Носитель для записи оптических изображений и голографической информации

(46) 29.02.92. Бюл. М 8а (71) Специализированное конструкторско- технологическое бюро твердотельной электроники с опытным производством Института прикладной физики АН МССР (72) А.М,Андриеш, В.В.Биаол, М,С.ИЛ.Б.Клейзит и Е.Г.Ханчеаская (53) 681,840,83.84 (088,8)(56) Авторское свидетельство СССР М1169482, кл. 6 11 В 724, 1984. (54).НОСИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ И ГОЛОГРАФИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ(57) Изобретение относится к бесперебойной полупроводниковой фотографии и мо. жет быть использовано в голографии, кинематографии, микро- и оптоэлектрониИзобретение относится к технике записи оптической, в том числе голографической информации, и может быть использовано в вычислительной технике, голографии, микро- и оптоэлектронике, кинематографии.Цель изобретения - увеличение свето- чувствительности и дифракционной эффективности носителя информации.На фиг,1 изображена структура носителя для записи оптических изображений и голографической информации; на фиг.2 - вольт-амперная характеристика регистрирующей структуры в темноте и на свету.В таблице приведены основные характеристики носителя информации.Носитель для записи оптических изображений и голографической информации ке, вычислительнои технике. С целью увеличения светочувствительности носителя и дифракционной эффективности записанной информации в носителе, содержащем диэлектрическую подложку с последовательно расположенными на ней первым электродом, фотоинжекционным слоем, регистрирующим слоем из халькогенидного стеклообразного полупроводника и вторым электродом, фотоинжекционный слой выполнен из монокристаллического германия и-типа проводимости,при этом отношение . проводимости регистрирующего слоя ог при освещении к проводимости фотоинжекционного слоя в темноте 0 подчиняется соотношению 0,05о/ц 0 0,001, а. толщина регистрирующего слоязадается в пределах 0,2 1 0,8 мкм.2 ил., 1 табл. содержит диэлектрическую подложку 1, нижний электрод 2, монокристаллическую подложку 3 из п - Ое, регистрирующий слой 4 из халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП) и верхний электрод 5.Носитель информации изготавливают путем последовательного термического напыления а высоком вакууме (р5 х 10 мм рт.ст.) нижнего электрода 1, например из А 1, М, Сг, на одну из сторон пластины 2 из монокристаллического германия и-типа проводимости, регистрирующего слоя 3 из ХСП на вторую сторону пластины из и-бе, например АэгЯез, и слоя второго металлического электрода 5, например алюминия.В качестве фотоинжекционного слоя используют полированные пластины толщи5 10 ной 0,2 - 0,5 мм монокристалла п-Се с удельной проводимостью оо= 7 х 10 Омхсм и концентрацией носителей п,5 х 10 сми -з при комнатной температуре. Носитель информации при необходимости, в зависимости от требований аппаратуры, закрепляют на диэлектрической подложке 1, например из стекла, ситала.Толщину регистрирующего слоя из Аз 23 ез выбирают в пределах 0,2. 5 0,8 мкм, а толщину верхнего электрода из алюминия - в пределах от 100 до 200 А.Запись оптических изображений и голографической информации производят по двухлучевой схеме безлинзового Фурье-голографирования;Носитель освещают двумя пучками лазерного излучения длиной волны А= 0,63 мкм с общей мощностью 10 мВт со стороны слоя ХСП и одновременно прикладывают к носителю электрическое поле напряженностью Е=5 х 10 В/см положительной полярностью к верхнему электроду. Температура носителя 22 ОС, угол между опорным и предметным лучом подбирают таким образом, чтобы плотность. линий интерференционной картины составляла 350 лин/мм.В момент приложения электрического поля к носителю и его освещения в освещенных местах протекает фототок, плотность которого определяется интенСивностью света и напряженностью электрического поля. Поскольку в предлагаемой регистрирующей структуре фототок обуславливается внутренним фотоэффектом, наличие двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной эоны Ео(Ео=1,76 эВ .для Аз 25 ез и Ед=0,75 эВ для Ое) значительно расширяет область спектральной чувствительности и ИК-часть спектра, а также увеличивает фоточувствительность структуры. Кроме того, фототок усиливается наличием и - р гетероперехода, в результате чего кратность изменения проводимости на свету достигает значения до 10 (см, таблицу), что приводит к сокращению времени записи оптической информации.При приложении положительной полярности к верхнему А-электроду, контактирующему со слоем АзгЗез, в освещенных местах имеет место эффект эпектростимулированной деформации поверхности регистрирующей структуры, в результате чего в 25 30 35 40 45 50 этих местах меняется рассеивающая способность и отражение структуры. Скорость и величина этих изменений, являясь функцией светочувствительности, определяют контрастность записанной информации и ее дифракционную эффективность, Эти параметры записаной информации зависят от уровня освещенности структуры, величины приложенного напряжения и толщины регистрирующего слоя.При приложении положительной полярности к АзгЯез кратность фотоответа достигает значение 10 и более. На фиг.2 приведена вольт-амперная характеристика регистрирующей структуры в темноте (кривая 6) и на свету(кривая 2). При определенном значении приложенного напряжения происходит запись оптической информации (участок АВ на кривой 7), что выражается изменением (уменьшением) электропровод- ности регистрирующей структуры в результате явления электростимулированных деформаций поверхности, Одновременно с изменением электропроводности регистрирующей структуры происходит изменение рассеивающей способности и отражения. поверхности структуры,Использование в качестве фотоинжекционного слоя монокристаллического и-Ое позволяетувеличить светочувствительность и дифракционную эффективность носителя. Формула изобретения Носитель для записи оптических изображений и голографической информации, содержащий диэлектрическую подложку с последовательно расположенными на ней первым электродом, фотоинжекционным слоем, регистрирующим слоем из халькогенидного стеклообразного полупроводника и вторымэлектродом, отл ич а ю щи йс я тем, что, с целью увеличения светочувствительности и дифракционной эффективности, фотоинжекционный слой выполнен из монокристаллического германия и-типа проводимости, при этом проводимость регистрирующего слоя ог при освещении и проводимость фотоинжекционного слоя в темноте оо подчиняются соотношению 0,001 Юг/сто 0,05, а толщина регистрирующего слоя выбрана в пределах 21018 10 м.1716567 Фиг, 2 Составитель О.ЧечельТехред М.Моргентал емчик рректор дактор Э,Слига Заказ 616 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж; Раушская наб., 4/5