Патенты с меткой «высокочастотных»

Номер патента: 1734037

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Дмитриев, Кравченко, Кудряшев, Михайлова, Соленый, Шохор

МПК: G01R 25/00

Метки: высокочастотных, калибраторов, поверки, фазы

...от О, 90, 180, 27050 соответственно; записывают найденные отклонения д 14, д 24, дз 4, д 44(1-е, 2-е, З-е, 4-еизмерения, У серия),В полученной матрице погрешностей(см. таблицу) используются 4 точки: О, 90,180 и 270, из которых 90 и 270 - точкимаксимальной погрешности.При высоких частотах используется гетеродинное преобразование частоты с помощью конвертора 2 с целью точногоопределения погрешности калибратора 1 ввысокочастотном диапазоне,За погрешность первого канала фазоизмерителя принимают полуразрядностьмежду максимальным и минимальным значениями сумм (крайний правый столбец) погрешностей первого каналафазоизмерителя, поделенную на 4, Например, если,), 1 = макс и3 = мин,то 10 1 К =" -+ Д;18 а 1 принимальным и погрешнора 1, поде=...

Номер патента: 1742896

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Смирнов, Соколов

МПК: H01J 9/42

Метки: высокочастотных, параметров, структур, ускоряющих

...поглощающейнагрузкой 5 и фокусирующей системой 6,СВЧ-тракт 7, связанный с ускоряющей секцией и оканчивающейся согласованнойнагрузкой 8, содержащей калиброванныйответвитель 9, подключенный к измерительной детекторной головке 10 и частотомеру 11; 30Способ реализуют следующим образом.Непрерывный электронный пучок изинжектора 1, удерживаемый магнитным полемсистемы 6, проходит пространство взаимодействия ускоряющей структуры 4. В такойсистеме возникает автогенерация СВЧмощности, распространяющейся навстречупучку, по типу лампы обратной волны(ЛОВ),и регистрируется измерительной детекторной головкой 8, если ток инжекции, измеряемый системой 3, ббльше пороговогозначенияОпз 45где Оп - напряжение инжекции, соответствующее примерному синхронизму...

Номер патента: 1748006

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Борд, Довгялло, Капсаров, Сытенков

МПК: G01N 3/32

Метки: вибраций, высокочастотных, гидроподнагрузке, испытаний, кручением, наложением, образцов, усталостных

...муфтой с венцом 9, При этом благодаря незначительным усилиям умень шается диссипа 11 ия механической энергии, соответственно меньшим является и уровень достигаемь х емператур, что ради.кально различает предлагаемые устройства от известного, имеющего вес, как минимум на пол порядка больший. чем предлагаемые элементы разгрузки,В таблице приведены данные сравнительного анализа с базовым обьектом, который собран согласно известной схемэ путем присоединения к устройству-прототипу стеркнееого полувол нового элемента (с экустичзс 1(им разделением в узле смещения) и ОСНЭЩЕНИЕМ ЕГО УСтРОйСтеаМИ ДЛЯ ВРЭВ Е- ния,втулка60 мм с зубчатым венцом и РЕДУ 1(ТОРОМ), Зта СХЕМа СРаеНИВВЛаСЬ С предлагаемой, что позволило выявить принципиальные следующие...

Номер патента: 1752197

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Бурилова, Костомаров, Матвиевская, Харламова

МПК: H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал

...а 20 з, В 20 з и МпСОз, ее обжига присторонние Фазы, например, ЯпТ 04,1250-1310 С с последующим измельченидм. 20 В 12 Т 120 т 1.а 2 Т 120 т и дрприводящие к ухудЗатем получают борат цинкайутем варкишению электрических технологическихкэрбоната или оксида цйнка и борной кис свойств материала.лоты в кипящей воде йри постоянном пере-При введении в материал СаТ 10 з меньмешивании до получения композиции, шеминимального количества 0,5 мас, , исвключающей ЕпО ВОз пН 20, воду, иполной 25 ключается возможность, регулировки ТКЕ впотери текучести. Йеобходимую"сыпучесть заданных пределах, а при количествах больбората цинка и удаление воды обеспечива-ше максимального 0,5 мэс.,ь ТКЕ возрастают термообработкой при 150 ОС. Получен- " ет, но в то...

Номер патента: 1825353

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Голубцова, Костомаров, Самойлов

МПК: C04B 35/46

Метки: высокочастотных, конденсаторов, термокомпенсирующих, шихта

...сникению себестоимости изготовления материала.Предлагаемую шихту керамического материала получают следующим образом.Предварительно известными в керамическом производстве способами получают спеки титаната кальция и титаната стронция, котерые синтезируют при 1220- 1300 С, а затем иэмельчэю 2 т до удельной поверхности 4000-5000 см /г. Измельченные спеае, взятые в заданном соотношении, смевмавют с требуемым количеством МпСбз и ЙЬ 205, измельчают до 5000-10000 см /г и используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии, например по пленочной технологии с обжигом заготовок конденсаторов при 1220- 1280 С.Конкретными примерами заявляемой шихты керамического материала для...

Номер патента: 1499602

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Исаев, Кастрюлев, Шамардин

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...к еще более нежелательномупрофилю легированця, а следовательно, к уменьшению эффективности эмггтера в объеме полупроводника посравнению с поверхностью и снижегзигоусилительных свойств транзисторов.В конкретном примере козгичествопримеси в подложке регулируется дозой и энергией ионов. Так, при использовании барьерного слоя Бз.О толщи 2ной 0,27 мкм для внедрения в подложку 16 примеси используется ионныйпучок с энергией "66,5 кэВ, а длявцедрегня 50 . примеси энергия пучкасоставляет .- 86,3 кэВ.Пример конкретного исполнеггия способа,Па полупроводниковой подложкекремния и-типа проводимости с удельным сопротивлеггем р = 0,3 Ом смц с ориентацией поверхности вдолькрзсталчографгческих осей плоскости(100) Формируют барьерцьд слой двуокиси...

Номер патента: 1114242

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...нитрида кремния; на Фиг,2 показаны полупроводниковая подложка,высокоомный п-слой, маскирующее поверхность покрытие, образующее выступ между высоколегированными областями противоположного подложке типапроводимости, составляющей 0,2-1,0от максимальной толщины разогнаннойвнешней базы; на Фиг.3 показаны подложка, высокоомный слой, маскирующеепокрытие, разогнанные внешние базовыеобласти с маскирующим диэлектрическим покрытием и активная база, созданная разгонкой примеси из легированных областей до.их смыкания; нафиг. 1 - показаны подложка, высокоом 1ный слой, внешняя база, активная базаи эмиттерная область; на Фиг,5 - показана завершенная высокочастотнаятранзисторная структура, включающаявысоколегированную полупроводниковуюлсподложку и...

Номер патента: 764549

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Петров

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, малошумящих, транзисторов

...участок эмиттера 8.На фиг.З к базе в обьеме полупроводникового тела показана контактная р диффузионная область 9, Между р областью 9 и эмиттером 8 остается участок 10 в эпитаксиальной пленке 6, не залегированной в процессах диффузии.В каждой из областей эмиттера 8 базы 9 вскрыты контактные окна и осуществлена металлизированная разводка 11,П р и м е р, На высоколегированную подложку (р=0,001 Ом.см) осажда ют в и сокоомную р =1-3 Ом,см) пленку 2 эпитаксиального кремния того ке и-типа проводимости, После этого получают маскирующее покрытие 3 - путем окисления кремния в каомбинированной среде сухого и увлажненного кислорода при Т=1100 - 1200 С,.Фотогравировкой в окисле 3 вскрывают окно и проводят базовую диффузию бора - 4 (Ие 1 =1 10 см )...

Номер патента: 1593143

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Иванова, Инкина, Лимарь, Мудролюбова, Ненашева, Новиков, Пышков

МПК: C04B 35/46

Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал, термостабильных

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ на основе состава Ba1-ySry (Nd0,8Bi0,2)2 Ti4O12, где y = 0,1 - 0,15, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости материала при сохранении значений электрофизических параметров, часть неодима в составе замещена на лантан, а состав материала соответствует формулеBa1-y Sry(Nd0,8-xLaxBi0,2)2Ti4O12 ,где x = 0,1 - 0,3.

Номер патента: 1586101

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Иванова, Инкина, Камушкина, Картенко, Лимарь, Ненашева, Новиков

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: высокочастотных, керамических, конденсаторов, раствор, твердый

ТВЕРДЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ системы Ba1-yAy (Nd1-xBix)2Ti4O12, где y = 0,10 - 0,15, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости при сохранении значений температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и удельного объемного электрического сопротивления, он содержит в качестве элемента A Pb, x = 0,30 - 0,50.

Номер патента: 453968

Опубликовано: 10.12.1999

Авторы: Карлинер, Морозов

МПК: G01R 29/08

Метки: высокочастотных, индикации, полей, пространственного, распределения

Устройство для индикации пространственного распределения высокочастотных полей в анодных блоках магнетронов, содержащее СВЧ-генератор, вращающийся индикаторный зонд, СВЧ-детектор, осциллограф, развертка которого синхронизирована с частотой вращения зонда, канал опорного сигнала с СВЧ-фазовращателем, источник компенсирующих напряжений и сумматор, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, входы сумматора соединены соответственно с низкочастотным источником компенсирующих напряжений и СВЧ-детектором, а его выход соединен с индикатором.