Способ подгонки пленочных резисторов

Союз Советских Социалистических РеслублнкОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51)М. Кл 3 Н 01 С 17/00 Государстаениый комитет СССР но делам изобретений и открытий(54) СПОСОБ ПОДГОНКИ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть изпользовано при изготовлении резисторных матриц и гибридных интегральных микросборок,Известен способ плавной подгонки корректировки до номинального значения электрического сопротивления пле" ночных резисторов, сформированных на подложке, путем изменения удельного поверхностного сопротивления ( Яо ) резисторной пленки, основанный на изменении величины ро при изменении внутренней структуры пленки в результате механического воздействия на ее поверхность (1), 5Недостатки этого способа : возмож,ность подгонки только в случае отсутствия защитного покрытия резисторйой пленки; неосуществимость групповой подгонки; возможность подгонки 20 только в сторону уменьшения значе.ния Я 0 , низкая производительность процесса подгонки.Наиболее близок к предлагаемому способ лазерной подгонки резистор ных схем 2 способ,заключающиймя в том, что луч лазера, направленный на резистор, осуществляет локальный разогрев резисторной пленки до высоких температур, обеспечивающих условия 30 термообработки, Участки пленки, подвергнутые термообработке под действием луча лазера, изменяют своюструктуру и обуславливают снижениевеличины ЯПри величении мощности излучения лазера температура облучаемогоучастка может превысить температуруиспарения материала пленки. Это приводит кудалению части площади резистора, что соответствует увеличению числа квадратов ( М ) пленки. Удаление части резистора используетсяпри необходимости повысить значениеего электрического сопротивления.Недостатки этого способавоздействие излучения лазера наматериал резнсторной пленки приводитк разрушению защитного покрытия изагрязнению поверхности схемы частицами удаляемого материала, что снижает надежность ГИМ;невозможность групповой подгонкирезисторовтнеобходимость использования специализированного дорогостоящего оборудования,Цель данного изобретения - повы-,шение надежности подгонки и. расширение функциональных возможностей.Поставленная цель достигается тем,что при подгонке пленочных резисторов, размещенных на подложке способом, включающим изменение удельногоповерхностного сопротивления резисторов, удельное поверхностное сопротивление резисторов изменяют путемнеобратимой контролируемой усадкиподложки,5 10 15 20 25 ЗО 40 60 65 При этом контролируемую усадку подложки иэ светочувствительного стекла осуществляют путем воздействия ультрофиолетового излучения при 220-400 С.На фиг. 1 представлена схема, реализующая предлагаемый способ; на фиг.2 представлен резистор, изготовленный предлагаемым споСобом.Подгонку пленочных резисторов выполняют следующим образом.Подложку 1 из светочувствительного стекла нагревают до 220-400 С. С помощью шаблона 2 обеспечивают экспонирование участка 3 подложки, находящегося под резистором 4, требующим подгонки. В результате кристаллизации и усадки участка 3 область резистора, контактирующая с ним, деформи- рУется (фиг.2). Деформация материалов резистора приводит к изменению структуры и толщины резистррной пленки в области, ограниченной площадью ,окна шаблона, а следовательно, к изменению электрического сопротивления резистора 4, находящегося под защитным слоем 5 и имеющего контактные площадки б, Увеличение усадки участка 3 за счет изменения режимов экспонирования приводит к увеличению деформации и даже разрушению материала резистора, особенно вдоль периметра пятна засветки. Разрыв пленки по периметру экспонированного участка приводит к увеличению числа Ч и соответственно к возрастанию электрического сопротивления резистора, Когда площадь засветки превышает площадь пленочного резистора, при усадке подложки наблюдается уплотнение пленки и уменьшение величины РПТаким образом, предлагаемый способ позволяет производить подгонку резистора в сторону увеличения и в сторону уменьшения величины При одновременном экспонировании нескольких резистОров, расположенных на подложке, возможна групповая подгонка. Поскольку изменение сопротивления связано с усадкой подложки, облучаемой с той стороны, которая свободна от резисторов (см. Фиг.1), окончательная подгонка резистора может быть произведена после его покрытия защитным слоем. Защитный слой при этом сохраняется.Ниже приведен пример подгонки резистора предлагаемым способом.После изготовления пленочных резисторов на подложке из светочувствительного стекла и контроля значений их электрического сопротивления определяют резисторы, подлежащие подгонке в сторону увеличения и умень-, шения электрического сопротивлениями Подгонка может производится на серийной установке совмещения и экспонирования, оснащенной дополнительно подогревным столиком, обеспечивающим нагрев подложки до 350 С, Контроль электрического сопротивления в процессе подгонки осуществляется измерительным прибором типа КС. Для . удобства совмещения окон шаблона с участками подложки, на которых расположены подлежащие подгонке резисторы, используют транспарантный фотошаблон. Подложку нагретую до 330 ф 25 С, экспонируют через окна фотошаблона о. источника Уф-излучения ДРШ. Излучение воздействовало на сторону подложки, свободную от резисторов. Степень усадки экспонируемых участков подложки тем значительнее, чем интенсивнее излучение и больше время его воздействия, При этом наблюдается плавное изменение электрического сопротивления резистора, расположенного над экспонируемым участком подложки, в пределах м 15% первоначального значения. При усадке зкспонированных участков подложки, приводящей к разрушению резисторной пленки, диапазон подгонки значительно расширяется,Процесс подгонки (в данном случае- экспонирования) прерывается при достижении расчетного значения электрического сопротивления путем перекрытия потока Уф-излучения электромеханической заслонкой, на которую подается управляющий импульс с измерительного прибора.Предлагаемый способ позволяет выполнять индивидуальную и групповую подгонку резисторов (т,е, расширять функциональные воэможности), защиценных от воздействия внешней среды. Сохранение защитного покрытия при подгонке обеспечивает повышение надежности резисторов и стабильность их температурного коэффициента сопротивления. Процесс подгонки является экономически эффективным. Подгонка проводится беэ больших дополнительных затрат на типовых установках, выпускаемых серийно.Формула изобретения1. Способ подгонки .пленочных резисторов, включающий изменение величины удельного поверхностного сопротивления резисторов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и расширения функциональных воэможностей, изменение величины удельного поверхностного сопротивления резисторов осуществляют871232 Составитель О.ЧернышовТехред Л, Пекарь Корректор Ю.Макарен едактор Т.федо 5 Тираж 787ИИПИ Государственного комнт по делам изобретений и отк 3035, Москва, Ж, Раушска Подписноета СССРытийнаб., д. 4/5 аказ 8447 иал ППП йПатентй, гужгород, ул.Проектная, 4 путем необратимой контролируемой усадки подложки.2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что необратимую контролируемую усадку подложки из светочувствительного стекла осуществляют путем воздействия ультрафиолетового излучения при 220-400 фС.Источники информации,принятые во внимание при. экспертизе 1. Пиганов М.Н., Чернобровкин Д.И и Паутов А.М. Подгонка тонкопленочных резисторов путем уплотнения реэистивного слоя, вып. 2, 1976, с. 34-37.2. Москаленко В.ф., Савичева Э.А, Применение газовых оптических квантовых генераторов в микроэлектронике, Обэоры по электронной технике, сер Микроэлектроникай, вып. ЦПФ-р (прототип) .