Сызранов
Диэлектрический фильтр
Номер патента: 1640753
Опубликовано: 07.04.1991
Авторы: Ильченко, Лис, Сызранов, Трубин
МПК: H01P 1/205
Метки: диэлектрический, фильтр
...1 представлена конструкция диэлектрического фильтра, разрез; на фиг. 2 -то же. вид сверху,Диэлектрический фильтр содержит диэлектрический блок 1, поверхности которого 10частично или полностью металлизированыи в котором выполнены чередующиеся металлизированные резонаторные отверстия2 и неметаллизированные отверстия связи3, На поверхности диэлектрического блока 151 и резонаторных отверстий 2 под металлизацию 4 нанесена диэлектрическая пленка5, величина диэлектрической проницаемости которой меньше диэлектрической проницаемости диэлектрического блока 1. 20Металлизированные площадки 6 и 7 служатсоответственно входом и выходом диэлектрического фильтра,Устройство работает следующим образом. 25Высокочастотный сигнал, поступающийсо стороны...
Способ возведения фундамента
Номер патента: 1620543
Опубликовано: 15.01.1991
Авторы: Ковалев, Наумов, Сызранов
МПК: E02D 27/01
Метки: возведения, фундамента
...раствора; на фиг. 4 - то же, перед повторным погружением обоймы; на фиг. 5 - то же, после повторного погружения обоймы и нагнетания раствора; на фиг. 6 - профиль с готовым фундаментом.Способ осуществляют следующим образом.На поверхности водонасыщенного грунта 1, подстилаемого несущим минеральным слоем грунта 2, отсыпают с уплотнением слой глинистого грунта 3 оптимальной влажности, на который в месте будущего фундамента отсыпают сыпучий жесткий материал (щебень) 4. На этот материал устанавливают обойму 5, имеющую открытый нижний и закрытый верхний торцы. Объем полости обоймы близок к объему отсыпанного жесткого материала. Обойму 5 забивают в грунт:и губину не менее высоты внутренней по,ъктобоймы, после чего в сыпучий материал 1роз...
Фильтр свч
Номер патента: 1619361
Опубликовано: 07.01.1991
Авторы: Ильченко, Сызранов, Трубин
МПК: H01P 1/20
...чем проницаемость материала диэлектрических резонаторов 4.Фильтр СВЧ работает следующим образом.Входной сверхвысокочастотный сигнал, поступающий на отрезок линии 1 25 передачи со стороны входа 2, в полосе пропускания поступает на выход 3 благодаря возбуждению диэлектрических резонаторов 4 при соответствующей их настройке на центральную частоту полосы пропускания.Выполнение покрытия поверхности диэлектрических резонаторов 4 с помощью диэлектрической пленки 5, проницаемость материала которой больше, чем проницаемость материала диэлектрических резонаторов 4, обеспечивает увеличение концентрации электромагнитного поля колебаний диэлектрических резонаторов 4 преимущественно 4 О внутри их. При этом вне диэлектрических резонаторов...
Фильтр
Номер патента: 1479977
Опубликовано: 15.05.1989
Авторы: Лис, Люстик, Мирских, Сызранов
МПК: H01P 1/203
Метки: фильтр
...фильтр,Фильтр содержит диэлектрическуюподложку 1, на одной стороне которойнанесено заземляющее основание 2,а на другой размещен полосковыйпроводник 3, и коаксиальные резонаторы 4, каждый из которых установлен состороны заземляющего основания 2 иприжат элементом 5 крепления, который размещен во внутреннем проводнике о коаксиального резонатора 4и соединен с полосковым проводником3 через отверстия 7 и 8, выполненные,соответственно в заземляющем основании 2 и диэлектрической подложке 1. Элемент 5 крепления выполненв виде " -обратной пружины, котораясвоей средней частью 9 прижата квнутреннему проводнику 6, а концами -к точкам 10, расположенным на окружности стыка внутреннего проводника6 и торцовой стенки 11 коаксиальногорезонатора...
Устройство для измерения толщины слоя жидкости на поверхности твердого тела
Номер патента: 1272104
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Билинец, Головач, Кондратьева, Сызранов
МПК: G01B 11/06
Метки: жидкости, поверхности, слоя, твердого, тела, толщины
...инфракрасной радесяцееи атисточника 1 излучения, пагеязая наисследуемую поверхность тзерцсга те -ла 5, проходит слои жидко:те 1 Отражается в точке С, вторична праха,гетслой жидкости и зятем няправлясгся(луч с) на регистрирующий ;вел 3.При этом пластина 2 выдвинута и непопадает в ход луча. В этом случаеимеет место ход луча па рабочему каналу, причем мощность излу гения, попадающего на регистрирующий узел 3,пропорциональна прапусканию слоежидкости на поверхности тверцагс тела 5, прапусканию паров жидкости надисследуемой поверхностью и коэффициенту отражения этой поверхности,Для создания Опарнога каняля впоследующий момент времени в ход луча от источникаизлучения при помо.щи виброприводя вводится пластина 2,При этом геаток...
Сверхвысокочастотный фильтр
Номер патента: 1246188
Опубликовано: 23.07.1986
Авторы: Бовкун, Згурский, Лис, Сызранов
МПК: H01P 1/203
Метки: сверхвысокочастотный, фильтр
...в ней, при этом конец 4 центрального проводящего стержня 3 соединен с металлизацией цилиндрической поверхности 2, а конец 5 через отверстие 6 в диэлектрической плате 7 соединен с полосковым проводником 8, размещенным на одной ее поверхности 9. Полосковые проводники 8 электромагнитно связаны между собой, а крайние из них электромагнитно связаны соответственно с входной и выходной микрополосковыми линиями 10 и 11. Торцовая поверхность 12 каждой диэлектрической втулки 7, к которой они обращены, снабжены металлизацией 14 и 15 соответственно и имеют электрический контакт между собой за счет пружин 16.В металлизациях 4 и 15 выполнены отверстия 17 и 18 соответственно, размещенные одни под другими (обозначены пунктиром). Размеры отверстий...
Свч-фильтр
Номер патента: 1177870
Опубликовано: 07.09.1985
Авторы: Мирских, Сызранов
МПК: H01P 1/20
Метки: свч-фильтр
...фун кциональнь . жностей СВЧ-фильтра за счегт корртац полосы пропусканиренфйппоглосы ре екции, а также подавления,рррзазф резонансных часцт аюнолосреепрог охающем режиме, О е яр "МФ Начертеже,изоб .ажена электрическая схуужагСВЧ-,фдвцтра,СВЧ-,фийьатр содержит расположенныеосно входную 1 и выходную 2 линии передачи, в зазоре которых располо жен диэлектрический резонатор 3, отрезок линии 4 передачи, первый 5 и второй 6 полупроводниковые диоды, управление которыми обеспечивается индуктивностями 7-9 и конденсатора ми 10 и 11. Отрезок линни 4 передачи через первый 5 и второй 6 полупроводниковые диоды подключен соответственно к входной 1 и выходной 2 линиям передачи, которые выполнены по лосковыми и располагаются на диэлектрической...
Устройство для глубинного уплотнения грунтов
Номер патента: 1134670
Опубликовано: 15.01.1985
Авторы: Андреев, Кириллов, Сызранов
МПК: E02D 3/10
Метки: глубинного, грунтов, уплотнения
...выполнен в виде жестко соединенного с камерой полого цилиндра, имеющего расположенную над поршнем перегородку с перепускным отверстием и торцовую заглушку, образующую над перегородкой полость, причем диаметр основного поршня превышает диаметр дополнительного.На чертеже изображено. устройство, разрез. Устройство для глубинного уплотнения грунтов имеет корпус 1, к верхней части которого жестко прикреплен полый цилиндр 2,20 25 30 35 двмпфера с торцовой заглушкой 3 и перегородкой 4, в последней выполнено перепускное отверстие (проточка) 5, расположенный под перегородкой 4 поршень 6, выполненное в нижней части корпуса 1 выхлопное отверстие 7, перекрытое клапаном 8, установленный над последним дополнительный поршень 9 меньше диаметра, чем...
Балансный синхронный детектор
Номер патента: 1128396
Опубликовано: 07.12.1984
Авторы: Бондаренко, Лис, Лупаенко, Мирских, Сызранов
МПК: H04B 1/26
Метки: балансный, детектор, синхронный
...подключенными к нему первым и вторым детекторами и вторым и третьим отрезками полосковых проводников, концевые отрезки которых являются входами для подключения источника сигнала и гетеродина, дополнительно введены поглотители,-подложка выполнена из ферритового материала, который нормально намагничен, первый и второй детекторы установлены на первомотревке полоекового проводника, к 1концам которого подключены второйи третий отрезки полоскового провод.ника, при этом отрезок полосковогопроводника между первым и вторымдетекторами выполнен с переменнойшириной так, что электрические длиныего краев различаются на величинукратную нечетному числу половиндлины волны, а в концевых отрезкахвторого и третьего отрезков полосковых...
Полосно-пропускающий фильтр
Номер патента: 1103308
Опубликовано: 15.07.1984
Авторы: Лис, Люстик, Мирских, Сызранов
МПК: H01P 1/203
Метки: полосно-пропускающий, фильтр
...полос пропускания.Для достижения цели в полосно-пропускающем фильтре, содержащем металличесч45кии корпус, в котором размещена диэлектрическая подложка, металлизированная с одной стороны, на другой стороне которой расположены полосковые резонаторы, связанные между собой, и входная и выходная линии передачи, йодключенные к крайним 5 О полосковым резонаторам, диэлектрическая подложка выполнена из двух частей, расположенных параллельно и обращенных одна к другой металлизированными сторонами, причем на одной из частей размещены входная линия передачи и часть полосковых 55 резонаторов, а на другой - остальные полосковые резонаторы и выходная линия передачи, при этом последние полосковые резонаторы, расположенные с одного конца разных...
Устройство для укладки раструбных труб
Номер патента: 1063955
Опубликовано: 30.12.1983
Авторы: Кизяев, Кириллов, Полевой, Сызранов
МПК: E03F 3/06
Метки: раструбных, труб, укладки
...для укладкираструбных труб, содержащее навешиваемый. на крюк грузоподъемногомеханизма несущий элемент и кинематически связанные с ним поворотныеот привода челюсти Ц .Однако известное устройство необеспечивает открытия приямков вместах стыковки труб, что требуетиспользования дополнительного оборудования,Цель изобретения - расширениефункциональных возможностей путемобеспечения открытия приямков в местах стыковки труб.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство для укладкираструбных труб, содержащее навешиваемый на крюк груэоподъемного ме-фханиэма несущий элемент и кинематически связанные с ним поворотныеот привода челюсти, снабжено.прикрепленными к кромкам челюстей с наружной их стороны с возможностью контакта своими...
Сверхвысокочастотный фильтр
Номер патента: 959191
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Мирских, Сызранов
МПК: H01P 1/20
Метки: сверхвысокочастотный, фильтр
...широком основании трапеции., наузкое основание трапеции нанесенопоглощающее покрытие, частично перекрывающее выборку, а диэлектрический 25 резонатор установлен вблизи разрыва.На чертеже изображен СВЧ фильтр.СВЧ Фильтр содержит входную 1и выходную 2 линии передачи, диэлект.рический резонатор 3, перпендикуляр 3 л но намагниченную Ферритовую пластину959191 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 7053/71 Тираж 630 ПоПодписное лиал ППП Патент ; г.ужгород, ул,Проектная11 4, на одну из сторон 5 которой нанесена металлизация, а на вторую сто-рону 6 нанесен ленточный проводник 7, выполненный в Форме трапеции и подсоединенный к входной 1 и выходной 2 линиям передачи. В ленточном 5 проводнике 7 выполнена выборка 8, образующая разрыв 9 в широком основании...
Револьверная головка к дыропробивному прессу
Номер патента: 727281
Опубликовано: 15.04.1980
Автор: Сызранов
МПК: B21D 43/14
Метки: головка, дыропробивному, прессу, револьверная
...головка к дыропробивномупрессу содержит два диска (на чертеже не изображены), установленные на станине 1 дыропробивного пресса. На одной из полуосей 2 жестко установлен диск 3 (дополнительный), на боковой поверхности которого выполнены радиальные пазы 4, а на станинепри помощи оси 5 установлен корпус 6 силового цилиндра. Шток 7 силового цилиндра жестко связан с одним из концов пластинчатой пружины 8, на которой смонтирован ролик 9, входящий в пазы 4 диска 3. Свободный конец пластинчатой пружины 8 жестко закреплен на станине 1, например при помощи винта 10.1 а г.1 г. иг. 3 Составитель 1 О. Жав Техред К, Буфрич Тираж 986 овКорректор Г, РешетнПодписное едактор О. Торгашеваказ 1028(6ЦНИЪП Государственного комитетаелам изобретений и...
Основание сооружений
Номер патента: 675141
Опубликовано: 25.07.1979
Авторы: Колманов, Миронов, Сызранов
МПК: E02D 31/12
Метки: основание, сооружений
...2, дренажную траншеюными в ней дренажными тру673обратным фильтром 5, Ья отвода фильтрующихся вод основание имеет коллектор в виде вертикальных водоотводных труб 6, пропущенных сквозь лессовую просадочную толщу 7 н заглубпенных в дре- нируюшие непросадочные отложения 8.Основание выполняют следующим образом.В пределах контура сооружсанйя" роют котлован глубиной, превышающей глубину заложения фундамента на величину толщины дренажного слоя 2. На дне котлована выкапывают дренажную тран шею 3. По Оси траншеи выбуривают вертикальные скважины на всю мощность просадочной толщи 7, которйе затем обсаживают водоотводными трубами 6 с заглубленйем последних в дреййрнойанйые полетелаюане отложения 8. Оно нотлонвие нлвиндтетсн с унлоном,...