Устройство задержки

Совгз Советских Социалистических Республик.Ч, Кл, Н 031 3,33 Заявлено 19,И 11.1970 ( 1470772/26-9) с присоединением заявкиПриоритет Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано 14,И.1972, Бюллетень22 Дата опубликования описания 2 ЗХ 111,1972 УДК 621.374.52(088.8) Авторыизобретения М. А, Ананян и Е. Б, АлексеевМосковский ордена Ленина энергетический институт Заявитель УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ Предлагаемое устройство задержки относится к полупроводниковой импульсной технике, может найти применение при создании различных устройств наносекундного диапазона в вычислительной и радиоизмерительной технике.Известны устройства задержки, содержащие первый эмиттерный повторитель, в базовую цепь которого включен туннельный диод, диод с накоплением заряда, анод которого через резистор подключен к источнику питания, последовательно включенные транзисторный ключ и второй эмиттерный повторитель.Цель изобретения - задержка импульсов на время, превышающее длительность входного сигнала. Достигается она тем, что в предлагаемом устройстве выход первого эмиттерного повторителя подключен через конденсатор к аноду диода с накоплением заряда и через резистор - по входу транзисторного ключа, а выход второго эмиттерного повторителя подключен ко входу первого эмиттсрного повторителя.На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства.Анод диода 1 с накоплением заряда (катод которого заземлен) через разделительный конденсатор 2 и резисторы 3 и 4 присоединен к эмиттеру транзистора 5 (типа р-и-р), заземленному через резистор б, и базе транзистора 7 (типа р-гг-р), а также через резистор 8 подключен к источнику положительного напряжения.Коллектор транзистора 7, эмиттер которого 5 заземлен, через резистор 9 подключен к источнику отрицательного напряжения, а через разделительный конденсатор 10 - к базе транзистора 11 (типа гг-р-п), заземленный через резистор 12. Коллектор транзистора 11 10 подключен к источнику положительного напряжения, эмиттер через резистор 13 заземлсц, а через резистор 14 связан с источником входных сигналов и разделительным конденсатором 15, второй конец которого подсоеди нен к катоду туннельного диода 16, подключенного через резистор 17 к источнику отрицательного напряжения и цспосредственно - к базе транзистора 5.Выходной сигнал снимается с резистора 13.20 В исходном состоянии все транзисторы закрыты. Через диод 1 с накоплением заряда протекает прямой ток, обусловленный источником положительного напряжения, накапливающий заряд в его базе. Туннельный диод 25 16 находится в устойчивом состоянии ца туннельной ветви его вольтамперной характеристики.Принцип работы устройства следующий.С приходом отрицательного сигнала тун нельный диод 16 переключается в другое445600 15 Предмет из о б р е те н и я Составитель Ю. Еркинктор Б. федотов Техред 3, Тараненко Корректор С. Сатагулова ПодписМинистров ССС аказ 2587/13 Изд. М 1146 Тираж 406ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СовМосква, Ж, Раушская наб д, 4,5 ипографип, пр. Сапунова устойчивое состояние на диффузионной ветви его вольтамперной характеристики. Возникающий на его катоде отрицательный перепад напряжения поступает через эмиттерный повторитель на транзисторе 5, резистор 3 и разделительный конденсатор 2 на анод диода 1 с накоплением заряда, С эгого момента начинается рассасывание накопленного в базе диода 1 заряда, Этот процесс назовем фазой высокой обратной проводимости.Если в исходном состоянии на диоде 1 с накоплением заряда происходило небольсин;е положительное падение напряжения, то в течение фазы высокой обратной проводимости на диоде 1 падает также небольшое, но отрицательное напряжение, которое благодаря наличию резистора 4 не в состоянии открыть транзистор 7 По окончании фазы высокой обратной проводимости, длительность которои можно регулировать изменением величины прямого тока, протекающего через диод 1, последний резко запирается, отрицательное напряжение на его аноде возрастает почти до величины перепада на катоде туннельного диода 1 б, транзистор 7 открывается, формируя на коллекторе передний фронт выходного сигнала, задержанный относительно входного на время протекания фазы высокой обратной проводимости. Положительный перепад с коллектора транзистора 7 через разделительный конденсатор 10, эмиттерный повторитель на транзисторе 11, резистор 14 и разделительный конденсатор 15 поступает на катод туннельного диода 1 б, сбрасывая его в первоначальное устойчивое состояние, транзистор 5 закрывается, напряжение на диоде 1 5 с накоплением заряда уменьшается и становится положительным, транзистор 7 закрывается, на его коллекторе формируется задний фронт выходного сигнала. Таким образом, на выходе схемы формируется сигнал стандарт ной амплитуды и длительности, задержанныйотносительно входного сигнала на время, определенное длительностью фазы высокой обратной проводимости диода 1,Устройство задержки, содержащее первыйэмиттерный повторитель, в базовую цепь которого включен туннельный диод, диод с на коплением заряда, анод которого через резистор подключен к источнику питания, включенные последовательно транзисторный ключ и второй эмиттерный повторитель, отличающееся тем, что, с целью задержки импульсов на 25 время, превышающее длительность входногосигнала, выход первого эмиттерного повторителя подключен через конденсатор к аноду диода с накоплением заряда и через резистор - ко входу транзисторного ключа, а вы ход второго эмиттерного повторителя подключен ко входу первого эмиттерного повторителя.