H01V 9/00 — H01V 9/00

Номер патента: 488277

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Гришмановский, Леманов

МПК: H01V 9/00

Метки: возбуждения, волны, кристаллах, регистрации, упругой

...При этом, если рабочая температурд устройства в пределах 2 - 3"1( соответствует середине области переориентации, то магнпто- стрпкцпоппыЙ преоорязовател. возбухдает и 20 кристаллической лппип задержки попере 1 пу 0уп 1)гую Воли.Продольпую упругую волну магпптостри- цпопиый преобразователь яапболсс эффективно,возбуждает прп температуре начала обла; стп переориептацги в диапазопе трех градусов в ту пли другую сторону, если поляризация высокочастотного магпитпого поля параллельа оси а ортоферрита, Если поляризация,высокочастотного поля параллельн 1 п осп с, то наиболее эффективно магнпто488277 Формула изобретения 10 Составитель Н. Игнатенко Техред О. Луговая Редактор С. Хейфиц 1(орректор Н. Аук Заказ 545 Изд. Ме 1911 Тираж 833 Подписное...

Номер патента: 490222

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Лабушкин, Матусевич, Фалеев, Фигин

МПК: H01V 9/00

Метки: излучения, модуляции, рентгеновского

...электромагнита 4. Кристалл 3 вырезан таким образом,что его поверхность, обращенная к падающему излучению, совпадает с кристаллографической плоскостью (111). Обмотка электромагнита 4, выполненного с возможностью 5 поворота вокруг оси, перпендикулярной к кристаллографической плоскости (111), соединена с генератором 5, с помощью которого подают переменное электрическое напряжение, вызывающее появление магнитного поля меж- О ду полюсами магнита 4 под действием внешнего магнитного поля происходит изменение магнитного упорядочения антиферромагнитного монокристалла 3 со слабым ферромапштизмом, что вызывает изменение условий про хождения рентгеновского излучения через монокристалл. Различные условия прохождения рентгеновского излучения...