Патенты с меткой «тензорезисторов»

Номер патента: 1714125

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Буян, Василенко, Соколенко, Фаустов

МПК: E21C 39/00

Метки: скважине, тензорезисторов, установки

...(шток 22 удерживается стопором 21, а шток 23 - шариковым фиксатором 20), при этом пружина 38 оказывается сжатой. После этого в разьем 10 вставляют тензодатчик 11 (обычно это тензометрическая розетка с несколькими наклеенными на ее поверхность под различными углами тензорезисторами) и на/ давливая на него перемещают вниз (по чертежу) до момента, когда штифт 48 не войдет в отверстие 49, выполненное в неподвижной трубке 14, при этом пружина 37 оказывается сжатой между ползуном 31 подвижной втулки 9, а подвижная втулка 9застопоренной. Затем смазывают клеем рабочую поверхность тензодатчика 11 и устройство готово к установке в скважину, С патрубком 7 соединяют досылочные штанги 8, с помощью которых перемещают устройство по скважине (не...

Номер патента: 1788919

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Алексеев, Бокшицкий, Ильинская, Левинзон, Новоселова, Поднебеснов

МПК: B21C 23/22, B32B 15/02

Метки: биметаллическая, высокотемпературных, проволока, тензорезисторов, элементов

...металлов и сплавов (правило Муи), Приемлемыми материалами по величине указанного параметра являются сплавы системы никель - медь, Однако они имеют преимущество перед сплавами системы никель - хром только до 400 С и не могут считаться перспективными из-за низкой жаростойкости.Оценивая недостаточные служебные характеристики существующих монометаллических материалов, в качестве объектов исследования были выбраны композиционные материалы в виде биметаллической проволоки на основе систем никель - хром/никель-медь. При этом учитывался положительный и отрицательный характер температурной зависимости,На фиг. 1 изображено относительное изменение электросопротивления сплавов- составляющих композиционных материалов при нагреве в интервале 20 -...

Номер патента: 1818557

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Агабабян, Пушик, Сабурин, Сердюков, Собакин, Сороколетов, Толмачева

МПК: G01L 9/04

Метки: материал, тензорезисторов, тонкопленочных

...с температурной компенсацией тена одатчика.Получение тонкопленочных тензорезисторов на основе многокомпонентного материала, как правило, осуществляетсяионно-плазменным распылением составных мишеней, приготовленных из отдельных чистых компонентов в определенноййропорции по площади с учетом их коэффициентов распыления,Для получения материала из сплава вышеупомянутого состава была приготовленасоставная мишень, выполненная следующим образом.На поверхность столика. мишени диаметром 124 мм укладывается диск германия диаметром 125 - 130 мм и толщиной 5-10мм, а на поверхности германия располагаются пластины кремния с суммарной площадь 64 - 680 от площади пластиныгермания и 60 - 72 диска из алюминия диаметром 5 мм с суммарной площадью 2-6...

Номер патента: 1832182

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Балашов, Каримов, Колтаков, Крюков, Лупинский, Попов

МПК: G01L 27/00

Метки: градуировки, динамической, статической, тензорезисторов

...Кроме того, обеспечивается задание величины деформации без проведения предварительных и последующих аналитических расчетов, что повышает производительность градуировочных работ. Изобретение относится к измерительной технике.Цель изобретения - расширение области применения за счет обеспечения возможности создания как статических, так идинамических деформаций с заданными параметрами.На чертеже изображено предлагаемоеустройство для градуировки.Устройство состоит из корпуса 1, балки 102 с установленными на всей ее активнойповерхности тенэорезисторами 3, выполненной с утолщением в средней части, сопряженным с захватами 4, которыеохватывает втулка 5 механизма удержанияспуска, при этом балка соединена клиновыми зажимами 6 одним концом...

Номер патента: 1835046

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Дубровин

МПК: G01B 7/18

Метки: градуировки, низких, температурах, тензорезисторов

...в котором размещен криостат 2 с жестко закрепленной пассивной тягой 3 в виде опорной З 5 трубы, установленный в криостате чувствительный элемент 4, на внешней поверхности которого установлены тензорезисторы 5, а один из концов которого связан с пассивной тягой, механизм нагружения с активной силовой тягой б, соединенной с другим концом чувствительного элемента, и отсчетный узел (не показан), регистрирующий выходной сигнал тензорезисторов.Механизм нагрукения снабжен шлице вой втулкой 7, установленной на торце пассивной тяги с возможностью поворота относительно ее оси посредством упорного подшипника 8, шлицевым валом 9, установленным во втулке коаксиально ей с возмож ностью перемещения вдоль ее оси иповорота относительно оси, гибким...

Номер патента: 1820790

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Володин, Каминский, Сосова

МПК: H01L 21/34

Метки: моносульфида, основе, полупроводниковых, самария, тензорезисторов

...материала чувствительного элемента тензорезистора известно и применяется при производствефольговых неметаллических тензорезистоЗ 5 ров для увеличения их электросопротивления, а не для уменьшения ТКС, Никакихданных об изменении ТКС при примененииэтого технологического приема нет. Совокупность существенных признаков предла 40 гаемого изобретения позволяет врезультате их взаимодействия устранить отрицательное влияние оказываемое краевыми участками тензорезистора, что приводитк достижению цели, укаэанной в формуле45изобретения.На фиг.1 изображен тензорезистор и нанем пунктиром отделены удаляемые участки чувствительного слоя элемента (а - подложка, б - контактные площадки, в - тензочув 50 ствительный слой из ЯвЯ); на фиг.2представлена...

Номер патента: 1818832

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Котова, Кулакова, Лукина, Петрова, Шамраков

МПК: C09J 163/00

Метки: клеевая, композиция, приклеивания, тензорезисторов

КЛЕЕВАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПРИКЛЕИВАНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ, включающая эпоксикремнийорганическую смолу СЭДМ-3, отвердитель аминоэтоксисилан и наполнитель, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения стабильных характеристик чувствительности и ползучести тензорезисторов при температуре от -196 до 300oС (без дополнительной термообработки клеевого соединения) и повышения прочностных характеристик клеевых соединений при температуре от 200 до 300oС, она в качестве аминоэтоксисилана содержит смесь изомеров и b -аминопропилтриэтоксисилана с содержанием аминогрупп 6,80 7,55 мас. и дополнительно олигометилфенилкарборансилоксан и ускоритель...

Номер патента: 1405420

Опубликовано: 10.09.1999

Автор: Хатунцев

МПК: G01B 7/16

Метки: воздействие, испытания, нейтронного, облучения, тензорезисторов

1. Способ испытания тензорезисторов на воздействие нейтронного облучения, нейтронного облучения, заключающийся в том, что тензорезисторы размещают на консольно закрепленной в контейнере упругой балке, определяют начальный уровень сигнала и чувствительность к деформации тензорезисторов, подвергают контейнер воздействию потока нейтронов и вновь определяют начальный уровень сигнала и чувствительность тензорезисторов, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости испытаний и повышения уровня безопасности обслуживающего персонала при многоцикловых испытаниях, в контейнер устанавливают и соединяют штоком со свободным концом балки сильфонный привод с упорами-ограничителями перемещения и...

Номер патента: 1284433

Опубликовано: 10.02.2006

Авторы: Алексеева, Сивенков, Скопич, Чугунов

МПК: H01L 21/78

Метки: высокотемпературных, тензорезисторов, формирования

Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.