Патенты с меткой «свч»

Номер патента: 1781739

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Писарев, Ходаков

МПК: H01P 1/15

Метки: коммутатор, свч

...концыкоторых подключены к развязывающим элементам соответствующих каналов, другиеконцы - к источнику постоянного. напряжения, соединенному через вновь. введенныйобщий резистор со входом коммутатора, авыходы логического устройства подключены непосредственно к соответствующимразвязывавшимэлементам.Изобретение поясняется следующимописанием и принципиальной схемой, приведенной на фиг.2.На схеме и в тексте приняты следующиеобозначения:11-1, 12-1,.;,1-1 - Р-и диоды первого канала11-2, 12-2;1 п- Р- и диоды второго канала1 - й, 12-Й,.;1 - й - Р-и диоды Й-гоканала2-1, 2 - 22-й - развязывающие элементы3-1,3-23 - й - канальные резйсторы4 - источник постоянного напряжения5 - резистор6 - логическое устройство7, 8-1, 8-1,8-Й -...

Номер патента: 1781742

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Шалякин

МПК: H01P 1/18

Метки: свч, фазовращатель

...к выходу, а фаза коэффициента усиления усилителя выбрана равной 90 на основной частоте механических колебаний фазорегулирующего элемента.На фиг.1 представлена функциональная схема фазовращателя; на фиг,2 - вариант выполнения "пьезокерамйческого преобразователя.Фазовращатель СВЧ содержит пьезокерамический преобразователь 1, соединенный с какой-либо фазорегулирующей пластиной, расположенной в волноводе. Преобразователь 1 выполнен, например, в виде отдельных секций, образованных разрывами 2 в его плоском электроде 3. Эти секции образуют два дополнительных пьезокерамических элемента 7 и 11, механиче. ски соединенных с основным элементом 4. Элемент 7 подключен к входу 8 усилителя 9, а элемент 11 подсоединен к выходу 10 усилителя 9. Элемент...

Номер патента: 1786551

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Савкин, Чиняков

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатор, свч

...процесса регулировки, что связано с наличием второгофазовращателя и устройства для перестраивания двух фазовращателей на равныерасстояния в разных направлениях.Цель изобретения - упрощение конструкции и процесса регулировки.Для достижения этой цели в аттенюаторе СВЧ нерабочее плечо квадратурного моста соединено с выходом фазовращателя, авторое рабочее плечо является выходом аттеыюатора СВЧ,На чертеже приведена структурная схема аттенюатора СВЧ,Аттенюатор СВЧ содержит квадратурный мост 1 и фазовращатель 2, вход которо.го соединен с первым рабочим плечом 6квадратурного моста 1, а выход - с нерабочим плечом 3. Второе рабочее плечо 5 квадратурного моста 1 является выходоматтенюатора СВЧ,Аттенюатор СВЧ работает следующимобразом. На вход 4...

Номер патента: 1786637

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Дарчинянц

МПК: H03F 3/60

Метки: балансный, микрополосковый, свч, усилитель

...СВЧ. 20Устройство содержит микрополосковуюплату 1 с подложкой 2 и основанием 3 с выступом 4, первое 5 и второе 6 гибридные кольца, первый 7 и второй 8 полевые транзисторы, элементы 9 согласования, фильтры 25 , 10 по цепям питания, разделительные конденсаторы 11 и согласованные нагрузки 12,Балансный микрополосковый усилитель СВЧ выполнен на микрополосковый усилитель СВЧ выполнен на микрополоско . вой плате 1, состоящей из диэлектрической подложки 2 и металлического основания 3 с выступом 4. Первое 5 и второе 6 гибридные кольца пересекаются в точках, в которых СВЧ поле имеет минимальное значение, а 35 именно, в точках, в которых разность электрических длин участков линии гибридногокольца равна Лд /2 относительно входа (впервом...

Номер патента: 1788564

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Геворкян, Ковтунов

МПК: H03B 5/18

Метки: генератор, свч

...подложке 4 отверстия 9, размещение первого и третьего отрезков 5 и 7 вдоль его кромки, выполнение прямоугольной выемки 10 с плоским дном в металлическом ос- новании 1 под отверстием в первой диэлектрической подложке 4 и первым и третьим отрезками 5 и 7 обеспечивает сильную электромагнитную связь диэлектрического резонатора 8 с транзистором 2 и варакторным диодом 3, так как диэлектрический резонатор 8 помещен в область сильных полей линий передачи, образованных первым и третьим отрезками 5 и 7, первой диэлектрической подложкой 4, воздушным зазором, определяемым прямоугольной вы-, емкой 10 и ее плоским дном. Удаление диэ лектрического резонатора 8 от металлического основания 1 за счет выемки 10 и диэлектрической пластины 11...

Номер патента: 1789941

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Ашеко, Мороз, Муратов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, жидкости, комплексной, проницаемости, свч

...вольтметра 11, подстраивают частоту ГКЧ 1, при которой толщина диэлектрической втулки 14 с высокой степенью точности равна АЯКС40 половине длины волны в материале втулки 14. Плавно поднимают поршень 15 вверх и регистрируют вольтметром 11 сигнал, пропорциональный отраженной мощности, подчиняющейся осциллирующему закону,Р=тДанный способ исключает необходимость определения толщины начальногослоя исследуемой жидкости, а следовательно, приводит к исключению погрешностей,вызванных этими отражениями,45 При увеличении слоя жидкости амплитудаосцилляций отраженного сигнала уменьшается, а отраженная - стремится к постоянному значению. 50 Выставляют толщину слоя жидкости спомощью поршня 15, соответствующую слоя исследуемой жидкости,...

Номер патента: 1790770

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Васюхно, Синани

МПК: G01R 27/28

Метки: дискретных, ошибок, свч, фазовращателей, фазовых

...составляет 6 дБ/град - при ошибках до Зо, 3 дБ/град - при ошибках 3 - 6, 1 дБ/град - при ЛрЫ) 6, Таким образом методологическая погрешность установки составляет величину порядка 0,1 - 0,5 О, что меньше погрешностей известных нам аналогов, Для устранения (уменьшения) случайкой погрешности, связанной с амплитудно-временными неидеальностями управляющих импульсов, в установку введены цепи управления синхронизаций, состоящие из коммутаторов и инверторов, управляемых синхронизатором и ключом. Ключи обеспечивают форму уп равляющих импульсов оптимальную с точки зрения режима работы фазовращателя, Цепи изменения синхронизации позволяют производить измерения в двух системах (комбинациях) управления фазовращате.-.ем, что дает возможность...

Номер патента: 1790793

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Кутьин, Федотов, Фурлендер

МПК: H01P 1/18

Метки: свч, фазовращатель

...диафрагма, 3 - короткозамкнутыйотрезок волновода, 4 - варактор, 5 - блокировочная емкость, 6 - низкоомнэя щелевая20 линия, 7 - вьсокоомная щелевая линия,Лр - фазовый сдвиг сигнала, создающийсяв фазовращателе; Оупен - управляющее напряжение на фэзовращателе; в - круговаячастота СВЧ-колебаний; С - емкость варак 25 тора; Я - эквивалентное сопротивление резонансной диафрагмы; 1 - эквивалентнаяиндуктивность резонансной диафрагмы,Предлагаемый фазовращатель содержит ферритовый циркулятор 1, к одному изплеч которого подключена резонансная диафрагма 2 и короткозамыкэтель 3 (фиг.1),Констоукция резонансной диафрагмы представлена на фиг,2. Один из выводов варэкторного диода 4 зэземлен, другойвыводчерез конструктивную емкость 5 выведеннаружу и на...

Номер патента: 1793499

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Белов, Дзехцер, Квартерников

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатором, диодным, свч

...7 и второго 8 аналоговых сумматоров подключены к входам соответственно первого 9 и второго 10 генераторов тока, выходы которого являются выходами устройства и подключены, например, соответственно к первому 12 и второму 13 вводам управления высокочастотного р 1 п-диодного аттенюатора 11, на сигнальный вход 14 которого поступает исходный сигнал СВЧ, а с его сигнального выхода 15 снимается калиброванный высокочастотный сигнал,Устройство работает следующим образом.Входной управляющий сигнал поступает через вход управления 1 на один из входов операционных усилителей 2, Э, на другие входы которых подаются необходимые напряжения смещения от источника опорных напряжений 4, Опорные напряжения на операционные усилители подбираются таким...

Номер патента: 2000030

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Смирнов

МПК: H03F 3/60

Метки: свч, усилитель

...коллектором и базой транзистора 6 включен параллельный резистор 34. Между эмиттером транзистора 6 и точкой соединения отрезков линий 17 и 18 включен резистор 35, а между эмиттером транзистора 6 и 5 общей шиной включен резистор 36. Междузмиттером транзистора 5 и цепью базового смещения первого каскада включен резистор отрицательной обратной связи по току второго каскада 37. Входной зажим 38 под ключен к конденсатору 9 частотно-избирательного четырехполюсника первого каскада, а выходной зажим 39 - к конденсатору 27 выходного частотно-избирательного четырехполюсника, Источник питания под ключен к точке соединения отрезка линии28 и конденсатора 29.Усилитель сверхвысоких частот работает следующим образом (на примере трехкаскадного усилителя...

Номер патента: 1795529

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Головаха, Федоров

МПК: H01P 1/208

Метки: свч, фильтр

...отсутствие в конструкции фильтра резьбы, гаек, пружин, сложных деталей с прижимным устройством позволяет упростить конструкцию и уменьшить трудозатраты на изготовление,Узел настройки в заявляемом фильтре, состоящий из диэлектрического стержня,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 стенки корпуса толщиной не менее А/4, отверстия в этой стенке диаметром менее Л/2, может быть использован в составе согласующих устройств в усилителях, что позволит уменьшить шумы и повысить усиление, а также может быть использован в генераторах для подстройки частоты стабилизирующего резонатора, что позволит повысить стабильность частоты генератора за счет увеличения собственной добротности резонатора.Поставленная цель достигается тем, что в фильтре СВЧ, состоящем из...

Номер патента: 1798920

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Закс

МПК: H03L 7/00

Метки: генераторов, пространственно, разнесенных, свч, фазирования

...+2 пфцелократное 2 к20 (11)т,е. с точностью до целократного 2 1 т фаза сигнала ведомого СВЧ-генератора отслеживает поворот фазы ф, вводимый управляемым Фазовращателем 14 и, в частности, 25 при нулевом колебания ведущего и ведомого СВЧ-генератора 1 и 2 совпадают по фазе.Таким образом, благодаря отсутствиюдисперсии в коаксиальной линии 15 связи, в. предлагаемом устройстве выделяется на бег фазы СВЧ-сигнала е ней и, будучи перенесен на частоту в 2, вводится с "упреждением", т,е, с обратнь;м знаком в транслируемый сигнал со стороны ведущего СВЧ-генератора 1, расположенного в пуйкте АПри этом точно компенсируется набег фазы в линии 15, что делает устройство фазирования инвариантным по отношению к длине этой линии и ее вариациям. Это важнейшее...

Номер патента: 1800375

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Светличный, Стариков

МПК: G01R 21/04

Метки: датчик, мощности, свч

...содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двумя омическими контактами 2 и 3, контакт 2 выполнен в виде полоски экспоненциально переходящей вдоль ее длины в полуша ровой слой радиусом г, а контакт 3 - в виде полукольцевого слоя радиусом г 2. Высоты Ь 1 и Ь контактов 2 и 3 выбраны из соотноше- ний При помещении датчика в волноводный тракт СВЧ мощность концентрируется, в основном, между контактами датчика и но сителя заряда разогреваются, причем разогрев носителей у сферической поверхности полушарового слоя контакта 2 существенно больше, чем у полусферической поверхности контакта большей площади 3, в то время как в остальном объеме полупроводникового кристалла 1 они остаются в тепловом равновесии с кристаллической...

Номер патента: 1800398

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Коссый, Мосичев, Сатунин, Силин

МПК: G01R 29/08

Метки: излучения, измеритель, мощности, плотности, потока, свч, энергии

...измерителя импульсной мощности и плотности потока энергии СВЧ-излучения.Устройство содержит коронообразующий слой диэлектрика 1, у поверхности которого под воздействием потока СВЧ-излучения 2, уровень интенсивности которого подлежит определению, образуется плазменная корона 3; детектор 4, выполненный в виде датчика магнитного поля; измеритель напряжения 5,На фиг.3 представлена конструкция измерителя, в которой детектор 4 дополнительно снабжен непрозрачным для СВЧ-излучения экраном 6. В качестве такого экрана может использоваться металлическая оболочка, либо экран, содержащий как металл, так и радиопоглощающий материал.На фиг.4 - конструкция измерителя, в которой коронообразующий слой диэлектрика 1 нанесен на наружную поверхность экрана...

Номер патента: 1800510

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Жуков, Сухина, Титенко, Цендровский

МПК: H01P 1/20

Метки: поглощающий, свч, фильтр

...и уплотняющее стекло, предотвращает появление токов утечки и просачивание СВЧ-энергии, т.к. полимерный материал обладает высокой электрической прочностьюНа чертеже схематически изображенСВЧ поглощающий фильтр,внутренней части корпуса 1. В верхней части корпуса 1. Со стороны торца, противоположному торцу с уплотняющим стеклом 3, выполнено сквозное отверстие 10, заполненное электропроводящей полимерной композицией 8, Элементы с торца корпуса 1 залиты изолирующей композицией 11.СВЧ электрический сигнал, попадая нацентральный стержень 2, имеющий низкое электрическое. сопротивление, прежде чем . проникнуть в электронное устройство, проходит на своем пути ряд конструктивных элементов фильтра. Электромагнитный сигнал за счет скин-эффекта...

Номер патента: 1800576

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Кротов, Левтеров, Новиков, Пустовалов, Свешников, Якушин

МПК: H03B 7/14

Метки: генератор, свч

...установленные в поперечном сечении короткозамкнутого отрезка прямоугольного вол новода 3перпендикулярно его широким стенкам,причем в зазоре между диодами размещенадиэлектрическая пластина 4, на которую собеих сторон, нанесены металлическиепленки 5 и 6 в форме эллипсов с центрами,лежащими на оси, проходящей через диодыперпендикулярно широким стенкам волновода, причем диэлектрическая пластинаимеет возможность вращения вокоуг этойоси,При подаче на генераторный диод 1 напряжения питания в колебательной системегенератора, образуемой реактивными проводимостями диодов 1, 2 и отрезка радиальной линии передачи между ними,возбуждаются СВЧ-колебания с основной. частотой генерации и определенной амплитудой. Из-эа нелинейного характера комплексной...

Номер патента: 1800581

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Вировлянская, Соколов

МПК: H03D 7/14

Метки: балансный, двойной, свч, смеситель

...проводящими экранами компланарного волновода, и цепи подачи на диоды входного преобразуемого сигнала, гетеродина и выхода промежуточной частоты, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона частот канала промежуточной частоты, улучшения спектра выходного сигнала и уменьшения частотной зависимости потерь преобразования, на оборотную сторону диэлектрической подложки нанесен слой металлизации,l 40 Составитель В.СоколовТехред М.Моргентал Корректор Л.филь Редактор А,Купрякова Заказ 1172 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина. 101 Изобретение относится к...

Номер патента: 1803947

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Веселов, Высоцкий, Елманов, Иванов, Сухарев, Филимонов

МПК: H01P 1/215

Метки: многоканальный, полоснопропускающий, свч, фильтр

...волн на частотах магнитоупругого резонанса с малыми потерями. Ч ил. металлизации 3 расположены входн выходные 5 преобразователи, ко представляют собой закороченные отрезки микрополосковой линии. Входной преобразователь 4 перекрывает всю ширину структуры, а выходные преобразователи 5 расположены на соответствующих участках структуры равной толщины - в пределах одной ступеньки каждый. Ступенчатая форма структуры может быть образована нанесением материала 6,Устройство работает зом.Ферритовую пленку намагничивают во внешнем магнитном поле требуемой величины, На входной преобразователь 4 поступает сложный сигнал, который, преобразуясь в структуре, принимается выходными преобразователями 5.Для структуры Ж ИГ-ГГГ на частоте 3 ГГц...

Номер патента: 1804669

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Юнисов

МПК: H01P 1/15, H01P 1/22

Метки: свч, управляющее

...очередь, позволяет крайние участки металлизации (полоски многощелевой линии) замкнуть на стенки волновода и тем самым исключить необходимость их изоляции от стенок волновода, а Зб следовательно, устранить потери за счетутечек СВЧ-сигнала по изоляционному слою диэлектрика.На чертеже схематически изображенаконструкция заявляемого СВЧ-устройства.40 Примером конкретного выполненияСВЧ управляющего устройства является широкополосный быстродействующий- СВЧ-модулятор, содержащий отрезок прямоугольного волновода, состоящий из пер вой 1 и второй 2 частей, симметричныхотносительно Е-плоскости, установленную в указанной плоскости основную диэлектрическую подложку 3. На подложке 3 размещены три участка металлизации 4-6, разделенные щелями 7,8,...

Номер патента: 1805407

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Жуков, Кудряшов, Львов, Моржаков

МПК: G01R 27/06

Метки: двухполюсника, коэффициента, отражения, свч

...управления 11 коммутатор 5 на измеритель-преобразователь 6, где преобразуется с помощью синхронного детектора 7, интегратора 8, синхронизатора 9 и АЦП 10 следующим образом. После команды начала преобразования. поступающей от блока управления 11 в течение времени Т 1, производится сброс интегратора 8, затем в течение времени Тг производится интегрирование сигнала с выхода синхронного де. тектора 7, после чего выход синхронного детектора отключается от входа интегратора, и сигнал с выхода интегратора преобразуется в цифровую форму с помощью АЦП 10. На вычислитель 12 передается результат измерения и уведомления об окончании преобразования. Вычислитель производит обработку измерительной инФормации по формулам, Синхронизатор 9 формирует...

Номер патента: 1806441

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Аникевич, Васильев, Павлов, Рябинин, Яковенко

МПК: H03F 3/60

Метки: свч, усилитель

...подводится через противофазный делитель 4 к первой паре вхоет в кольцевой линии делителя 1 первичную стоячую волну напряжения, узлы которой расположены на второй паре входов 8, В силу нулевого напряжения на входах 8 к сумматору 2 через трансформаторы 6 входной сигнал не поступает. Каждая пара усилительных каскадов 3, входы которых подсоединены к выходам 11 делителя 1, симметричным относительно второй пары его выходов 8, возбуждается двухтактно, т.е, противофазными напряжениями равной амплитуды. Усиленный сигнал подводится к каждой паре входов 12 сумматора 2, симметричных относительно первой пары его 5 10 25 30 35 40 50 55 выходов (10), также в виде противофаэных напряжений равной амплитуды. Поэтому первичная стоячая волна напряжения,...

Номер патента: 1807553

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Дарчинянц

МПК: H03F 3/60

Метки: свч, усилитель

...относительно продольной оси зонда 2 входного водноводно-микрополоскового перехода 1, Зонд 2 жестко закреплен в отверстии первой микрополосковой платы 3 и установлен с зазором относительно отверстия основания 8,Фильтр 17 питания цепей стока кристаллов полевых транзисторов М усилительных каскадов выполнен на третьей микрополосковой плате 15 с отверстием, установленной на широкой стенке волновода выходного волноводно-микронолоскового перехода 13, Зонд 14 этого перехода жестко закреплен в отверстии третьей микрополосковой платы 15. Фильтры питания цепей затвора 6 и стока 17 кристаллов полевых транзисторов подключены к зондам 2 и 14 соответственно. Зонд 2 через перемычку 18 первой группы ключевых элементов подключен к входному концу...

Номер патента: 1807587

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Бабин, Бобрик, Гончарова, Егоров, Рагуз, Смирнов, Спектор, Удалов

МПК: H05B 6/64

Метки: блоков, грунтовых, излучением, свч

...Система охлаждения предназначена для охлаждения системы излучателей 3, поглощающего излучение материала 13, устройств перемещения, готовых блоков, а также для предварительного подогрева вновь поступающих блоков. Система защиты от излуче- . ния предназначена для обеспечения безопасности обслуживающего установку персонала. Теплоизолированная камера 9 обеспечивает поддержание необходимого теплового режима при термообработке грунтовых блоков, Шлюз 10 обеспечивает прием и подачу холодных грунтовых блоков на термообработку. Шлюз 11 обеспечивает вывод готовых блоков из камеры 9. Рельсовые пути 16, 17, 18, 19, 20 и тележки 21 обеспечивают перемещение грунтовых блоков внутри камеры 9. Затворы 22 защищают от перегрева устройства перемещения....

Номер патента: 1808330

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Емельянов, Исиченко, Клемпарская, Смирнова, Сомова, Шальнова, Шиходыров

МПК: A61K 33/04

Метки: воздействию, животного, излучения, организма, повышения, резистентности, свч, тепловому, экспериментального

...подбирали однородных по массе жи1808330 Данные по выжимаемости мышей при тепловом СВЧ - воздействии Опыт-внутрибрюшинное введение 0,5 мл 0,1; коллиодной сеы за 1 ч о СВЧ-обл чения Достоверность различийР Контроль Пол Число мышейПало Выжило Число мышейВыжило Пало 22 61" 36 0,05 11 30 25 36 Сам ы 31 40 о 42 37 60 78 82 7)о 0,01 76 Самки Всего 0,001 112 70 30 112 Составитель Н,КлемкарскаяТехред М.Моргентал Корректор С,Пекарь Редактор. Заказ 1231 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 вотных(+2 г) одной и той же партии, Облуче ние осуществляли при тепловом уровне...

Номер патента: 1811008

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Годун, Коровенков, Муравьев, Тамело

МПК: H04B 1/26

Метки: модуль, приемный, свч

...ваеткомпенсацию потерь всмесителеиусииз межкаскадных отрезков МПЛ 42, 45, би- ление сигнала до уровня, необходимого для полярного транзистора 44, база которого дальнейшего использования, Кольцевой соединена.с межкаскадным отрезком МПЛ мйкрополосковый резонатор 30 выполняет 42, а коллектор - с межкаскадным отрезком роль развязки входного усилителя и гетеро- МПЛ 45, контактных площадок 43, необхо дина, Фильтр 29 предотвращает попадание, димых для подведения напряжений пита- сигнала гетеродина и входного сигнала на ния, причем вход каскада 46 является вход УПЧ. Усиленный сигнал промежуточ входом УПЧ, а выход каскада 50 - выходом . ной частоты выводится через коаксиальныйУПЧ, Отрезок МПЛ 40 соединяется с входом разъем 55, Напряжение...

Номер патента: 1628762

Опубликовано: 15.05.1993

Автор: Прокофьев

МПК: H01J 23/36

Метки: «и—или», баночное, ввода, вывода, окно, свч, энергии

...баночное окно; на фиг; 2 - измеренные характеристики согласования и распределения паразитных резонансов.На фиг. 1 обозначено два отрезка прямоугольного волновода 1 и 2 с размерами сечения а 1 х Ь 1, плоская диэлектрическая перегородка 3 толщиной 1, установленная в отрезке круглого волновода 4 диаметром О, согласованный волноводный переход 5 на волновод 6 стандартного сечения а х Ь,В созданной конструкции окна ввода (вывода) энергии, рассчитанного на рабочую полосу частот 4,68-7,13 ГГц волновода 40 х 20 мм, оказалось возможным использовать перегородку из алюмооксидной керамики, толщиной 1.= 1,4 мм при диаметре О = 30 мм, выдерживающей перепад давлений свыше 2 МПа, а длина отрезка круглого волновода 2 + 1 составляет около 10 мм. Поперечные...

Номер патента: 1822630

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андержанов, Андреев, Бородин, Соколов

МПК: A01C 1/00, H05B 6/68

Метки: свч

...состоянии, а его контакт КЧ 1,1 -замкнутым. Генератор СВЧ 1 продолжаетполучать питание, и процесс СВЧ=обработ 35 ки семян не прерывается. При понижениинапряжения питания, например, до 210 В,уровень энергии рассеяния снизится. Этоопределит уменьшение величины ЭДС,наводимой в первичном преобразователе 4, и40 напряжения на выходе первого выпрямителя 5 до 260 мВ, Одновременно произойдетуменьшение величины напряжения на выходе второго выпрямителя 7 и на выходе делителя 8 напряжения до 10 мВ. Вместе с тем,45 в результате вычитания встречно направленных напряжений величина напряжения,формирующегося на выходе элемента 6сравнения остается неизменной, то есть250 мВ. Аналогично увеличение напряже 50 ния питанля не вызовет изменения напряжения на...

Номер патента: 1163763

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Котов

МПК: H01L 21/331

Метки: мощных, свч, транзисторов

...кон11637 60 55 центрацией тока на периферии амит"терногп перехода.В данном способе устойчивость квторичному пробою зависит от велицинц общего сопротивления цели пассив-ной базы транзистора. Поскольку этосопротивление мало, ему соответствует малая максимальная мощность рассеяния, ограниченная шнурованием 10тока. Устойчивость транзистора квторичному пробою из-за отсутствияпадений напряжения на пассивной базеи на эмиттерном переходе также минимально 151 елью изобретения является улучшение электрических параметров транзисторов за счет повышения устойчивости транзистора к вторичному пробоюпри прямом смещении эмиттерного перехода.Поставленная цель достигается тем,цто в способе изготовления мощныхВЦ и СВЧ транзисторных структур,...

Номер патента: 1838794

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Трегер

МПК: G01R 29/10

Метки: импульсной, мощности, свч

...создают условия для обеспечения другими схемными методами постоянства коэффициента детектирования Кд в широком диа пэзоне температур в рабочем диапазоне . амплитуд СВЧ-сигналов.Коэффициент детектирования определяется соотношениемОвых= 35Кд = -Огп свчОвых - выходное напряжение усилителя интегратора, являющееся мерой входной СВЧ-мощности Рвх СВЧТаким образогл, из (9), (7),(6) 40 Овых=Кд ОгпСВЧрп=Кд Кпер ОгпвхСВЧ= КХ Кхх ХхХ РвхСНЧххххвхс (1 - 1 Г )= Кпр Ъ РвхСВЧ Кпр=Кд Кпер 2 Явхс (1 - 1 г )2 45Кпр РезУльтиРУющий коэффициент преобразования входной СВЧ-мощности РвхСВЧ В ВЫХОДНОЕ НаПряжЕНИЕ ПОСтаяННОГО токд ОвыхИз (10) и (11) слеДУет, что только оДновременное обеспечение постоянства Кд. Кпер и минимизация ( г (1 г 1-н О) обеспечивают...

Номер патента: 766416

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Борзаков, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, свч, структур, транзисторных

...слоя, непревышающая 0,35 мкм, выбрана исходя изсоображений эффекта торможения этогослоя для ионов бора с ускоряющим напряжением150 кВ. Именно при больших тол 7 бб 416щинах ионы бора полностью тормозятся диэлектрической пленкой и достигают поверхности кремния.Способ характеризуется совокупностью и последовательностью операций.представленной на фиг,1-6,На фиг.1 показана кремниевая подложка 1 и-типа с созданным на ее поверхностислоем окисла кремния 2, вытравленным внем окном 3 и вновь созданным в окне наповерхности кремния тонким (толщиной несвыше 0,35 мкм) термическим выращеннымслоем окисла кремния 4,На фиг,2 представлена структура послеионного внедрения в тонкий диэлектрический слой 4 акцепторной примеси (бора) 5из...