Датчик температуры•: утнд
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 347594
Авторы: Карманов, Кривоносов, Кругликов, Сандулова
Текст
О П И С А Н И Е 347594ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскнл Социалистнческик РеспубликЗависимое от авт. свидетельства МоЗаявлено 04,11.1970 (Лв 1407445/18-10) М, Кл. б 011 с 7/2 исоединением заявки Мо Приоритет Комитет по делам зобретеннй н открытий при Совете Министров СССРвковано 10.Ч 111,1972. Бюллетень Мв 24 УДК 536,531(088.8) ата опубликования описания 04.1 Х.19 Авторыизобретения ф. Карманов, А, В, Сандулова, А, И. Кривоносов, И. И, П. Богоявленская и Э, А. Спичак Опытно-экспериментальный школьный завод гликов,аявител АТЧИК ТЕМПЕРАТУР тся к тепловым измере Изобретение относи циям.Известные приборь туры, содержащие по проводциковые чувс основе окислов, хара ными чувствительцос стабильностью, точи температурным диапа для измерения т ликристаллически твительные элеме ктеризуются нед тью, воспроизводи остью и огран зоном. емпсрае полунты на остаточмостью, чепцы м 1 редм ет изобретени Предлагасмыи датчик не имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что его чувствительный элемент выполнен в виде моцокристалла кремния нитевидной и игольчатой формы с концентрацией примесей 3 10 а - 15 5 10 а атотгсна.Моцокристаллические иглы и нити кремния получают по методу газотранспортных реакций (крцсталлизацией из газовой фазы с помощью компонента - растворителя). Этот ме тод позволяет получить монокристаллы кремния более высокой чистоты по сравнению с исходным материалом, и в зависимости от технологических условий монокристаллы кремния различных диаметров и длин. Монокристаллы 2 кремния, полученные этим методом, имеют форму правильного шестигранника, обладают зеркальной поверхностью, лишенной поверхпостных дефектов, и не требуют дополнительной механической обработки.Малые габариты датчика (база 2 - 10 ллг, диаметр 40 - 100 лин) улучшают динамические свойства датчика. Эти датчики отличаются высоким сопротивлением (от 500 опт до 10 ко,н), концентрация примесей при этом соответственно будет равна 3 10 в - 5 10 а ато,т/с,нт. Область рабочих температур составляет - 196 - +600 С, чувствительность - примерно в пределах О,б - 6% на градус, Допустимые токи для кремния 0,1 - 1,0 гна.Принципиально возможно получение монокристаллпчсскцх нитей диаметром до 1,чк. Сопротивление прибора может составлять несколько десятков килоом и оолее. Датчик температуры, содержащцц полупроводниковый термочувствительцый элемент ц выводы, от,гичаюигийся тем, что, с целью повышения чувствительности, воспроизводимости, стабильности, точности, а также с целью расширения температурного диапазона, термочувствительцый элемент датчика выполнен в виде монокристалла кремния нитевидной ц игольчатой формы с концентрацией примесей 3 10 а - 510 а атот с,н,
СмотретьЗаявка
1407445
Опытно экспериментальный школьный завод
В. Ф. Карманов, А. В. Сандулова, А. И. Кривоносов, И. А. Кругликов
МПК / Метки
МПК: G01K 7/22
Метки: датчик, температуры, утнд
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-347594-datchik-temperatury-utnd.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик температуры•: утнд</a>
Предыдущий патент: Низкотемпературный резистивный датчик температуры
Следующий патент: Всесоюзная iluahti0-teilflkjai1, иг. лио-ал j
Случайный патент: Порошковый сплав