Способ изменения концентрации примеси в полупроводнике

Номер патента: 445464

Авторы: Молчанова, Смирнова

ZIP архив

Текст

(51) М. Кл, В 011 17 34 осударственный комите Совета Министров ССС по делам изобретений УДК 621,315.592. Молчанова и Н. Б, Смир 1) Заявитель РАЦИИ ПРИМЕС ЗМЕНЕНИЯ 1(ОНЦЕ В ПОЛУПРОВОДН(54) СП 2 примеси в приповерхнос производстве полупрово или для лабораторных и качеств 0 - 32 н ь для частичнока вредных приримесей в случае объема материаИзобретение относится к технике очистки и легирования полупроводниковых и других материалов и может найти применение, в частности, в полупроводниковой промышленности.Известен способ изменения концентрации примеси в полупроводнике путем приведения его в контакт с проводящей средой с последующей выдержкой. Основным недостатком такого способа является введение примесей при высоких температурах.С целью проведения процесса при комнатной температуре предложено в качестве проводящей среды использовать ионопроводящую среду, например электролит.С целью регулирования ионного обмена через электролит целесообразно пропускать постоянный электрический ток.Для очистки полупроводника ве электролита можно использовать 3 раствор плавиковой кислоты.С целью легирования полупроводника медью в качестве электролита можно применять 20 - 30%-цый раствор едкой щелочи, содергкащий ионы меди в количестве 10 - 2 - 10 -г/л.Способ можно использоватго удаления из полупроводнимесей, для введения в него пнеобходимости легирования ла цлп введения тную область, при д.пиковых приборов сследований.5 П р и м е р 1. Пластину монокристаллического кремния (толщина 0,2 мм), легированного золотом, со следующими параметрами: р 40 ом см, и 10" см -р 820 в см - 2 сек- помещают в электролит - 32 н. раствор пла впковой кислоты марки 04 и выдерживают вцем в течение 100 час. Содержание золота в пластцце до проведения процесса 210" атом/см, после проведения - меньше,чем 10" атом/см, Электрофизические пара метры принимают следующие значения: р0,3 ом см, и 1,6 10" см в см сек .П р и м е р 2. Пластину монокристаллического арсенида галлия (толщина 0,2 мм) со 20 следующими параметрами: р 0,0005 ом см,п 10 сг смр 76 в см - сек -помещают в электролит - 30%-цый раствор едкого кали с добавкой 10 вг/л ионов меди. Затем через пластину в электролите пропускают в тече цие 24 час постоянный электрический ток катодного направления плотностью 5 10 васм , максимальное напряжение в цепи 3 в.Исходное содержание меди в пластине 510" ат/см, после проведения содержание 30 меди в объеме арсенида галлия 8445464 Составитель В, Пополитов Техред В. Рыбакова Корректор Е Мохова Редактор 3. Горбунова Заказ 1252/5 Изд. Мо 555 Тираж 651 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 210" атом/смз (медь, осевшую на поверхности, не учитывают). Электрофизические характеристики принимают следующие значения: р 0,0001 ом см, и 6 10" см з р 39 всм -сек - . Предмет изобретения1. Способ изменения концентрации примеси в полупроводнике путем приведения его в контакт с проводящей средой с последующей выдержкой, отл ич а ю щийся тем, что, с целью проведения процесса при комнатной температуре, в качестве проводящей среды используют ионопроводящую среду, например электролит. 42. Способ по п. 1, отличающийся тем,что, с целью регулирования ионного обмена,через электролит пропускают постоянныйэлектрический ток.5 3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийсятем, что, с целью очистки полупроводника, вкачестве электролита используют 30 - 32 н,раствор плавиковой кислоты. 10 4. Способ по пп. 1 и 2, отличающийсятем, что, с целью легирования полупроводника медью, в качестве электролита используют 20 - 30 -ный раствор едкой щелочи, содержащий ионы меди в количестве 10- 15 10 з г(л,

Смотреть

Заявка

1628839, 23.02.1971

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5594

МОЛЧАНОВА СВЕТЛАНА АЛЕКСАНДРОВНА, СМИРНОВА НОННА БОРИСОВНА

МПК / Метки

МПК: B01J 17/34

Метки: изменения, концентрации, полупроводнике, примеси

Опубликовано: 05.10.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-445464-sposob-izmeneniya-koncentracii-primesi-v-poluprovodnike.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изменения концентрации примеси в полупроводнике</a>

Похожие патенты