Всесоюзная: л» rvntfjipt-; “.: , -: li. ishtb i. ns.: ; gt; amp; йь; ис7: нд

Номер патента: 321700

Авторы: Мгебр, Носов

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Сооа Ссйетсти 1 Ссциалистичесиии РеспубликЗависимое от авт, свпдетельс Гза Л" аявлено 12.Х ПРИСОЕДИНЕПриоритет 1969 ( 138478418-1 ПК 6 011 722 1 ем заявки М Комитет с иаооретений ори СоветеСССР о делами открытийМинистров Опубликовано 19.Х 1.1971, Бю УДК 536.531(088.8) стань бликования описан.1.1972 ат вторыобретен и Р, Г. Мгебрян и Ю. Р. Н аявител ПОСОБ ИЗМЕРЕН ИЯ ТЕМП ЕРАТУР ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ 1 Х- и-ПЕРЕХ ОВ отекании чере Изобретение относится к области тепловых измерений и может найти применение для исследований тепловых режимов полупроводниковых диодов в импульсном режиме работы.Известные способы измерения температуры р - и-перехода полупроводниковых диодов путем разогрева их импульсами прямого тока характеризуются погрешностью измарания, обусловленной конечным временам (спада послеинжекционной э.д.с.) рассасывания заряда неравновесных носителей, накопленного в базе за время протекания тока нагрева.По предлагаемому способу шунтируют исследуемый диод резистором, величину сопротивления которого выбирают не менее чам на порядок больше сопротивления диода, при протекании через него тока нагрева, производят температурную калибровку вышеуказанной цепочки, пропускают через нее ток нагрева и по измерецному изменению падения напряжения на ней судят об искомой величине.Г 1 редложенн.й способ позволяет польс 1 пь точность измерения.Калибровку прямого падения напряжения на цепочке диод - параллельное сопротивление проводят при малом измерительном токе, подаваемом от генератора постоянного тока. Сопротивление выбирают в пределах 0,5 - 1 сопротивления диода прп прзпего нзмерптельноо тока.Например, прн импульса тока через диодболее 100 иа, сопротивление его падает до едицнц оль Прн подключении параллельно диоду сопротивления 100 ол выполняется необходихОе условие и практически весь разогреваОщнй ток протекает через нспыгываамый диод. Посла окончания разогреваопаго импульса тока дп(фуз 1 юнную емкость диода (послапнгкакцноннуО э.д.с.) разряжают чараз параллельное сопротивление за врамя, меньшее 1 лксек, до импульсов тока 2 - 3 а. Прн этом возникает возОжность пз мерсния температуры р - п-перехода рассматриваемого д;ода через время меньшее 1 ксек после окончаннч разогревающего импульса прямого тока. Без данного сопротивления нослаин кекциошая э.д.с. спадает в те енна нескольких десятков икросекунд.Прп измерении температуры р - и-переходавыполняют следующие операции:устанавливают температурную зависимостьпря.; ого падения напряжения диода с парал лально подключенным к нему сопротивлением нри малом прямо;тока;разогревают диод импульсом прямого тока; подклпочают параллельно испытываемомудиоду указанный резистор, величина которо.30 го много больше сопротивления диода в мо321700 Составитель И. ДубсоиТекред 3. Тараненко Редакгор С, Хейфиц Коррекор Н. Коваленко Заказ 3944,1 О Тираж 473 Подписное1 НИИПИ Ко 1 нитета по делан изосбреге 1 пй и открглтий при Советс Министров ССС 1Москва, Ж, Раушскаи паб., л. 45 Типографии, гр. Гаи иова, 2 мент протекания Греощего импульса тока и в то же время мала для обеспечения быстрого спада послеинжекционной э,д.с.;измеряют температуру р - и-перехода по величине изменения прямого падения напря. ЖСНИЯ, СООТВЕТСТВУЮЩЕГО МаЛОМУ ЦЗМЕРГГгЕЛЬ- номъ току. Предмет изобретеццяСпособ измерения температуры р - 11-перехода полупроводниковых диодов путем разогрена его импульсами прямого тока, от,1 пнагоцийся тем, что, с целью повышения 1 очности, шунтируют исследуемый диод резисто ром, величину сопротивления которого выбирают не менее чем на порядок больше сопрстивлеция диода, при протекании через це 1 О тока нагрева, производят температурну 1 о ка.лиоровку вышеуказанной цепочки, пропус.кают через нее ток цагрева и по измеренному 1 О изменению падения напряжения ца цей судягоо искомой величине.

Смотреть

Заявка

1384784

Р. Г. Мгебр, Ю. Р. Носов

МПК / Метки

МПК: G01K 7/22

Метки: ishtb, rvntfjipt, всесоюзная, ис7, ьйь

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-321700-vsesoyuznaya-l-rvntfjipt-li-ishtb-i-ns-gt-amp-jj-is7-nd.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Всесоюзная: л» rvntfjipt-; “.: , -: li. ishtb i. ns.: ; gt; amp; йь; ис7: нд</a>

Похожие патенты