Мгебр

Номер патента: 321700

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Мгебр, Носов

МПК: G01K 7/22

Метки: ishtb, rvntfjipt, всесоюзная, ис7, ьйь

...тока. Сопротивление выбирают в пределах 0,5 - 1 сопротивления диода прп прзпего нзмерптельноо тока.Например, прн импульса тока через диодболее 100 иа, сопротивление его падает до едицнц оль Прн подключении параллельно диоду сопротивления 100 ол выполняется необходихОе условие и практически весь разогреваОщнй ток протекает через нспыгываамый диод. Посла окончания разогреваопаго импульса тока дп(фуз 1 юнную емкость диода (послапнгкакцноннуО э.д.с.) разряжают чараз параллельное сопротивление за врамя, меньшее 1 лксек, до импульсов тока 2 - 3 а. Прн этом возникает возОжность пз мерсния температуры р - п-перехода рассматриваемого д;ода через время меньшее 1 ксек после окончаннч разогревающего импульса прямого тока. Без данного...