Тб
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 398 ОО 7 Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик Зависимое от авт. свидетельства %в Заявлено 13.Х.1971 ( 1703291/26-9 л. Н 031 с 7/02 присоединением заявки ЛЪ -Государственный комитет Совета Министроа СССР но делам иэооретений и открытий.1 с.,Авторыизобретвни Е, Б, Алексе А. Анан Московский ордена Л Заявитель на энергетическии институт ОР ВАТЕЛЬ ИМПУЛЬС состоит из конде вторая - из ко 7. В цепь эмитт включен диод 9 транзистора 8 че ключена к колле эмиттера допол включена катуш транзистора 10 ч,ключена к колл соединения эмит ки 11 соединена точкой эмиттера 9 с накоплением Схема содер 14 18В исходном состоянии транзисторы 1, 8 и10 закрыты. Через диод 9 с накоплением заряда протекает ток от,источника отрицатель- О ного постоянного смещения (от клеммы 19),проходящий через катушку 11 ц резистор 12.С приходом импульса отрицательной полярности или отрицательноц полуволны синусоидального сигнала транзистор 1 резко открываетея и в нем происходят предварительное усиление и формирование сигнала, Положительный перепад, возникающий на коллекторе транзистора 1, через обе РС-цепочки поступает на базу транзистора 10, который яв- ЗО ляется токовым переключателем, и на базу Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано при создании быстродействующих счетных, кодирующих и декодирующих устройств.Известен формирователь импульсов, содержащий входной транзистор, к коллектору которого подключены две ЯС-цепи и выходной транзистор со включенным в его эмиттерную цепь диодом с накоплением заряда, причем база выходного транзистора через одну из ЯС-цепей подключена к коллектору входного транзистора.Цель изобретения - повышение быстродействия устройства, Предлагаемый формирователь импульсов отличается тем, что в него введен дополнительный транзистор со включен ной в его эмиттер катушкой индуктивности; при этом база дополнительного транзистора через другую 1 С-цепь подключена к коллектору входного транзистора, а общая точка эмиттера и катушки индуктивности соединена через резистор с общей точкой эмиттера вы. ходкого транзистора и катода диода с накоп лением заряда,На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого формирователя импульсов; на фиг. 2 и 3 - диаграммы напряжений в различных точках схемы.К коллектору входного транзистора 1 подключены две РС-цепочки. Первая РС-цепочка цсаторов 2, 8 и резистора 4, нденсаторов 5, 6 и резистора ера выходного транзистора 8с накоплением заряда. База рез первую ЯС-цепочку подктор транзистора 1. В цепь нительного транзистора 10 ка цнлуктцвности 11 . База ерез вторую ЛС-цепочку подектору транзистора 1, Точка тера транзистора 10 и катушчерез резистор 12 с общейтранзистора 8 и катода диода заряда.жцт также диод 18 ц регистрытранзистора 8. Транзисторы открываются, и на выходе 20 появляется импульс (фиг. 2, в). При открывании транзистора 10 диод 9 шунтируется его малым сопротивлением. Эффективность такого шунтирования (1 переключения) тем больше, чем больше соотношение сопротивления резистора 12 в цепи диода 9 и сопротивления насыщенного транзистора 10.Таким образом выключается прямой ток, протекающий через диод 9. Катушка 11, пре,пятствуя резкому нарастанию тока, протекающего через транзистор 10, защищает его от перегрузок.При открывании транзистора 8 через диод 9 начинает протекать обратный ток, обеспечивающий рассасывание заряда в базе и резкое восстановление обратного сопротивления диода.. Время включения ик, транзистора 8, определяющее фронт сигнала на выходе 20, соизмеримо с длительностью:фазы 11 высокой обратной проводимости диода 9 на высоких частотах и может быть равным У 1 при изменении сопротивления резистора 12,Минимально возможная длительность сигнала на выходе 20(1 Умии авил +12=11+12,где 1 - время, резкого восстановления диода 9.Благодаря возможности регулирования фазы 11 путем изменения прямого тока, проте. кающего через диод 9, предлагаемый формирователь не требует подбора элементов при сборке, а также может формировать импульсы в широком диапазоне частот входного сигнала.Шунтирование транзистора 1 по перходу эмиттер - база обратно включенным диодом 13 обеспечивает закорачивание положитель ной .полуволны синусоидального сигнала, чтопредохраняет этот 1 переход от пробоя.Насыщенный режим работы транзистора 1,неооходимый для лучшего предварительного5 формирования импульсов из синусоидальногосигнала, приводит к тому, что на достаточновысоких частотах скважность импульсов наего коллекторе может стать меньше двух(фиг, 2 б).10 Для улучшения работоспособности формирователя на высоких частотах транзистор 1типа р-и-р следует заменить транзистором типа и-р-и. Диаграмма напряжений для этогослучая приведена на фиг. 3,Кривая а на фиг. 2 и 3 показывает напряжение на входе 21 формирователя, кривая б -напряжение на,коллекторе транзистора 1, кривая в - напряжение на выходе 20,Предмет изобретения 20 Формирователь импульсов, содержащийвходной транзистор, к коллектору которого 25подключены две ЛС-цепи, и выходной транзистор со включенным в его эмиттерную цепь диодом с накоплением заряда, причем база выходного транзистора через одну из РС-це,пей подключена к коллектору входного транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введен дополнительный транзистор со,включенной в его эмиттер катушкой индуктивности, при этом база дополнительного транзистора через другую РС-цепь подключена к коллектору вход- ното транзистора, а общая точка эмиттера и катушки индуктивности соединена через резистор с общей точкой эмиттера выходного транзистора и катода диода с накоплением заряда.398007 иг г.Я Составитель Ю. Еркин Техред Т, Курилко федото едак Тираж 780 комитета Совета Министров СС ретений и открытий Раушская наб., д. 4/5Подписное Тип, Харьк. фил. пред. сПатент Заказ 743/2451ЦНИИ Изд.985 Государственногопо делам изо Москва, Ж,р ректор О. Тгории
СмотретьЗаявка
1703291
Е. Б. Алексеев, М. А. Анан Московский ордена Ленина энергетический институт Авторы изобретени витель
МПК / Метки
МПК: H03K 7/02
Метки:
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-398007-tb.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Тб</a>
Предыдущий патент: Криостат для вакуумированкого сверхпроводящего резонатора
Следующий патент: Преобразователь выходных сигналов параметрических датчиков в код
Случайный патент: Направитель ткани для сушильных и других подобных машин