Анань

Номер патента: 432678

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Алексеев, Анань, Зайцевский

МПК: H03K 17/28

Метки: задержки, импульсов

...Транзистор 20 открыт, Черездиод 1 с накоплением заряда протекает прямой ток, накапливая заряд в его базе.С поступлением входного сигнала отрицательной полярности на выходе триггерногокаскада, собранного на транзисторах 9, 13, 15и туннельном диоде 12, формируется отрицательный перепад напряжения, который одновременно поступает на базу п-р-п транзистора 20 и анод диода 1 с накоплением заряда.Затем прямой ток, протекающий в эмиттернойцепи транзистора 20, прекращается не мгноненно, а медленно уменьшается по величинес течением времени благодаря наличию индуктивности 23,До того момента, пока величина прямоготока, уменьшаясь, остается большей, чем величина обратного тока, в базе диода 1 происходит процесс накапливания заряда, причемвеличина...

Номер патента: 422094

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Алексеев, Анань, Песковский

МПК: H03K 5/156

Метки: бi1п, импульсовv, прr-rfi, формирователь

...9 и 10 закрыты. Через диоды 1 и 15 протекает прямой ток.С носгуплением входного сигнала отрицательной полярности транзисторы 10 (работает в режиме ОЭ) и 9 (работает в режиме ОБ) открываются, Прн этом на их коллекторах одновременно формируются положительный и отрицательный перепады соответственно. Положительный перепад напряжения прикладывается к катоду диода 15, а отрицательный перепад напряжения - к аноду диода 1. Благодаря такому включению диодов 1 и 15 и создается форсированный режим рассасывания заряда в их базах. При прочих равных условиях это способствует резкому уменьшению длительностей фаз 1, - высокой обратной проводимости и 1 - восстановления обратного сопротивления.Таким образом, на резисторе 2 формируется импульс с...

Номер патента: 419369

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Анань, Наерман, Пекарев

МПК: B24D 3/34

Метки: абразивный, инструмент

...поверх смазки применяю нические соедцне ЗО зорццц, фтялсвьИзобретение относится к абразивным инструментам, применяемым в различных отраслях промышленности,Известен абразивный инструмент, в поры которого введена твердая смазка.Однако при применении в качестве смазывагоще-охлаждающей жидкости керосина выплавлецие твердой смазки значительно опережает скорость износа инструмента.Для повышения стойкости инструмента, уменьшения шероховатости обрабатываемой поверхности в поры предлагаемого инструмента вводят химически активные органические соединения, например кумарин, резорциц, фталевый ангидрид, глицериновый альдегпд, глицин, в объеме, соответствующем объему пор.Введение в поры круга активной твердой смазки повышает статическую твердость...

Номер патента: 409297

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Анань, Нахутин, Поль, Такмаз

МПК: G21F 9/02

Метки: iiii-s, гп«п, фа5

...степерутения, так ообразном сорутения Кц 04 очистки газов от р лабораторных усло е достаточногот газообразнои содсржащий КИ 04 и ительно нагревали досмешивали друг с соотношениях. путем смешивания газов, ратуры не ниже 50 С, с оличестве не менее 0,45 кг В смеси проходит реакНиже приведены некоторые результаты итаний,оэффициент очистки на аэрозольногв фильтре Количество ировавнего рореаутения,Поток газа е мперат Концентра. ция СО, % ра, "С ча 128 олее 1000 олее 1000 8 60 00 20 00 00 00 96,5 более 9 более 9 Из таблицы видно, что процесс идет доста дых соединений рутения эффективно улавл чно быстро и образующийся аэрозоль твер- вается аэрозольными фильтрами, при это коэффициента очи Кц 04Цель достигаетс нагретых до темп окисью углерода в...

Номер патента: 398007

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Алексеев, Анань

МПК: H03K 7/02

...10 ка цнлуктцвности 11 . База ерез вторую ЛС-цепочку подектору транзистора 1, Точка тера транзистора 10 и катушчерез резистор 12 с общейтранзистора 8 и катода диода заряда.жцт также диод 18 ц регистрытранзистора 8. Транзисторы открываются, и на выходе 20 появляется импульс (фиг. 2, в). При открывании транзистора 10 диод 9 шунтируется его малым сопротивлением. Эффективность такого шунтирования (1 переключения) тем больше, чем больше соотношение сопротивления резистора 12 в цепи диода 9 и сопротивления насыщенного транзистора 10.Таким образом выключается прямой ток, протекающий через диод 9. Катушка 11, пре,пятствуя резкому нарастанию тока, протекающего через транзистор 10, защищает его от перегрузок.При открывании транзистора 8...

Номер патента: 350140

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Анань, Шульга

МПК: H03K 5/12

Метки: импульсовбибл, формирователь

...него, накапливается в базе диода 19 с накоплением заряда.Сигнал через инвертор на транзисторе 11 поступает на базы транзисторов 2 и 3, переводит транзистор 3 в состояние отсечки, а транзистор 2 - в состояние насыщения, Транзистор 3 закрывается и через диод 1 с накоплением заряда начинает протекать обратный рассасывающий ток, фронт нарастания этого тока определяется величиной емкости конденсатора 5, при изменении величины емкости фронт нарастания также изменяется и обусловлен частотными свойствами транзистора 2. Амплитуда рассасывающего тока определяется величиной резистора б и напряжением источника питания. Длительность фазы высокой обратной проводимости диода 1 зависит от величин тока прямого смещения, протекающего до поступления...

Номер патента: 345600

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Алексеев, Анань

МПК: H03K 3/33

Метки: задержки

...Через диод 1 с накоплением заряда протекает прямой ток, обусловленный источником положительного напряжения, накапливающий заряд в его базе. Туннельный диод 25 16 находится в устойчивом состоянии ца туннельной ветви его вольтамперной характеристики.Принцип работы устройства следующий.С приходом отрицательного сигнала тун нельный диод 16 переключается в другое445600 15 Предмет из о б р е те н и я Составитель Ю. Еркинктор Б. федотов Техред 3, Тараненко Корректор С. Сатагулова ПодписМинистров ССС аказ 2587/13 Изд. М 1146 Тираж 406ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СовМосква, Ж, Раушская наб д, 4,5 ипографип, пр. Сапунова устойчивое состояние на диффузионной ветви его вольтамперной характеристики. Возникающий на его...

Номер патента: 340070

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Алексеев, Анань, Изоб, Московский

МПК: H03K 3/64

Метки: генератор, кода

...диоды с накоплением заряда успели накопить определецный заряд.В целях исключения случайной подачи очередного сигнала запуска до того, как генератор кода отработает всю кодовую последовательность, ко входу генератора импульсной последовательносги предлагаемого генератора через резистор и линию задержки подключен анод тупцельного диода, соединенного через конденсатор с базой ключа на транзисторе, коллектор которого подключен ко входу генератора импульсной последовательности. Выход последнего через другую линию задержки соединен с катодом туннельного диода.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Положительньш входной сшнал поступает 5 через резистор 1 ца вход генератора 2 импульсной последовательности, запуская его, а также с...

Номер патента: 337245

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Анань, Наерман, Сидоров

МПК: B24D 3/34

Метки: абразивного, инструмента, повышения, твердости

...ЬИ 3 БНБЛ:У 1 Д СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ТВЕРДОСТИ АБРАЗИВНОГ ИНСТРУМЕНТАИзвестен способ повышения твердости абразивного инструмента, согласно которому при изготовлении инструмента в состав его связки вводят термопластичную смолу.Для устранения засаливаемости в поры и на поверхность готового стандартизованного инструмента вводят химически активную термопластичную смолу, например шеллака, в количестве 5 - 60 О(о от объема пор.Введенная смола играет роль дополнительной связки, служит также в качестве активной твердой смазки, способствуя ликвидации засаливания.Процесс пропитки предлагается вести следующим образом. Абразивный инструмент опускают на глубину 0,5 - :0,8 его высоты в спиртовой раствор шеллака. Пропитка считается законченной,...

Номер патента: 333690

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Алексеев, Анань

МПК: H03K 6/00

Метки: длительности, импульсовtsfjmouruhahплт, нтйог, селектор, хш1есгдябиблиотека

...2, резистор 3 включен во входную цепь, резисторы 4 и 5 соединены с положительным полюсом источника питания +Е,резистор б заземляет среднюю точку цепи изконденсатора 7 и диода 8, включенной междутуннельным диодом 1 и коллектором транзистора 2, эмиттер которого заземлен, а база15 соединена с переменным конденсатором 9.В исходном состоянии рабочая точка туннельного диода 1 находится а туннельнойветви его вольтамперной характеристики,транзистор 2 закрыт, так как потенциал его20 базы (падение напряжения на туннельномдиоде 1) недостаточен для прямого смещенияперехода эмиттер-база. Напряжение на коллекторе транзистора 2 равно +Е. Прп поступлении входного сигнала происходит заряд пе 25 ременного конденсатора 9, что предотвращает...

Номер патента: 302355

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Анань, Маринина, Мирзо, Тюшин, Шуметов

МПК: C09J 3/14, C09J 3/16

Метки: клеевая, композиция

Номер патента: 300266

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Анань, Сидор, Фрагин

МПК: B23F 19/05

Метки: зубчатыхколес, хонингования, цилиндрических

...при финишной абразивной обработке зубьев колес и упрощение конструкции станка.Это достигается благодаря тому, что обработку производят глобоидным абразивным червяком, сообщая шестерне осциллирующее движение.Сущность изобретения поясняется чертежом,Обрабатываемое зубчатое колесо 1 устанавливают на специальную оправку 2, расположенную в центрах 3.Обрабагываемое колесо приводят в зацепление с глобоидным абразивным червяком и включают вращение его, при этом стол станка, на котором установлены центра, получает быстрое возвратно-поступательное движение(осцилляцию) при котором абразивный червяк не выходит из зацепления с обрабатываемым зубчатым колесом. Валу 4 сообщаюттормозной момент при помощи тормоза б, откоторого тормозной момент...

Номер патента: 204179

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Анань, Пекарев

МПК: B24D 3/22

Метки: абразивных, инструментов, связка

...каптакс, окись цинка, окись маггоия и серу, отличаюи 1 аясл тем, что, с целью повышения точносги и чистоты обработки, а также исключения прижогов, в состаяв связки введен шеллак в количе"тве 20 - 30 вес. ч., а остальные компоненты введены в следующих соотношениях (вес. % ): синтетический каучук бутадиеновый, или нитрильный, или стиролыный 43 - 52каптакс 1,5 - 2,5окись цинка 8 - 14 окись магния 2 сера 2 6 - 1 12 - 2 Известны связки для абразивных инструментов на вулканитовой основе,Однако прои шлифованиии профиля кулачковраспределительных валов такими инструментами, наблюдаются прижопи на обрабатываемой поверхности; из-за плотной структурыабразивных кругов не обеспечивается точностьпрофиля кулачков.Предлагаемая связка отличается от...

Номер патента: 200462

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Анань, Глухов, Горюнов, Калашников, Киселев, Сидоров, Чеканов

МПК: B24D 3/28

Метки: абразивная, зубчатых, масса, хонов

...тны абразивные массы дл1 атых хонов ца основедержащие дибутплфталамин, графит.тые хоны, изготовленныесы известных композицирежущими свойствами 1я только для доводки. я изготовлеэпоксидных т, полиэтиаоразивная масса позволяет цые хоны повышенной изноысокими режущими свойстиз аоразиви, обладаютмогут приПредмет изобретенияАбразивная масса для изготовлениятых хонов на основе эпоксидной смолы,чающаясл тем, что, с целью получениязивных хонов повышенной износостойкоВысокими режущими свойствами, она сиз (в. вес. ч.) Предлагаемая абразивная массся от известных тем, что она соддующие компоненты (в вес, ч.); тличаетжит слеэпоксидная смола 3абразивное зерно мокарбида кремния зстостью10 - 16серебристый графитполиэтиленполиамин 1200нокорунда и леного...