Номер патента: 1800375

Авторы: Светличный, Стариков

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 18003 А 1 515 6 01 й 21/О ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ зование: в и СВЧ. Сущност ощности соде истэлл 1, Оми виде полоски ей вдоль ее СОМ Г 1 И ВЫСО ферического и г 2верственный у ветличныйзмерение на милетровых волнах. -ысо трукция обе ство СССР 04, 1989 г.ОСТИ печивает х пользовани ил огласование при исковой конструкции. 2(57) Исполь мощности чик СВЧ-м никовый кр и 3, один - в переходящ слой радиу виде полус змерителях малои ь изобретения: датржит полупроводческие контакты 2 .зкспоненциально длины в шаровой той Ь 1, а другой - в ояса радиусом гг и1800375 Формула изобретения 20 М = Ьг ггl г 45 50 Составитель Р,КузнецоваТехред М.Моргентал Корректор Л,Ливринец Редактор Заказ 1162 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101/г Изобретение относится к измерительной техникеСВЧ и может быть использовано в качестве датчика СВЧ-мощности в измерителях малой мощности СВЧ полосковой конструкции. 5Цель изобретения - улучшение согласования с СВЧ-трактом при использовании в полосковых линиях передачи.На фиг.1 и 2 изображен датчик СВЧ- мощности в двух проекциях.10Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двумя омическими контактами 2 и 3, контакт 2 выполнен в виде полоски экспоненциально переходящей вдоль ее длины в полуша ровой слой радиусом г, а контакт 3 - в виде полукольцевого слоя радиусом г 2. Высоты Ь 1 и Ь контактов 2 и 3 выбраны из соотноше- ний При помещении датчика в волноводный тракт СВЧ мощность концентрируется, в основном, между контактами датчика и но сителя заряда разогреваются, причем разогрев носителей у сферической поверхности полушарового слоя контакта 2 существенно больше, чем у полусферической поверхности контакта большей площади 3, в то время как в остальном объеме полупроводникового кристалла 1 они остаются в тепловом равновесии с кристаллической решеткой. Возникающая термо-ЭДС горячих носителей заряда служит мерой СВЧ-мощ ности, поглощаемой датчиком. Сопротивление датчика уменьшается с уменьшением Ь г = г 2- г 1 и увеличивается с уменьшением высоты шарового слоя контакта Ь 1, что приводит к более широким возможностям согласования с СВЧ-трактом по сравнению с датчиком прототипом,Чувствительность датчика увеличивается с уменьшением расстояния между контактами (К - 4) и уменьшением высоты шарового слоя полоски - контакта Ь.Расстояние между контактами должно быть больше длины остывания горячих носителей заряда (длины нелокальности), т.е, гг - г 11,= Ч - т , где Ч - тепловая скорость носителей заряда; т, - время релаксации избыточной энергии носителей. Датчик СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый кристалл, снабженный двумя омическими контактами, площадь поверхности одного из которых больше другого, при этом омические контакты размещены заподлицо в углублении, выполненном в полупроводниковом кристалле, а расстояние между ними выбрано большим длины остывания носителей заряда в полупроводнике, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения согласования с СВЧ- трактом при использовании .в полосковых линиях передачи, один из омических контактов выполнен в виде полоски, экспоненциально переходящей вдоль ее длины в полушаровой слой, а другой - в виде полусферического слоя,

Смотреть

Заявка

4768483, 11.12.1989

ХАРЬКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. М. ГОРЬКОГО

СТАРИКОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, СВЕТЛИЧНЫЙ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 21/04

Метки: датчик, мощности, свч

Опубликовано: 07.03.1993

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1800375-datchik-svch-moshhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик свч мощности</a>

Похожие патенты