H01J 9/12 — фотоэлектронных катодов; электродов с вторичной электронной эмиссией

Номер патента: 581742

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Афонина, Климин, Сотникова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: электронов, эмиттера

...в объеме фотоэлектронногоприбора 2.При этом способе сложна технология при активировании эмиттера вфотоэлектронном приборе при комнатной температуре,Цель изобретения - упрощениетехнологии,Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводникови других элементов фотоэлектронногоприбора, в частности фотокатода идинодов, что упрощает технологию 10 прибора.Примером изготовления эмиттераэлектронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным...

Номер патента: 696557

Опубликовано: 05.11.1979

Авторы: Белопотапова, Гусельников, Пастухова, Филимонова

МПК: H01J 9/12

Метки: приборов, фотоэлектронных

...устанавливать держатели ФЭП 7 как для фотоэлементов, так и для электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей.Между верхним и нижним отсеками камеры формирования расположена подвижная перегородка 9, соединенная с ме ханизмом перемещения 10. Перегородка 9 имеет форму прямоугольника, в левой части которого сделано круглое отверстие 1 1, а в правой части углубление 12 для размещения активатора фотокатода 5.Перегородка 9 может находится в дЬух фиксированных положениях: в край 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 нем правом положении (показано пунктиром на фиг. 1), когда через отверстие 11 верхний и нижний отсеки камеры формирования соединены, и в крайнем левомрабочем положении, когда углубление 12с активатором...

Номер патента: 698072

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Лейко, Майская, Сургина

МПК: H01J 9/12

Метки: прибора, сохраняемости, фотоэлектрического

...утомления, после утомления ипосле выдержки проводят измерениеспектральной чувствительности фотокатода в абсолютных единицах; БЛН)Оспектральная чувствительность фотокатода на данной длине волны .до утомления, ЯЛ - спектральная чувствительность фотокатода на данной длиневолны после утомления, БЛв - спектральная чувствительность фотокатода на данной длине волны после выдержки.Затем количественно определяютвосстанавливаемость спектральной чувствительности фотокатода ВЛ на данной длине волны по формуледн дав,:- -% -Ьли25Сопоставление изменения чувствительности фотокатода в процессе утомления и в период 200 часовой выдержки сделало возможным в качеелъе,информативного параметра ввести ноную величину ВЛ, характеризующую вос...

Номер патента: 741071

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Кокина, Левитин

МПК: H01J 9/12

Метки: спектрозонального, фотокатода

...Фотокатода прореагировал со щелочным металлом, а на поверхности катода не образовался еще слой свободного,не связанного в стехиометрическое соотношение щелочного металла.С целью предотвращения заметного падения чувствительности Фотокатода в области (.)с) необходимо производить отгонку излишков щелочного металла прогревом прибора не до минимума Фототока ИЛ , а прекратить отгонку воф)момент достижения минимального эначе" ,ння отношения ЭЛ /3) Это было установлено эмпирически, путем многочисленных экспериментов, позволившихвыявить укаэанную закономерность.Предложенным способом были изготовлены теллур-цезиевые Фотокатоды спектрозональных,ФЭУ для ультрафйо летовой области спектра, максимум спектральной чувствительности которых должен быть в...

Номер патента: 748572

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Айнбунд, Вильдгрубе, Ковнер, Лопатина, Финогенов, Шестак

МПК: H01J 9/12

Метки: приборов, фотоэлектронных

...15 (камера 2)и 1 б (камера 3), которые могут перемещаться разделяя или соединяя объемы основной (1) и дополнительных(2,3) камер, На дне дополнительныхкамер 2 и 3 расположены люки 17 и18, через которые осуществляетсязагрузка узлов и выгрузка готовогоприбора. Для удобства работы механизмы вертикального перемещенияснабжены магнитами, а в дополнительных камерах установлены кассеты 19из магнитного материала.йа поворотной карусели 12 имеются отверстие 20, которое совмещаетсяс позициями карусели при ее повороте 40 и через котороемогут свободно пере мещаться манипуляторы 13 и 14 и кассеты 19, и гнезда 21 для размещениякассет 19 с обработанными частямиприбора.45УстройствО работает следующим об разом (описываемая последовательностьявляется...

Номер патента: 775788

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Гявгянен, Искольдский

МПК: H01J 9/12

Метки: активирования, фотокатода

...сечении потока, достигшего отверстий каналов 3, выравнивается.Молекулярные пучки щелочных металлов, выходящие из каналов 3, попадают на Фотокатод 4, где сорбируются ранее нанесенным основным материалом Фотокатода (в нашем примере сурьмой), напыленной из испарителя 7, образуя в результате собственно Фотокатод, Распределение количества щелочного металла, наносимого на Фотокатод по его поверхности каждым отдельным молекулярным пучком,. зависит от геометрических размеров канала 3 и взаимного пространственного расположения канала 3 и Фотокатода 4, а количество поступающего щелочного металла зависит, кроме того, от давления над входным отверстием канала. Формирование многочисленных пучков иэ одного потока позволяет обеспечить практически...

Номер патента: 824338

Опубликовано: 23.04.1981

Автор: Масленков

МПК: H01J 9/12

Метки: ochobe, активировки, вторично-электронныхэмиттеров, меди, сплавов

...способа на поверхности эмиттера образуется тонкая пленка окиси активного компонента сплава, препятствующая испарению компонента из эмиттера.Превышение общей суммы произведений величин давления в конце прогрева и времени прогрева на каждой ступени связано с глубокими окислениями, в результате которого образуются толстые диэлектрические пленки, приводящие к изменению условий движения, рассеяния и выхода, вторичных электронов, а также обуславливают полевую эмиссию. Уменьшение этого значения приводит к невозможности достижения достаточного коэффициента вторичной эмиссии. 20Способ реализуется следующим образом. 9Опускаемый вакуумный объем с эмиттерами иэ сплава СцА 1 Мд откачивается до давления 9 10Па, Далее следует 5 прогрев со...

Номер патента: 832619

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Лысенкова, Мельникова, Смолицкий, Стеркина

МПК: H01J 9/12

Метки: прибора, фотоэлектрон-ного

...трубки.Предварительная жесткая установка монтажа распылителя во время монтажа арматуры позволяет с необходимой точностью установить распылитель в любом заданном месте монтажа.Отсутствие подвижных элементов позволяет производить заварку арматуры в бал- ЗО лон, напайку баллона на откачной пост, не изменяя положения распылителя.Вытягивание распылителя через штенгель путем размягчения нагревом последнего позволяет при удалении распылителя при 35 кладывать к нему значительное механическое усилие и удаление его из мест, расположенных не на одной оси с направлением вспомогательной трубки, причем траверсы распылителя могут многократно перегибаться, соприкасаясь с деталями арматуры и бал лона во время их вытягивания из...

Номер патента: 879672

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Кутенин

МПК: H01J 9/12

Метки: вторичной, коэффициента, неравномерности, электронной, эмиссии, эмиттера

...чего определяют неравномерность КВЭЭ Ф из следующего соотношения:б О-Огде С - КВЭЭ при облучении всей поверхностиО - максимальный, а б - минимальный КВЭЭ.Для эмиттеров с отрицательным электронным средством (ЭОС) неоднородность КВЭЭ Ф определяют из соотношения 0-ф щ ,б(В эффективных эмиттерах разница между участками с максимальным и )минимальным КВЭЭ может быть значительной. Поэтому справедливо предположить, что существуют две группы поверхнОстей 6,( и 62 с резко отличающимися КВЭЭ О и 62 соответственное Тогда 5 Я+ Бд и б б + бяСуммарный йоток первичных электронов 3 состоит из первичных элект ронов, падающих на поверхностьр.,-3( и из первичных электронов, падающих на поверхность 32- (". Эти потоки вызывают соответственно потоки вто и...

Номер патента: 900343

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Андреев, Воронин, Константинов

МПК: H01J 9/12

Метки: приборов, фотоэлектронных

...от нее сильфоном 10 10 1 э 20 25 Эо ке заготовка фотокатода 3. Внутренняя полость цилиндра 18, обособленная от основного объема камеры 1, а также объем камеры 1 соединены вакуумопроводом 19 с основным электроразрядным насосом 20. В активировочном узле 5 проводится один из основных технологических процессов - формирование на стеклянной подложке фотокатода прибора. На фланце 21 активировочного узла 5 размещены испарители 22, токовводы 23, датчики. Имеется система разогрева 24 и охлаждения 25, смонтированная на правом боковом фланце 26 камеры 1 и вверху окно 27 для подсветки. Слева камера 1 снабжена смотровым окном 28. Камера 1 вместе с отсеком 4, насосами 14, 20 смонтирована на шарикоподшипниковых опорах 29 поворотного стола 30,...

Номер патента: 766388

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Костин, Филимонова

МПК: H01J 9/12

Метки: приборов, фотоэлектронных

...верхнего фланца 3 загружают анодный узел 7, для чего обойму с толкателем 13 переводят в крайнее правое положение, а после загрузки - возвращают в отсек 11. Камеру 1 вакуумноплотно герметизируют, уплотняя подложку фотокатода 2 между верхним фланцем 3 и прижимным фланцем 4. Затем камеру 1 и отсек 11, имеющий самостоятельную откачку, откачивают до давления 10 в- 10- мм рт. ст., обезгаживают в течение 5 ч при 300 С и после достижения рабочего давления охлаждают до комнатной температуры.Держатель 6 переводят в крайнее верхнее положение, перекрывая при этом отсек 11 с анодным узлом 7. Уплотнение обеспечивается за счет малого зазора между наружным диаметром держателя 6 внутренним диаметром камеры 1, Затем электронным лучом обезгаживают анодный...

Номер патента: 1053184

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Кокина, Лаврут, Семенова, Фармаковский, Шувалов

МПК: H01J 9/12

Метки: испаритель, фоточувствительного

...испарение Фоточувствительного материала при обезгаживании и обеспечить механическую прочность испарителя при монтаже и эксплуатации прибора. Толщина защитной пленки должна находиться в пределах 1100-3000 А. При толщине защитной пленки на испарителе менее 1000о1100 А не наблюдается. эффекта защиты Фотоэмиссионного слоя от преждевременного испарения при обезгаживании ФЭП. Пленки толщиной более 1100 А относятся ктолстым пленкам и по структуре являются сплошными. Защитные пленки из металлов толщиной 1100-3000 А обеспечивают подавление диффузии Фото- эмиссионного материала при обезга45 живании ФЭП. При формировании фото- катода фотоэмиссионный материал проходит через металлическую защиту и осаждается на фотокатод. Этот эффект можно...

Номер патента: 1080224

Опубликовано: 15.03.1984

Авторы: Болашенкова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: прибора, электровакуумного

...предусматриваетдопустимое увеличение давленияводорода до атмосферного. Времяпрогрева в водороде не является критичный параметром технологическогопроцесса. В реальных условиях минимальное время составляет минуты,так как за меньшее время труднообеспечить установившийся режим прогрева, Увеличение же времени донескольких часов и более ведет кнеоправданному затягиванию процесса изготовления прибора,Кроме прогрева в атмосфере водорода могут быть включены проводимые в различной последовательности известные технологические операции изготовления ОЭС-эмиттеров, втом числе прогревы в вакууме, в парахщелочного металла, различные видыобработки в атмосфере кислорода ит,д. Обработка полупроводника в атмосфере водорода способствует удалению...

Номер патента: 1095266

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Баскаков, Клепов, Смолкин

МПК: H01J 9/12

Метки: прибора, сборки, узел, узла, фотокатодного, фотокатодный, фотоэлектронного

...на глубину, равную толщине наружной рамки держателя. Следовательно указанное устройство сложно в изготовлении.Известно устройство для сборки Фотокатодного узла фотоэлектронного прибора, содержащее держатель подложки, соединенный с толкателем и прижимными элементами 2 1.Недостаток известного устройства заключается .в невозможности многоразового использования держателя сложной конструкции.Целью изобретения является упрощение конструкции узла с фотокатодом, изготовленным методом переноса, а также обеспечение воэможности многоразового использования.Поставленная цель достигается тем, что фотокатодный узел фотоэлектронного прибора, содержащий металлическую манжету с центральным прямоугольным окном и размещенную в немплоскопараллельную...

Номер патента: 1295953

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Сырцев, Фельдман

МПК: H01J 9/12

Метки: вакуумного, микроканальной, пластиной, прибора, фотоэлектронного

...составляет 3 мм, сами электроды изготовлены из ковара,диэлектрчческое кольцо 8 - из керамики ВК- -2,электроды б, 7 и кольцо 8 соединены пайкой, устойчивая автоэлектронная эмиссия наблюдается при напряжении между электродами 6 и 75 кВ, Эмиссиявозникает на неоднородностях электрода 6, находящегося под отрицательным потенциалом, как правило, в месте его соединения с кольцом 8. В силу аксиальнойсимметрии электрода б и кольца 8 точкиавтоэмиссии располагаются по окружностиРасстояние между электродом 6 ивходной плоскостью МКП выбрано из усдовия равномерного облучения ИКП потоком электронов. Онодолжно быть неменьше .рабочего диаметра МКП и определено экспериментально.Эффективное обезгаживание МКП дос.тигается электронной бомбардировкой втечение...

Номер патента: 1563485

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Александров, Денисов, Лещиков, Смирнов

МПК: H01J 9/12

Метки: барьерной, закрепления, микроканальной, пластины, пленки, поверхности

...до полного совмещееЕя поверхностей ИКП 6 и слоя 7 исходного материала двухслойной пленки,1 еобходимость вертикального перемеще" опя столика 5 вызвана возможным появлением морщин на двухслойной пленке при ее неточном опускащ 1 и на поверхность МКП 6. Исходное расстояние межДу столиком 5 и Двухслойной плеякой может быть любьпч. Например, при рас"стоянии 20-30 мкм можно в случаенеобходимости производить ионную чистку в разряде соприкасающихся поверхностей исходного материала и поверхности МКП 6.После совмещения поверхностей МКП6 и слоя исходного материала двух-.слойной пленки в зазоре между держа"телем 4 и катодом 3 зажигают нормаль-ный тлею 5 ций разряд с плотностью тока0,5-2,0 мЛ/см и областью отрицательного тлеющего свечения в...

Номер патента: 1816329

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Костин, Котелянский, Лузанов, Филимонова

МПК: H01J 9/12

Метки: фотокатода

...подвергают ионной обработке, а перед осаждением фотоэмиссионного слоя доращивают стравленный при обработке проводящий слой до заданной толщины. Это позволяет повысить интегральную чувствительность фотокатодов и улучшить качество передачи изображения при коротких временах экспозиции. Стеклянную подложку, выполненную изтекла С 52 подвергают ионному травлению течение 0,5 часов ионами аргона с энергией 1 кэ 8, Затем на подложку наносят прозрачный проводящий слой из )п 20 з (Яп 02) толщиной 0,3 мкм, который вновь подвергают обработке ионами аргона в течение 15 мин, при этом проводящий слой утонялся до .;0,15 мкм. Далее этот слой доращивапи до первоначальной толщины повторным напылением. После этого на проводящем слое формируют...

Номер патента: 1809696

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Глуховской, Денисова, Таслицкий, Цыганова

МПК: H01J 9/12

Метки: умножителя, фотоэлектронного

...источника 30сурьмы от паров щелочных металлов, которая достигается в заявляемом техническомрешении,На чертеже представлены сравнительные гистограммы распределения значений 35параметра "нестабильность приборов", изФормула изобретения. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТО ЭЛЕКТРОННОГО УМНОЖИТЕЛЯ, содержащий напыление сурьмы на фотокатод из основного источника, обработку фотокатода и динодов парами щелочных металлов и нанесение на внутреннюю 45 поверхность колбы слоя сурьмы из дополнительного источника. отличающийсяФтем, что, с целью повышения стабильготовленных по серийной технологии (кривая 1) и по предлагаемому способу (кривая 2),Предлагаемый способ изготовления ФЭУ реализуется следующим образом, Двполнительные источники сурьмы (шарик сурьмы 0,4...

Номер патента: 1376825

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Изотова, Лейтейзен, Мельникова, Смирнова, Смолицкий

МПК: H01J 9/12

Метки: сурьмянокалиево-натриевого, фотокатода

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУРЬМЯНОКАЛИЕВО-НАТРИЕВОГО ФОТОКАТОДА, включающий прогрев подложки в парах щелочных металлов и поочередное напыление на горячую подложку слоев сурьмы, натрия и калия с последующим прогревом при 200 - 280oС, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости до 230oС и долговечности при 200oС, прогрев подложки в парах щелочных металлов ведут при 180 200oС до получения на подложке слоя со световой чувствительностью не менее 0,8 мкА/лм, при этом в качестве щелочных металлов используют калий и цезий.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что прогрев подложки ведут сначала в парах цезия до получения слоя со световой чувствительностью 0,1 0,3 мкА/лм, а затем в парах...

Номер патента: 1314858

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Арм, Лейтейзен, Мельникова, Пятахин, Смолицкий

МПК: H01J 9/12

Метки: сурьмяно-калиево-натриевого, фотокатода

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУРЬМЯНО-КАЛИЕВО-НАТРИЕВОГО ФОТОКАТОДА, включающий прогрев источника сурьмы в парах калия и поочередное напыление на горячую подложку слоев сурьмы, натрия и калия, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, стабильности при температурах до 200oС и выхода годных, одновременно с прогревом сурьмы в парах калия на горячую подложку напыляют слой калия при давлении насыщенных паров калия, соответствующем температуре 170 200oС, до достижения чувствительности 0,1 0,3 мкА/лм, а последующее напыление сурьмы ведут до перехода чувствительности через максимум и уменьшения ее до 20 60% от максимума.

Номер патента: 1149812

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Асташкин, Егорова, Коротков, Цыганов

МПК: H01J 9/12

Метки: полупрозрачного, фотокатода

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОЗРАЧНОГО ФОТОКАТОДА на основе соединений АIIIВV, включающий последовательное нанесение с помощью эпитаксии на полупроводниковую подложку переходного и активного слоев, совмещение полученной эпитаксиальной структуры со стеклом путем термокомпрессии, удаление подложки и промежуточного слоя и активирование фотокатода, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода, термокомпрессию ведут в парах цезия при давлении 10-5 - 10-2 Па в течение 10 20 мин.

Номер патента: 1780445

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Белянченко, Таслицкий

МПК: H01J 9/12

Метки: прибора, фотоэлектронного

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРА с кислородно-серебряно-цезиевым фотокатодом, включающий формирование фотокатода, подпыление дополнительного слоя серебра на фотокатод и прогрев прибора до получения максимального значения фототока фотокатода, отличающийся тем, что, с целью увеличения световой чувствительности фотокатодов, прогрев прибора проводят при температуре 160oС, причем подпыление серебра и прогрев прибора проводят не ранее чем через 24 ч после изготовления прибора и повторяют эти операции с тем же интервалом времени до прекращения роста фототока фотокатода.

Номер патента: 1063233

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Костин, Филимонова, Чистякова

МПК: H01J 9/12

Метки: полупрозрачного, фотокатода

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОЗРАЧНОГО ФОТОКАТОДА, включающий напыление на прозрачную подложку слоя серебра окисление до полной прозрачности и прогрев при температуре 200 20oС в парах цезия при давлении (1 - 5)-2 мм рт. ст. до достижения максимума чувствительности фотокатода, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в видимой области спектра оптического излучения за счет уменьшения сопротивления поверхностного слоя, после окисления серебра наносят слой сурьмы прозрачностью 60 80% окисляют его до полной прозрачности, а при прогреве в парах цезия дополнительно...

Номер патента: 1322895

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Губанов, Тараскина

МПК: H01J 9/12

Метки: фотокатода

Способ изготовления фотокатода на основе антимонидов щелочных металлов, включающий обработку подложки фотокатода парами цезия и напыление сурьмы в парах щелочного металла с проведением контроля за процессом, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уменьшения темнового тока, обработку подложки цезием ведут при температуре 160-180oС до появления фототока, а напыление сурьмы осуществляют при контроле за ростом фототока до его максимального значения, при этом процесс напыления сурьмы в парах цезия проводят при температуре 160-180oС, а в парах калия и натрия при температуре 180-200oС.

Номер патента: 1537064

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Лебедева, Мелехов, Чунтонов, Яценко

МПК: H01J 9/12

Метки: источника, металла, пара, щелочного

Способ изготовления источника пара щелочного металла, включающий смешивание щелочного металла с галлием, гомогенизацию и плавление смеси в вакууме в открытой капсуле при температуре, превышающей температуру плавления интерметаллического соединения щелочного металла с галлием, кристаллизацию смеси и герметизацию капсулы с интерметаллическим соединением, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, щелочной металл и галлий смешивают в стехиометрическом соотношении, а герметизацию осуществляют промывкой капсулы в воде при 30 - 50oC в течение 3 - 5 мин.

Номер патента: 1487740

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Лебедева, Мелехов, Чунтонов, Яценко

МПК: H01J 9/12

Метки: источник, металла, пара, щелочного

1. Источник пара щелочного металла, содержащий капсулу, выполненную из токопроводящего материала в виде стакана, внутри которого размещены рабочее вещество из интерметаллического соединения щелочного металла с галлием и вакуумно-плотная заглушка из галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, заглушка выполнена толщиной 0,5 - 8,5 мм и размещена непосредственно на поверхности рабочего вещества.2. Способ изготовления источника щелочного металла, включающий смешивание щелочного металла с галлием, гомогенизацию и плавление смеси в капсуле, размещенной в зоне нагрева в вакууме при температуре, превышающей температуру плавления интерметаллического соединения щелочного...

Номер патента: 1314859

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Михина, Орлов, Прагер, Трофимова, Чунтонов, Яценко

МПК: H01J 9/12

Метки: паров, приборов, фотоэлектронных, цезия

Устройство получения паров цезия для изготовления фотоэлектронных приборов, содержащее источник цезия, помещенный в герметичную оболочку из токопроводящего материала, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты паров цезия и уменьшения газовыделения, источник цезия выполнен в виде соединения CsGa3, а оболочка содержит вакуум-плотную заглушку из галлия.