Устройство задержки импульсов

ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ)432678 Союз Советских Социалистицесних Республик(51) М. Кл. Н 031( 22) Заявлено 14.08.72 (2 ) 1818781/26 исоединецием заявки -осударственный комит Совета Министров ССС оо делам изобретенийи открытий 32) Приоритет -Опубликовано 15,06.74. Бюллетень22Дата опубликования описания 21.04.75 3) УДК 621.374.5(54) УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ ИМПУДЬСО Изобретение отгносит проволииковой импульс найти применение при устройств наносекундно лительной и радиоизмеПо основному авт. о цо устройство задержки ся и ооласти п ной техники и м создании разли го диапазона, в вь рительцой технике вил.345600 из и мпульсов,ных чис ст С целью расширецгия диапазона регулирования, возможности работы в режиме одно- о вибратора и предотвращвния прохождения выходных,импульсов в цепь источника входных сигналов предлагаемое устройство снабжено дополнительно источником импульсного питания диода с накоплением заряда, выпал ненного на гг-р-и транзисторном ключе, эмиттер которого через индуктивность соединен с анодом диода с накоплением заряда, коллектор подсоедгинен к резистивному делителю источника напряжения смещения, при этом анод 2 диода с накоплением заряда через резистор соединен с выходом быстродействующего триггерного каскада.На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства. 25Анод диода 1 с накоплением заряда через резистор 2 связан с базой р-а-р транзистора 8, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор через резистор 4 - к источнику постоянного отрицательного смещения 3- Е а через резистор 5 - к базе гг-р-гг транзистора 6.Эмцттер транзистора 6 цепосрелственцо связан с источ 1 гиком постоянного отрицательного смегценн - Ее, а кол;е(Тор соединен через резистор 7 с оощсй шиной ц через резистор 8 с базой р-гг-р транзистора 9, Эмиттер пос; сднс го Олкл гочсн к оощсй ш и нс, я коллектор через резистор 10 - к источнику постоянного отрицательного смещения - Е, и через резистор 11 к катоду туннельного диода 12, связанного непосредственно с базой р-и-р транзистора 13. Анод туннельного диода 12 и эмиттер транзистора 18 полключецы к общей шине, а коллектор транзистора 18 через резистор 14 подсоединен к базе гг-р-л транзистора 15, эмиттер которого связан с источником постоянного отрицательного смещения - Е а через резистор 16 - к тому же и сто ч ни ку.Коллектор транзистора 15 подключен через резистор 17 к общей шине, через резистор 18 - к ацолу диода 7 с накоплением заряда и через резистор 19 - и оазе гг-р-гг транзистора 20. Одновременно база транзистора 20 через делитель ца резисторах 21 и 22 соединена с источником постоянного положительного смещения +Е,. Эмиттср транзистора 20 через индуктивность 28 подсоединен и аноду диода 1 с накоплением заряда, а коллекторчерез резистор 24 связан с общей шиной и через резистор 25 переменного сопротивления -с источником постоянного положительногосмещения +ЕВ исходном состоянии транзисторы 3, б, 9,13, 15 закрыты. Транзистор 20 открыт, Черездиод 1 с накоплением заряда протекает прямой ток, накапливая заряд в его базе.С поступлением входного сигнала отрицательной полярности на выходе триггерногокаскада, собранного на транзисторах 9, 13, 15и туннельном диоде 12, формируется отрицательный перепад напряжения, который одновременно поступает на базу п-р-п транзистора 20 и анод диода 1 с накоплением заряда.Затем прямой ток, протекающий в эмиттернойцепи транзистора 20, прекращается не мгноненно, а медленно уменьшается по величинес течением времени благодаря наличию индуктивности 23,До того момента, пока величина прямоготока, уменьшаясь, остается большей, чем величина обратного тока, в базе диода 1 происходит процесс накапливания заряда, причемвеличина обратного тока определяется как отношение отрицательного перепада .напряжения, действующего на выходе триггерногокаскада, к сопротивлению резистора 18 иостается практически неизменной во временивеличиной,В момент, когда, величина прямого тока,уменьшаясь, становится меньше величины обратного тока, начнется фаза высокой обратной проводимости, в течение которой происходит рассасывание заряда в базе диода 1.По окончании фазы рассасывания обратноесопротивление диода резко восстанавливается. Формируемый при этом на аноде диода 1с накоплением заряда отрицательный перепаднапряжения резко открывает транзисторы 3и 6.Отрицательный перепад напряжения, возникающий на коллекторе транзистора б, поступает на вход сброс приггерного каскада, вызывая его переключение в исходное состояние. При этом на коллекторе транзистора15 фор м ируется положительный перепад н апряжения, который приводит к открываниютранзистора 20 и запиранию транзисторов 3,6. При этом а коллекторе транзистора 6 формируется импульс с длительностью, определяемой временем задержки устройства от входа к,выходу.Задержка же появления этого, импульсаотносительно момента поступления сигнала па вход устройства слагается из величин: длительности фазы высокой обратной проводимости диода 1 с накоплением заряда,и времени, в течение которого прямой ток убывает до О величины, равной обратному току, и зависитпри прочих равных условиях от величины индуктивности 23.В известном устройспве время задержкиопределяется только длительностью фазы высокой обратной, проводимости диода с накоплением заряда, а следовательно, всегда меньше, чем в предлагаемом.Отличительной особенностью предложенного устройства является возможность одновременного формирования прямоугольных импульсов с плавнорегулируемой длительностью по основанию при действии на входе импульса короткой длительности, что достигается подключением сопротивления нагрузки непосредственно к .коллектору транзистора 15, кроме того, в нем,предотвращается просачивание формируемого на выходе импульса в цепь источника входных сипналов. Это достигается тем, что цепь обратной связи подключена с выхода устройства не на его вход, а ко входу Сброс триггерного каскада.Предмет изобретения35 Устройство задержки импульсов,по авт. св.345600, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазола регулирования, возможности,работы в режиме одлоьибратора и предотвращения прохождения выходных им пульсов в цепь источника входных сигналов,устройство снабжено дополнительным источником импульсного питания диода с накоплением заряда, выполненного на и-р-п транзисторном ключе, эмиттер которого через индук тпвность соединен с анодом диода с накоплением заряда, коллектор подсоединел к резистивному делителю источника напряжения смещения, при этом анод диода с накоплением заряда через резистор соединен с выходом 50 быстродействующего триггерного каскада.Изд.1724 И Государственного комитета по делам изобретений Москва, Ж, Раушская