота образует устойчивый комплекс,только с одновалентной медью, Годовойзкономический эффект от...