Полупроводниковое устройство с температурной

Номер патента: 252957

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бернд, Герольф, Иностранна, Карл, Рудольф, Эгон

МПК: G01K 7/02

Метки: агрессивных, непрерывного, средах, температуры, термоэлектрического

...устройства, попруженного в атрессивную среду, так, что более глубоко расположенные спаи последовательно вступают в действие по мере разрушения оолее мелко расположенных горячих спаев.Схема предлагаемого устройсгва приведена на чертеже. Корпус,1 устройства закреплен в стенке печи 2, например, бессемеровского конвертера,и,выступает,в область агрессииной среды (расплавленный металл) из изнашиваю- щейся футеровки 3. Горячие спаи термопар 4 запрессованы в корпус или впечены в него,на разных расстояниях от изнашивающейся по. верхности. Корпус является общим термоэлектродом для нескольких термопар (в данном случае для трех термопар), а другие термоэлектроды 5 пропущены через изоляторы и 5 подходят каждый к отдельному спаю.Целесообразно...

Номер патента: 1352246

Опубликовано: 15.11.1987

Автор: Мазуренко

МПК: G01K 7/16

Метки: значения, неоднородным, полем, среднего, среды, температурным, температуры, участков

...подключает соответствующий усилитель 5 к блоку 7 регистрации.Такое включение проводных термопреобраэователей позволяет выделить напряжения, пропорциональные сопротивлению и, соответственно, средней температуре отрезка, равного разности Ь длины между первым 2,1 и вторым 2.2, вторым 2.2 и третьим 2,3 и т.д. термопреобразователями. При наличии и проводных термопреобразователей . имеется (и) значение средних температур участков среды длиной Ь, расположенных по длине всего термопреобразователя, так как длина первого термопреобразователя 2.1 используется только для компенсации подводящих проводов второго термопреобразователя. Формула изобре т ения35 40 50 55 Каждый пороговый термопреобразова 3 тель (фиг. 2) состоит из прямого и...

Номер патента: 1416942

Опубликовано: 15.08.1988

Авторы: Гаврилов, Дубровин, Ершов, Родюшкин, Филатов

МПК: G05B 23/02, H02H 7/10

Метки: воздушной, окружающей, полупроводниковых, предельной, преобразователей, среды, температуры

...параметры находятся .вдопустимых пределах, понижают температуру преобразователя и окружающей среды до нормальной, снова измеряют контролируемые параметры ианализируют их. Если параметры, измеренные до и после понижения темпера -туры, не расходятся между собой болеедопустимых пределов, то переходят на 40новую, более высокую температурнуюступень окружающей среды и .преобразователя и снова производят при достижении температурного равновесияизмерение и анализ контролируемых45параметров, после чего снова понижают температуру окружающей среды ипреобразователя до нормальной с последующим измерением и анализом контролируемых параметров.50Такие измерения с постепенным повышением ступеней температуры окружающей среды производят до тех пор,....

Номер патента: 294252

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H03K 17/66

Метки: динамический, мдп-транзисторах, элемент

...выход 8. 2Устройство работает следующим образом.Пусть в исходном состоянии на входе 7 элемента поддерживается высокий уровень напряжения, достаточный для отпирания транзистора 4 (эпюра 7, фиг. 2). Первый тактовый импульс (эпюра 5, фиг. 2) открывает транзистор 2, и конденсатор 1 заряжается от источника постоянного напряжения питания до потенциала, соответствующего высокому уров ню. По окончании первого импульса на входб подается второй тактовый сигнал (эпюра 6, фиг. 2), который через открытый транзистор 4 воздействует на затвор транзистороа 3 ц отпирает последний. За время действия второго 15 тактового импульса конденсатор 1 разряжается через канал открытого транзистора 3, и на выходе 8 устанавливается низкий уровень напряжения (эпюра 8,...

Номер патента: 277856

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...транзистора 4 и стоковой области транзистора 2. Запоминающий эле мент имеет вход 9 для подачи восстанавливающего сигнала. Описываемый элемент не требует постоянного источника питания,Открытое состояние одного из транзисторов 1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на паразитных конденсаторах 7 и 8 благодаря подаче на вход 9 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения (цепи записи информации в запоминающий элемент и цепи считывания на чертеже не показаны).Предположим, что транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт. Такое состояние запоминающего элемента может сохраняться, если паразитный конденсатор 7 заряжен, а паразитный конденсатор 8 разряжен. Если...