Патенты с меткой «выращивании»

Номер патента: 1680011

Опубликовано: 30.09.1991

Автор: Мудрик

МПК: A01G 7/00

Метки: внешней, выращивании, оптимизации, растений, среды, факторов

...тактовых сигналов и адресных кодов датчиков для управления работой мультиплексора 1, демультиплексора и блока запоминающего устройства.Автоматический оптимизатор работает следующим образом.Сигналы из блока датчиков поступают на входы мультиплексора 1 (фиг,2), На адресный вход мультиплексора из блока таймера 2 подаются коды адреса датчика и сигнал разрешения работы мультиплексора, по которым происходит коммутация сигнала от датчика, соответствующего номеру адресного кода с выхода мультиплексора на вход блока аналого-цифрового преобразователя 3 и вход блока коэффициента оптимальности. По сигналу от таймера 2 происходит пуск аналого-цифрового преобразователя 3 и аналоговый сигнал преобразуется в цифровой код, который подается (кроме кода...

Номер патента: 242575

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Гольцова, Юткин

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивании, гидропонном, обеззараживания, питательного, раствора, растений, субстрата

...субстрата и обеззараживание питательного раствора производится путем электрогидравлической обработки последнего, Этим обеспечивается упрощение процесса обеззараживания, устраняется зарастание микрофлорой трубопроводов и емкостей установок, а также происходит одновременное обогащение питательного раствора элементами питания раствора,На чертеже схематически изображена гидропонная установка с оборудованием для обработки раствора. В открытом или закрытом резервуаре 1 размещены два или несколько пар электродов 2, питаемых от разрядного контура обычной схемы 3 электрогидравлических установок. Резервуар 1 подсоединен к ответвлению 4 трубопровода для питательного раствора, который перетекает, как обычно, из емкости 5 в стеллаж 6 для...

Номер патента: 1780496

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Матвеев

МПК: A01G 9/12

Метки: выращивании, матвеева, порчи, предохранения, ягод

...изобретение сокращает порчу ягод и время на их уборку. Составитель С.ШтельмаченкоРедактор Н,Никольская Техред М,Моргентал Корректор Е.Папп Заказ 4443 Тираж Подписное ВНИИПИосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина. 101 Изобретение относится к сельскому хозяйству,Цель изобретения - повышение удобства эксплуатации.На чертеже изображено предлагаемое 5приспособление в аксонометрии.Приспособление содержит стойки 1 ввиде прямых металлических стержней иопоры 2 в виде полуокружности, Стерженьи полуокружность соединены между собой 10под углом 90 О. Свободный конец 3 каждойопоры 2 отогнут на 20+ 5" относительно...

Номер патента: 1792256

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Данков

МПК: A01B 79/02, A01G 1/00, A01G 7/00 ...

Метки: безвысадочном, выращивании, зиму, маточных, подготовки, растений, свеклы, семенников

...вырадоводят до мелкокомковатого состояния. В щивании семенников, согласно которомуконце июля с междурядьями 45 см на глуби междурядья рыхлят, э головки корнеплодовну 3-4 см высевэют па 55-65 всхажих семян окучивают, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сна подданный метр рядка. В йэчале октября, целью повышения продуктивности маточкогда у растений свеклы сформировано 12- ных растений зэ счет торможения ростовых14 листьев, посев опрыскивают 0,01 - 0,02%- процессов у растений осенью и повышенияным раствором гидразида малеиновой 45 их зимостойкости путем снижения критикислоты. Для этого 50-100 г д.в. ГМК (170- ческой точки замерзания клеточного сока340.г МГ-Т) растворяют в 500 л воды, добав- корнеплодов в зимнее время, перед окучиляя 70 г...

Номер патента: 1808277

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Дубов, Шапошников

МПК: A01K 61/00

Метки: водоснабжением, воды, выращивании, оборотным, подготовки, промышленном, рыбы, системах

...с замкнутым циклом водоснабжения:20 аммиак до 0,3 мг/л, нитриты до 0,02 мг/л,нитраты до 100 мг/л, Отклонение показателей сточной воды от указанных величин ведет к снижению ежесуточного темпа ростаихтиомассы в установке (см. таб, 1).25 Стабильная работа очистного сооружения, при указанных параметрах сточной воды, обеспечивается постоянством нагрузокпо количеству загрязнений, поступающихна биологическую очистку, что обеспечивает30 полицикличная технология эарыбления, выращивания, реализации рыбы и нормирование кормов по темпу роста с учетоммаксимальной очистной способности сооружения.35 При нагрузке на очистное сооруженйе,ниже 120 х 10 БПК/мин, то эта вода испа 1 ьзует-.ся повторно для рыбы полностью илй частичнобез очистки, до тех...

Номер патента: 1831280

Опубликовано: 30.07.1993

Автор: Денисов

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивании, двустворчатых, крепления, моллюсков, поводцам

...верхние концы которых стягивают капроновой нитью, 1 э.п.ф-лы, 3 ил,особ осуществляют следующим обраСтворки раковины моллюсков гребешка, в районе "ушек" и тное прилегание, за счет вания "ушек" с правой и левой вины между створками образу тия в виде щели,В эту щель вставляю часть которого затем п водцу с помощью капрон Для осуществления разно использовать эаж ный на фиг.1 - 3,Этот зажим можно абра 5-образных упругих элемент торых стягивают капроновой Для крепления моллюска разжимают и вводят в щель м ми, а затем отпускают и эа сче1831280 оставитель С, Филиппо хред М.Моргентал Редактор Л. Павлова Те Коррект аков Заказ 2530 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 1048859

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных

...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...

Номер патента: 1839070

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Нефедьев, Трофимец

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивании, зрелости, картофеля, клубней, семенного

...пластинчатыми электродами, выполненными из нержавеющей стали, путем взятия проб постоянного размера (20 мм х 20 мм) в сердцевине клубня, т.к, она наиболее хорошо отражает зрелость клубня.Для получения сравнительных данных параллельно проводили оценку на зрелость клубней известными способами, а именно по динамике прироста урожая и по пожелтению нижних листьев. Динамика прироста урожая и электрического сопротивления кл бней сортов Домодедовский (кривые 1, 2) Формула изобретения СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗРЕЛОСТИ КЛУБНЕЙ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ СЕМЕННОГО КАРТОФЕЛЯ, включающий анализ растений по показателям, значение которых связано со зрелостью клубней, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, анализу подвергают клубни,...

Номер патента: 1503355

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова

СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.