Устройство для измерения неэлектрических величин
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51 исоединением заявкиГосударственный комитет Совета Министров СССР по делам иэоеретений и открытий .(45) Дата опубликования описания 16.03.77 1,317.7088,8)(51 ИЗМЕ Р ЛИЧИН РОИСТВ Изобретениетрических вели асается измерения неэлек чин, таких как сила, давлеемпература, тепловой поние, ускоток. 15 ш и Известны устройства для измерения неэлектрических величин, содержащие монокристаллический упругий чувствительный элемент, например, типа Мембранаф из прозрачного материала (сапфир) и размещен ные на ней полупроводниковые тонкопленочные монокристаллические тензо-и терморезисторы, включенные в измерительную схему 11. Однако при измерении этими устройствами неэлектрической величины падающий непосредственно на мембрану тепловой поток вызывает разогрев тензосхемы, что приводит к появлению погрешности измерения и невозможности скорректировать эту погрешность из-за отсутствия информац и об уровне теплового потока.Для повышения точности и расширения диапазона применения устройства в центре мембраны дополнительно размещены термоэлементы, включенные в измерительную схему. На фиг. 1 изображена монокристаллическая сапфировая мембрана, на которой гетероэпитаксиальная кремниевая пленка образует тензорезистивные и терморезистивныеэлементы; на фиг. 2 - схема измерениятеплового потока.На монокристаллической сапфкровоймембране 1 гетероэпитаксиальная кремниевая пленка 2 образует тензорезистивные О 3-6 и терморезистивные 7-12 элементы,Сформированные в центре мембраны терморезисторы 7 и 9 образуют с терморезисгорами 8 и 1 О, находящимися в областиаделки, две полумостовые схемы, измеряюие тепловой поток. При воздействии теплового потока в центре мембраны создается локальный разогрев (он может быть усилен соответствующими 20 поглошающими покрытиями), вызывающийизменение сопротивления относительно терморезисторов, находящихся на периферии и измеряющих температуру корпуса изделия, что, в свою очередь, вызывает разбаланс 25 схемь .При измерении давления (.разряжения) падающий непосредственно на мембрану тепловой поток вызывает разогрев тензосхемы, что ведет к дополнительной погрешности, которую можно скорректировать за Ь счет информации об уровне этого теплового потока, повышающего точность измерения давления.В свою очередь, изменение давления, вызывающее изменение характеристик изме- й рителя теплового потока, также может быть учтено.Коммутация соответствующих элементов (термо-и тензорезисторов) позволяет проводить выборочные и одновременные измере- б ния воздействующих параметров; при этом источник питания может быть для всех схем один, что экономит количество проводов в жгуте и повышает надежность системы в целом. 20Например, на фиг. 2 терморезисгоры 7 и 9, расположенные в центре мембраны, соединены в мостовую схему с терморезисторами 8 и 10, расположенными по периферии. При воздействии теплового потока по 2 б мембране возникает градиент температур,пропорциональный интенсивности тепловогопотока. Этот градиент может быть измеренмостовой схемой.формула изо бретениеУстройство для измерения неэлектрических величин, наптщмер, температуры, содержащее монокристаллический упругий чувствительный элемент, например мембрану из прозрачного материала и размещенные на ней полупроводниковые тонкопленочные монокристаллические тензо-и терморезисторы, включенные в измерительную схему, отличающееся тем, что,сцелью повышения точности и расширения диапазона применения устройства, в центре мембраны дополнительно размещены термоэлементы, включенные в измерительную схему.Источник информации, принятый во внимание при экспертизе:1. Полупроводниковый датчик давления "Кристаллф, Ж, Приборы и системы управления, М 7, 1974 г (прототип)536406 иг Составитель А. АстТехред М, Семенов вКорректор В, Салка едактор Т, Иванов аказ 5850/1 Т ДНИИПИ Госуда ираж 814 Подписноерственного комитета Совета Министров СССделам изобретений и открытий, Ж, Раушская наб., д, 415 113035, Мос Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4
СмотретьЗаявка
2160539, 01.08.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3759
АЛЕШИН ВИТАЛИЙ СЕРГЕЕВИЧ, СЕМЕНОВ ВЛАДИМИР ФЕДОРОВИЧ, СОКОЛОВ АЛЕКСЕЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ХАСИКОВ ВИКТОР ВЛАДИМИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01K 17/08
Метки: величин, неэлектрических
Опубликовано: 25.11.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-536406-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-neehlektricheskikh-velichin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения неэлектрических величин</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения температуры
Следующий патент: Тензорезисторный датчик давления грунта
Случайный патент: -инозилцистеин (5)-2-амино-2карбокси-этил (-5-тиоинозин), проявляющий регенерирующее действие на живые ткани