G01K 7/22 — с резисторами, имеющими нелинейную характеристику, например с терморезисторами

Номер патента: 265494

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Богаенко, Бортимков, Горковенко, Институт

МПК: G01K 13/08, G01K 7/22

Метки: вращающихся, многоточечное, объектов, температуры

...с роликом компенсационного реохорда 13.20 Напряжение, снимаемое с реохорда, поступаета другую обмотку неподвижного магнитопровода, образуя таким образом обратную связь. Различным величинам разбаланса измерительного моста соответствует определен оеопольеие двия;ка реохорда, йеремещаюгцегося вдоль шкалы 14,Подключение датчиков ведут через кнопкууправления 16, которая замыкает цепь питания электромагнитов 16. Магнитные потоки 30 электромагнитов замыкаются через вращаю 265494щийся диск 17, с которым они взаимодействуют, вызывая его торможение. Для увеличения момента электромагнитного торможения диск может быпгь выполнен зубчатым.Торможение диска, а вместе с ним и ведущей оси редуктора 18, приводит к перемещению ползунка вращающегося...

Номер патента: 266272

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дмитренко, Комаревский, Коноводченко, Украинской, Физико

МПК: G01K 7/22

Метки: болометр, сверхпроводящий

...плоскости разреза припаивается индием стеклянная иликварцевая пленочная подложка 3 толщиной2 - 3 мк, размером 0,3 х 10 мм, Слой индия 4наносится горячим паяльником карандашного типа на концы подложки и торцовую по.верхность блока таким образом, что он образует электрический и тепловой контакт междукаждой из половин блока и рабочей оловянной пленкой б, нанесенной на подложку испарением в вакууме, Толщина пленки 600 -700 А, Пленка сконденсирована на подложкубез трафарета и полностью покрывает ее поверхность.Так как подложка в результате специальноразработанной технологии ее изготовленияимеет совершенно равные, гладкие края, пленка не имеет краевых неоднородностей и размытия, Поэтому промежуточное состояниетаких пленок лежит в...

Номер патента: 267125

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Белоус, Марко, Стражалковский

МПК: G01K 7/22

Метки: домашних, переносной, прибор, проверки, электрохолодилбников

...3, мультивибратор 4, выполненный 20 на транзисторах 5 и б, счетчики 7 и 8 импульсов общего и рабочего времени, двухполюсник 9 для измерения температуры, выполненый в виде уравновешенного моста, в одно из плеч которого включено термосопротивление 10 25 (или 11, или 12), а в диагональ включен микроамперметр 13, проградуированный в значениях температуры, Для шунтирования амперметра и ваттметра предусмотрена кнопка 14.Все измерительные цепи электрически связо заны,посредством реле 15, 1 б и выключателей17, 18 и 19.Для питания электрических цепей имеются трансформаторы 20 и 21 и выпрямители 22 и 23.Питание на прибор подается непосредственно от сети. Вольтметр 1 измеряет напряжение сети. Выключателем 17 подается напряжение (127 в или 220...

Номер патента: 273475

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Головченко, Мартовицкий, Супрун, Чеботарев

МПК: G01K 7/22

Метки: сигнализатор, температуры, трехпозиционный

...сопротивление 7 на собстгецный анод. Управляющие электроды тирпсторов 2 и 3 включены на общую точку анодцой нагрузки (ламп) через 10 регулируемые сопротивления 8 и 9, соединенные последовательно с термистором 10. Кроме того, управляюгцие электроды тиристоров 2 и 3 включены через диоды 11 и 12 в их проводящем направлении ца анод тиристора 1.15 Сигнализатор работает следующим образом,При нормальной температуре контролируемого обьекта сопротивлениями 7 - 9 устанавливают такие величины токов в цепях управления тиристоров, при которы. первым откры вается опорный тиристор 1 на каждом проводящем полупериоде сетевого напряжения, В этом случае управляющие электроды тиристоров 2 и 3 шунтируются по цепи; диоды 11 и 12 и тцристор 1, то исключает...

Номер патента: 275465

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Зарубин, Кривоногоз

МПК: G01K 7/22

Метки: температуры

...транзистора 7, коллектор ц эмцттер которого соединены друг с другом, ц вторичного прибора 8.Устройство работает следутощцм образом, Предварительно производится установка на нуль прц помощи переменного резистора 5 в зависимости от температурной характеристики транзистора 7. Для любой необходимой для данной температуры среды настройка осуществляется прц помощи переменного резистора б, после чего схема готова к работе. При изменении температуры среды падение напряжения на транзисторе 7 меняется и, следовательно, меняется потенциал между точками включенця вторичного прибора 8, что регистрируется этим прибором. При этом резисторы 8, 4 берутся высокоомнымц, что позволяет получать линейную термометрическую характеристику устройства. Это...

Номер патента: 288353

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Крнвоносов, Московский

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, температуры

...элемента, источник питания и резистор нагрузки.Предлагаемый датчик отличается тем, что он снабжен двумя послвдовательно соединенными с катодом или анодом четырехслойного управляемого переключающего прибора резисторами, средняя точка которых через третий резистор подключена к его аиоду или катоду.Это позволяет повьгсить точность измерения и обеспечить взаимозаменяемость термочувствительных элементов.Схема устройства представлена на чертеже.Датчик состоит из источника питания 1, резистора нагрузки 2, постоянных резисторов д - б и управляемого четырехслойного переключающего прибора б в качестве термочувствительного элемента.В частных случаях один из постоянных резисторов может отсутствовать.В качестве термочувствительного...

Номер патента: 321700

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Мгебр, Носов

МПК: G01K 7/22

Метки: ishtb, rvntfjipt, всесоюзная, ис7, ьйь

...тока. Сопротивление выбирают в пределах 0,5 - 1 сопротивления диода прп прзпего нзмерптельноо тока.Например, прн импульса тока через диодболее 100 иа, сопротивление его падает до едицнц оль Прн подключении параллельно диоду сопротивления 100 ол выполняется необходихОе условие и практически весь разогреваОщнй ток протекает через нспыгываамый диод. Посла окончания разогреваопаго импульса тока дп(фуз 1 юнную емкость диода (послапнгкакцноннуО э.д.с.) разряжают чараз параллельное сопротивление за врамя, меньшее 1 лксек, до импульсов тока 2 - 3 а. Прн этом возникает возОжность пз мерсния температуры р - п-перехода рассматриваемого д;ода через время меньшее 1 ксек после окончаннч разогревающего импульса прямого тока. Без данного...

Номер патента: 289308

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Кривоносое

МПК: G01K 7/22

Метки: температуры

...питания.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что в нем между базой и коллектором транзистора включены последовательно резистор и источник питания постоянного напряжения, подсоединенный минусовой клеммой к базе, параллельно которому подключен делитель напряжения, состоящий из двух резисторов, средняя точка которого через измеритель тока подсоединена к эктиттер тран зистора.те ь На чертеже изображена схема предложенного устройства.Устройство состоит из транзистора точника питания 2, измерителя тока 3 стоянных резисторов 4 - б. Устройство работает следующим образом, Предварительно производится настройка на цель при помощи резистора 5. Эта настройка осуществляется для любой необходимой для данного случая температуры среды,...

Номер патента: 289309

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Кауфман, Кривоносов

МПК: G01K 7/22

Метки: полупроводниковое, температурной

...известно, выходные вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов изменяются в зависимости как от температуры среды, так и от управляющего тока. Изменяя ток управления, можно добиться в определенном режиме работы транзистора, тиристора или другого полупроводникового управляемо го прибора компенсации изменения выходных параметров от влияния температуры среды. Очевидно, что для этого в управляющую цепь полупроводникового управляемого прибора необходимо включать термочувствительный 10 элемент. Ток, проходящий через этот элемент,является током управления и меняется таким образом, чтобы компенсировать изменение выходных характеристик вследствие влияния температуры.15 Транзисторы в схемах с общим эмиттером иобщей базой, а...

Номер патента: 293184

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Любимов

МПК: G01K 7/22

Метки: преобразования, температуры, частоту

...в части разованием измерИзвестны устро температуры в ча зистор, включеннь преобразователя, поненциальную входы нуль-органЭто устройство линейной зависим стоты от темпер цнснты, 4 - нуль-орган, 5 - генератор временного интервала, 6 - выход.Термистор 1 включен на вход функционального преобразователя 2, в качестве которого может быть использован, например, операционный усилитель. Выход функционального преобразователя 2 подключен ко входу нульоргапа 4. 1 другому входу нуль-органа 4 подключен выход блока 8, моделирующего экспоненциальную функцию, который может быть реализован, например, в виде конденсатора, разряжающегося через резистор. Между выходом нуль-органа и блоком 3 включен генератор 5 временного интервала, выполненного например,...

Номер патента: 296965

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Кауфман, Кривоносое

МПК: G01K 7/22

Метки: температуры

...средняя точка которого через резистор подсоединена к эмиттеру транзистора. На чертеже представлеиа схема предлагаемого устройства,Устройство состоит из транзистора 1, источника 2 питания, измерителя 8, постоянных резисторов 4, 5 и б, переменного резистора 7.Устройство работаег следующим образом. Предва рительно производится настройкана нуль при помощи резистора 5, которая осуществляется для любой необходимой для данного случая температуры среды. После этого схема готова к работе.При изменении температуры среды меняется коллекторьпяй ток транзистора, что регистрируется измерителем т. При этом величина сопротивления рези-тора 5 берется мень ше сопротивления резистора 4, что позволяетполучать положительное смещение коллектора и...

Номер патента: 300784

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бусыгин, Кривон, Кувшинов, Старовойтов

МПК: G01K 7/22, G05D 23/24

Метки: лирования, ре1, температуры

...вентилятора, пропорцио альная скорости вращения ведомой части :уфты, изменяет нагрев или охлаждение двиг теля.Электро агнитная муфта состоит из ведущего вала , вращающегося в подшипниках 7; ведущего т вгнитопровода 8, жестко связанного с валов б; неподвижной обмотки индуктора 9; ротог10, изготовленного из мягкой стали и имею,его многополюсную магнитную систему с по юсами 11; ведомого ротора 12, содержащего диамагнитную вставку, в которой крепится ц линдрический магнитопровод 18 с многополю ной системой 14 и короткозамкнутой обмотт й 15, свободно вращающегося относительно вала б и ведущего ротора 10 на подшипник х 1 б; неподвижного индуктора с магнитопр юдом 8 и неподвижной обмоткой индуктораУстройст о работает следующим образом,...

Номер патента: 302624

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бого, Долгов, Карманов, Кривоносов, Кругликов, Сандулова, Слепов

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, температуры

...термочувствительный элемент, известны. Однако такие устройства недостаточны точны, чувствительны, стабильны, надежны, а диапазон рабочих температур не очень высок.Описываемое устройство отличается от известных тем, что в нем чувствительный эле мент выполнен из антимонида алюминия. Это позволяет повысить чувствительность, точность, стабильность, надежность, линеаризовать температурную характеристику, расширить температурный диапазон, получить по ложительный и отрицательный температурные коэффициенты.Посредством газотранспортных реакций выращиваются монокристаллы антимонида алюминия в виде игл и усов. Иглы получаются 20 в сечении круглые, четырехгранные или шестигранные диаметром от 20 до 100 х 1 к, усы диаметром от 1 до 20 лк....

Номер патента: 311151

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бузин, Кривоносое, Лыткари, Маркович, Свистунов, Трушин, Цыренов, Шадрин

МПК: G01K 7/22

Метки: температуры

...цепочка, состоящая цз полу- ЗО проводнцкового ого цаправлешш н п Б постоянного резистора.Это позволяетпростить схем цадежность ее работы.На чертеже представлена схема мого устройства для измерения и р нця температ ры,Устройство состоит цз трацзцст цагреватсльцого элемента 3, испол рслс 4, торморезцстора 5, стабцлитр термокомпецснрующего элемента в проводццкового диода 8, источника постоянны.; резисторов 10 - 14 ц п резистора, выполцеццого в виде рез и 16. В качестве термокомпенсирующего элемец. а используется полупроводниковый диод 8, смещенный в прямом цаправлеццц. параллельо которому включен постояццый резистор 14, Устройство содержит двухкаскадный усилитель ца транзисторах 1 и 2 типа и - р - и ц .г - и - р и мостовую...

Номер патента: 324510

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кривоносое, Ксенофонтов, Папков, Райнов, Смыслов, Суровиков

МПК: G01K 7/22, G01P 15/08

Метки: величин, неэлектрических

...периферийная часть которой Зо служит для закрепления ее в корпусе. Такой элемент является унифицированным, поскольку может быть использован в датчиках для из. мерения различных неэлектрических величин, при этом в зависимости от назначения датчика меняется лишь конструкция его корпуса.На чертеже приведена конструкция предлагаемого устройства.Предлагаемое устройство состоит пз чувствительного элемента 1, выполненного в виде язычка, образованного криволинейной прорезью 2 в пластине 3 монокристалла.На обеих сторонах чувствителыного элемента по интегралыной технологии выполнена полупроводниковая схема 4, от которой выведены напыленные металлические дорожки 5, оканчивающиеся пятачками 6.Периферийная часть защищает чувствительный...

Номер патента: 336537

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гаджиев, Гарибов, Гусейнов, Лещинский

МПК: G01K 7/22

Метки: датчика, температуры, чувствительный, элемент

...состоящей из транзистора стора Кком и емкости изменяется от 530 до 350 к ме лавинног зуют времязат температуры ора 1 и соотгенератора, ы от - 50 до няется линеймер, в схеме,2 Т 312 Б, рези аф, частота 5 ед и ет из о бр етения нного диффум режиме раэлемента дат. Применение инверсно включзионного транзистора в лавинн 20 боты в качестве чувствительногочика температуры. схема описываемого иффузионного трап еже показ стоящего тчик Изобретение относится к технике измере ния температуры.Известные датчики температуры, выполненные на полупроводниковых приборах, имеют резко нелинейную зависимость от температуры, большой разброс параметров, Поэтому их нельзя применять для точных измерений.Предлагаемый датчик отличается тем, что в качестве элемента,...

Номер патента: 336538

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Пельц

МПК: G01K 7/22

Метки: приращения, температуры

...потенциалов на полярных срезах пироэлектрического кристалла, подвергнутого механической нагрузке характеризуетсянедостаточной чувствительностью.Для повышения чувствительности предлагается способ, по которому к кристаллу при- .10кладывают механическую нагрузкупропорциональную приращению температуры и измеряют суммарную пьезо- и пироэлектрическуюразность потенциалов, по которой и судят обизмеряемой величине. 15Механическую нагрузку выбирают такой,чтобы возникающие пьезо- и пироэлектрическая разности потенциалов совпадали по направлению. В зависимости от вида кристаллаи среза кристалл подвергается механическому 20напряжению сжатия, растяжения или сдвига. Механическая нагрузочка должна быть про. порцнональной,приращению температуры, что...

Номер патента: 340910

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Борис, Кришталь, Кюздени, Панчук

МПК: G01K 7/22

Метки: датчиков, кварцевого, резонатора, температуры

...частоте Рр=28 Мгц, ТКЧ=3,5 10 -1/С, допустимое отклонение а не должно выходить за пределы 10 гц/С от номинала, а допустимое отклонение ТКЧ при этом -1-0,110- 1/С. Для обеспечения повторяемости ТКЧ с таким отклонением для измерения температуры с вышеупомянутой точностью необходимо производить срез кристалла кварца с погрешностью, не превышающей единиц секунд угла, Современные станки позволяют ориентировать угол среза с погрешностью 30", поэто.му неизбежен брак датчиков температурыиз-за разброса ТКЧ,Цель изобретения - повышение выхода5 годных резонаторов и повышение удобстваизмерений,Для этого по предлагаемому способу задают величину произведения РТКЧ и известным способом подгоняют резонансную часто 10 ту заготовки до получения указанного...

Номер патента: 342083

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Буд, Кривоносов, Московский

МПК: G01K 7/22

Метки: разности, темнератур

...типа и-р-и; 3, 4 - резисторы в цепи коллектора; 5, б - МОП- транзисторы во .времязадающих цепях; 7, 8 - конденсаторы;5 9 - 12 - полупроводниковые диоды в обратном включении; 13 - 16 - подстроечные резисторы; 17 - источник питания.Раббота схемы заключается в следующем.Полевой транзистор управляется напряже нием входного сигнала, подаваемопо на егозатвор. Напряжение входного сигнала снимается со средней точки термочувствительной цепочки 9 - 12. Величина входного сигнала определяется значением измеряемой разности 15 темпе,ратур двух сред.Применение в качес пве термочувствитель.ной цепочки двух, последовательно соединенных полупроводниковых диодов в обратном включении позволяет получить высокую тер мочувствительность подобной цепи по...

Номер патента: 347593

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Анатычук, Ах, Лусте, Стаднык

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, низкотемпературный, резистивный, температуры

...н а концах двух вз аметров диска, с правлениями осей ия системы конт высокую точность лектропроводности ктрическ ускания ложен ы рных дт 45 с на орцецтац наиболееотропии э ем, что датчик изготовлен йЬЬ с анизотропной элеквиде плоского круглого 25 в крисгаллографической етырьмя контактами, расщах двух взаимно перпецров диска, составл яющ 1 х и кристаллографическимн 30 Это достигается т из монокристалла С тропроводностью в диска, вырезанного плоскости (100), с ч положенными на ко дикулярных диамет угол 45 с главным тношеция а= -озз 222Изобретение рии и может н для измерения, пературы. Лат собой резистив лом температу ные резистивные ные и полупросопротивления, ичаются высокой очно низких темнагреть до комвновь охладить, сные эффекты и...

Номер патента: 347594

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Карманов, Кривоносов, Кругликов, Сандулова

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, температуры, утнд

...от известных тем, что его чувствительный элемент выполнен в виде моцокристалла кремния нитевидной и игольчатой формы с концентрацией примесей 3 10 а - 15 5 10 а атотгсна.Моцокристаллические иглы и нити кремния получают по методу газотранспортных реакций (крцсталлизацией из газовой фазы с помощью компонента - растворителя). Этот ме тод позволяет получить монокристаллы кремния более высокой чистоты по сравнению с исходным материалом, и в зависимости от технологических условий монокристаллы кремния различных диаметров и длин. Монокристаллы 2 кремния, полученные этим методом, имеют форму правильного шестигранника, обладают зеркальной поверхностью, лишенной поверхпостных дефектов, и не требуют дополнительной механической...

Номер патента: 354288

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Смол

МПК: G01K 7/22

Метки: термодатчик

...материала.Это позволяет лицеаризовать выходную характеристику. При предварителдатчике непосредствературы возможно прния потенциометра 5этого сопротивлениявключенным состоянтнием вклточения ц вьрованцом сопротивлечик автоматически пеяния в другое привблизи 7 хстДиод 7 служит дляности порога переклю ртеже потчцка,содерж,3,4,повые дионого цапутогцего11 датчидатчик риму 10о напря азана принципиальная схем ристор 1, рези- конденсатор б, м 9 источника м 10 источника еплопроводный зажимы 12, 1 З. ющим образом. точник пульсиего амплитуду ит диодныи ти тецциометр 5, ды 7, 8, зажт ряжения, зажи напряжения, т а, выходныеаботает следу подключают ис жения, причем вительпрепят. величения чу ния датчика На четермодаСхемасторы 2крем циепостоя...

Номер патента: 403972

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Борис, Панчук, Сопрунопнч, Якопсико

МПК: G01K 7/22

Метки: изменения, сигнализации, скорости, температуры

...устройства.Устройство содержит термопару 1, опсрдционпый усилитель 2, сдвоенный М 011-грнзистор 3, запомшающие конденсаторы 4 и 5,ключ 6, реле 7, индикатор 8 и итгрузочпе резисторы 9 и 10,Устройство работает следующим образом.Термо-э. д. с. от термопары 1 подается навход операционного усилителя 2 в шпеграль 15 ном исполнении, на выходе которого сигналпропорционален температуре.Усиленное напряжение поступает и дифференциальный выходной каскад, собранныйна сдвоенном МОП-транзисторе 3, выполняющем кроме функции усиления и оперативноезапоминание, для чего включаются конденсаторы 4 и 5 в цепи затворов и ключ 6.Напряжение с выхода управляет выходнымреле 7, срабатывание которого сшналпзирусто превышении задашоц скорости пзхенс 1...

Номер патента: 406132

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Илованов, Климов, Коган, Кривоносов, Маркович, Погодин

МПК: G01K 7/22

Метки: впте

...полупровод-пикового материала па оспове смеси двуокиси титана Т 10, окиси кобальта СоеОз и вападиевокислого аммония К 114 ЧОз. Однако отмечается псдостаточпо высокая чувствительпость, надежность и долговечность.10Цель изобретения - повышение чувствительпости, падежиости и долговечности. Для этого в предлагаемом датчике стеклянная изоляция панесена непосредственно па рабочий элсмспт, подогреватель помещен спару жи слоя сгскляппой изоляции, а состав материала стержпя рабочего элемента взят в соотпошсппи 20 - 21% Т 102. 18,5 - 19,5% Сое 03. : 59,о - -61,5% М 1-14 ъОз.На чс 11)теке изооражеи температ 1 эоуп 1 эав лясмый высокочувствительный датчик. Датчик имеет рабочий элемент 1, стеклянную изоляцию 2, подогреватель д и токоподтодящие...

Номер патента: 361398

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Громов, Кривоносое, Мышев

МПК: G01K 7/22

Метки: температуры

...на фиг. 1 устройства можно установить одинаковый температурный коэффициент тока в цепи эмиттера и начальную З 0точку отсчета температуры. В таком состоянииустройство может быть использовано для измерения температуры среды или поверхноститела, при этом отсчет температуры производится непосредственно по показанию регист- З 5рирующего прибора 4. Использование транзисторной структуры с особым включением,при котором коллекторный и эмиттерныер-и-переходы смещены в,прямом направлении,позволяет значительно снизить роль поверхности на вольтамперную характеристику и существенно повысить стабильность термочувствительности датчика, поскольку при такомвключении величина эмиттерного тока изменяется с температурой только вследствие изменения...

Номер патента: 369430

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01K 7/22

Метки: 369430

Номер патента: 371600

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Колоколов, Лебедев

МПК: G01K 7/22, G08B 19/00

Метки: изменении, сигнализации

...меняться в5 10 15 го 30 35 40 широких пределах в зависимости от температуры среды.В исходном положении, когда управляющий сигнал на входе А отсутствует, конденсатор 11 заряжен до напряжения источника питания, транзисторы б, 7 и 13 закрыты, диод 12 заперт и на выходах Б и В сигналы не наблюдаются,На вход А ключа б подаются управляющие прямоугольные импульсы отрицательной полярности низкой частоты, которые дифференцируются конденсатором 8 и резистором 9. Транзистор 7 открывается на короткие промежутки времени, коммутируя плечо моста с терморезистором 4.Если в момент коммутации сопротивление терморезистора 4, уменьшаясь вследствие повышения температуры, достигает расчетной пороговой величины, то транзистор б открывается и на выходе Б...

Номер патента: 414497

Опубликовано: 05.02.1974

Авторы: Всесоюзный, Губанов, Конструкторскшпшститут

МПК: G01K 7/22, H04B 15/00

Метки: измерениях, импульсного, низких, подавления, прецизионныхдистанционных, промышленной, температур, частоты, электрическихпомех

...время между цмпульсамц и усилением полученного сигнала.Настоящий способ позволяет полностью исключить влияние помехи сетевой частоты на результат измерения и обеспечить высокую точность датчика прц прецизионных дистанционных измерениях низких температур.На фиг. 1 приведена часть блок-схемы цз- О мерительной системы, реализующей предлагаемый способ; на фиг. 2 - временные осццллограммы, показывающие форму выходного сигнала соответствующего элемента блоксхемы.5 Датчик 1 подключен к источнику 2 напряжения постоянного тока через ключ Кь который управляется генератором 3 импульсов синхронизированным с сетспо 4 питания ц обеспечивающим следование импульсов с удво- О енной частотой сети. Импульсы, промодулцЗаказ 524/12 И Подписно ЦНИИПИ Госуд...

Номер патента: 415514

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: G01K 7/22, H03K 17/08

Метки: 415514

...пли веп.илем 1, иапряхкепис в точке соедппе);и.; терморезпстора 2 и резистора 3 станов)г)с равным нулю, срабачяваст ипвсртор 4 и па гыходе схемы ИЛИ 6 появляется сигнал аварии 1 вь)сод Б). Возврат схемы в исходное положеьие после ликвидации причины аварийного состояния может быть произведен при помощи кнопки, включаемой, например, параллельно терморезистору 2 и заппрающе;, у вентилю 1. Сигналы, снимаемые с выходов В и Б, позволяют легко определить причину, вь)звавшу о аварийное состояние схемы. Устройство для коптроля температуры, содержащее тсрморезистор, включенный после дива)слыло с резистором в цепь источника питаппя, о т л и и а и щ е е с я тем, что, с целью защиты терморезистора от саморазогрева и коптроля обрыва соединительных...

Номер патента: 435462

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Айвазов, Добровольский, Изобретени, Коган, Кривоносое, Маркович, Новиков, Серебр

МПК: G01K 7/22

Метки: «фпггттпг)пд, бцп, датчик, температурывп

...области контактн атуры, содержащие увствительный элен и подключенный темпе термо в балл ме.т недостаток - огранидел измеряемых темпераредмет изобретения Датчи 10 воднико мещеннь рительн с целью рения 15 мочувст кого сулпол мен устранения указанного недостатка вительный элемент выполнен из льфида таллия (Т 123).же показана конструкция датчика. , в который введены электрические подключенные к измерительной показанной на чертеже, заполнен ид Изобретение отно термометрии. Известны датчики полупроводниковый мент, помещенный к измерительной сх Однако, они име ченный верхний прУРС целью ермочувст жидкого суНа черте Баллон 1 ы воды 2, хеме, не к температуры, содержащии вый термочувствительный эле й в баллон и подключенныи ой схеме, отличающийся...