Способ активировки вторично-электронныхэмиттеров из сплавов ha ochobe меди

Союз Советских Социалистических Республико 1824338 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ 1) Дополнительное к т. саид 22) Заявлен 21) 2752257/18-25 3.0 4.79 с присоединением заявки Мо Н 01 У арствеииый СССР елам изобр и открытиата опубликова писания 2304.81,П,Масленков СПОСОБ АКТИВИРОВКИ ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННЫХЭМИТТЕРОВ ИЗ СПЛАВОВ НА ОСНОВЕ МЕДИ ктивировмиттеров содержаную обрапрогрева 2 диап ечени г тем Изобретение относится к технологии изготовления фотоэлектронныхприборов, содержащих. диоды из сплавных эмиттеров на основе меди.Известен способ согласно которому эмиттеры прогревают в колбах с последующим окислением, Чередование прогрева и окисления проводят несколько раз. После монтажа в прибор эмиттеры подвергают прогреву и окислению 11.Недостатком такого способа является длительное вхождение приборов в режим, нестабильность анодного тока, нелинейность световой характеристики. Известен также способ аки вторично - электронных эиз сплавов на основе меди,щий предварительную вакуумботку, включающую операциюв диапазоне температур 200-500 С иофинишную обработку эмиттеров, включающую операции прогрева и окисления 2.Недостатком этого. способа является низкая стабильность коэффициентавторичной эмиссии,Цель изобретения - повышение стабильности коэффициента вториЧной эмиссии. Укаэанная цель достигается тем,что в способе активировки вторичноэлектронных змиттеров из сплавов наоснове меди, содержащем предварительную вакуумную обработку эмиттеров,включающую прогрев в диапазонетемператур 200-500 С и финишную обоработку эмиттеров,включающую прогреви окисление, прогрев на стадии предва 10 рительной обработки проводят многоступенчато, при этом на каждой ступени значение произведения величиныдавления в конце прогрева на времяпрогрева находится в пределах 5 -став :то в Па/с, гле И - число ступеней прогрева, С целью упрощения тенологии на этапе предварительной обработки эмиттеры прогревают притемпературе 190-210 С при давлении О в конце прогрева в диапазоне 2 107"10Па в течение не менее 50-0 минповышают температуру до 290-310 С ипроводят прогрев при давлении в конц-4продрева в диапазоне 8 10 25 2,510Па в течение не менее 5060 мин, повышают температуру до 390410 С и проводят прогрев при давлений в конце прогрева в азоне8 10 - 2,510 фПа в т е не менее 50-60 мин, повышаю пературу824338 Формула изобретения Составитель В.Белоконь Редактор Л,Кеви ТехредН.Граб Корректор М. КостаЗаказ 2137/78 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д,4/5Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 до 490-510 С и проводят прогрев при давлении в конце прогрева в диапазоне 210- 710 4 Па в течение не менее 80-90 мин.В результате использования способа на поверхности эмиттера образуется тонкая пленка окиси активного компонента сплава, препятствующая испарению компонента из эмиттера.Превышение общей суммы произведений величин давления в конце прогрева и времени прогрева на каждой ступени связано с глубокими окислениями, в результате которого образуются толстые диэлектрические пленки, приводящие к изменению условий движения, рассеяния и выхода, вторичных электронов, а также обуславливают полевую эмиссию. Уменьшение этого значения приводит к невозможности достижения достаточного коэффициента вторичной эмиссии. 20Способ реализуется следующим образом. 9Опускаемый вакуумный объем с эмиттерами иэ сплава СцА 1 Мд откачивается до давления 9 10Па, Далее следует 5 прогрев со ступенчатым повышением температуры: эмиттеры прогревают при температуре 200 С в течение 60 мин-2 при давлении в конце прогрева 6 10 Па, затем повышают температуру до 300 С и прогревают эмиттеры 60 мин при давлении в конце прогрева 2.10Па, повышают температуру до 400 С и выдерживают эмиттеры в течение 60 мин нри .давлении в конце прогрева 2 10 Па. Затем поднимают температуру до 500 С и прогревают эьиттеры 90 мин при давлении в конце прогрева 7 10 Па, Затем объем с эмиттерами охлаждают до комнатной температуры. Не стадии финишной обработки диодную систему 40 монтируют в оболочку прибора, нагревают систему до 450-520 С, выдерживают при этой температуре до давления (3-6) 10Па в течение 1,5 ч, окисляют эмиттеры при давлении 1,3- 45 13 Па .в течение 5-,10 мин, откачивают кислород, нагревают динодную систему до 450-520 С.и выдерживают при этой температуре в течение 50-60 мин.Предварительная обработка осуще ствл 4 ется в оболочке прибора. Монтаж происходит как на воздухе, так и в вакуумном манипуляторе.В результате использования способа созданы высокостабильные приборы для фотометрии. Кроме того, значительно сокращается время активировки: при использовании известныхспособов предварительная обработкасоставляет 14 ч, при использованииданного способа - 5 ч,1. Способ,активировки вторичноэлектронных эмиттеров из сплавовна основе меди, содержащий предварительную вакуумную обработку эмиттеров, включающую прогрев в диапазоне температур 200-500 С и финишнуюобработку эмиттеров, включающую прогрев и окисление, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повыше-ния стабильности коэффициента вторичной эмиссии, прогрев на стадии предварительной обработки проводят многоступенчато, при этом на каждой ступени значение произведения величиныдавления в конце прогрева,на времяпрогрева находится впределахПа/с, где И - число ступеней прогрева,2. Способ по и. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью упрощениятехнологии, на стадии предварительнойобработки эмиттеры прогревают притемпературе 190-210 С при давлениив конце прогрева в диапазоне 2 10-7 10 Ла в течение не менее 50-60 мин,повышают температуру до 290-310 Си проводят прогрев при давлении в-4конце прогрева в диапазоне 8105 10.Па в течение не менее. 50-60 мин,повышают температуру до 390-410 Си проводят прогрев при давлении в- 4конце прогрева в диапазоне 8 10510 Па в течение не менее 50-60 мин,повышаюттемпературу до 490-510 Си проводят прогрев при давлении вконце прогрева в диапазоне 210 4 -710 4 Па в течение не менее 80-90 мин. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Соболева Н.А. и Меламид А.Е. Фотоэлектронные приборы. М., Высшая школа, 1974, с. 216, 219. 2. Авторское свидетельство СССР У 611263, кл, Н 01 Ч 39/06, 23.05.76