Патенты с меткой «резистора»

Номер патента: 1506365

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Головкин, Хозяев

МПК: G01R 17/10

Метки: дистанционного, отклонения, резистора, сопротивления

...5 измеряется иэмерительнорегистрирующим блоком 7, преобразующим эту разность напряжений в значение отклонения сопротивления резистора 5 от номинального значения. При в )здействии ца линию 4 связи и резис-. тор 5 мешающих электромагнитных полей в цих наводятся напряжения и токи помех, которые создают на выходе линии 4 связи результирующий ток помехи, величина которого определяется наводками на измерительное плечо и входным сопротивлением мосТа со стороны измерительного плеча, Идентичные наводки наводятся на сопротивление резистора 1 О и дополнительную линию 9 связи ввиду расположения этих элементов рядом с резисторбм 5 и линией 4 связи и идентичности условий восприятия ими помех. Вследствие того, что дополнительная линия связи нагружена...

Номер патента: 1525708

Опубликовано: 30.11.1989

Автор: Кочетков

МПК: G06N 1/00

Метки: моделирования, резистора

...устанавливает в исходное состояние реверсивный счетчик 3 и триггер 22, Одновременно этот импульс подсчитывается счетчиком 4, имеющим триггер 23, Условием прохождения импульсов, моделиру 1 ощих ток, на выводы противоположного полюса модели являются равенство чисел в счетчике 3 и регистре 1 и соответствующее состояние триггера 22, определяемое тем, на какой полюс устройства поступали входные импульсы, накопленные в счетчике 3, причем необходимо, чтобы на выводы противоположного полюса поступило достаточное число импульсов, моделирующих напояжение. 40 изобретения Формул а Устройство для моделирования резистора, содержащее блок сравнения,первый элемент И и первый реверсивный счетчик, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1525756

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Городецкий, Меньшиков, Муняков, Шарапов

МПК: H01C 3/02

Метки: малоиндуктивного, резистора

...на равном один от другогорасстоянии вдоль образующей цилиндрической поверхности резистивных элементов 7, а угол скручивания основания 5 вокруг продольной оси 6 можетбыть выполнен кратным центральномууглу р, образованному радиусами, соединяющими центр окружности поперечного сечения с центрами или идентичными точками смежных резистивных элементов 7.углы скручивания аналогичны основанию в виде призмы.Скручивание основания 5 вокруг продольной оси 6 дает тот же эффект,что и скручивание основания 4, Так,для основания в виде круглого цилиндра с шестью резистивными элементамио7 угол скручивания Ы может быть 60120 , 180 , 240 , 300 , т.е, кратнымцентральному углу ф = 60,Главное отличие основания 5 ввиде круглого цилиндра от основания4 в виде...

Номер патента: 1539678

Опубликовано: 30.01.1990

Автор: Смыслов

МПК: G01R 27/00

Метки: допустимых, значений, максимально, параметров, питания, резистора, смыслова

...питания измерительного,моста и фиксируют состояние равновесия, при выходе измерительного мостаиз состояния равновесия уменьшаютнапряжение питания до величины, подававшейся на измерительный мост напредыдущем этапе измерений, измеряют значение электрической вели"чины, функционально связанной с определяемыми максимально допустимымизначениями параметров питания измеряемого резистора и рассчитывают максимально допустимые значения параметров литания измеряемого резистора по 30формулам.2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что в качестве электрической величины, функциональносвязанной с определяемыми максимально допустимыми значениями параметровпитания испытуемого резистора, принимают значение напряжения, измеренное на этом...

Номер патента: 1355060

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 27/10

Метки: полупроводникового, резистора, сопротивлением

...из полупроводниковой пластины 1, часть которой помещена между обкладками конденсатора 2 и изолирована от нйх диэлектрическими пленками 3. Конденсатор подключается к регулируемому источнику питания 4, а выводы - метал" лические точечные зонды 5 располагаются на полупроводниковой. пластине н плоскости, перпендикулярной обкладкам конденсатора, симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупроводниковой пластины, и подключаются дляконтроля к измерителю сопротивления 6. Приспособление 7 служит для измерения расстояния между зондами и от зондов до обкладок конденсатора.П р и м е р реализации устройства. В качеСтве полупроводниковой пластины взят ЩБ с;удельным сопротивлением 0,1 Ом м и размерами 20 х 1 О х х 0,4 мм, который помещается...

Номер патента: 1732384

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Астафьев, Глазырин, Зимин

МПК: H01C 17/00

Метки: контактного, переменного, резистора, сборки, узла

...производительности и надежности.Способ реализован в опытном образце автоматической спутниковой линии сборки узла резистора СП 5-22 В, находящейся в опытной эксплуатации, со следующими технологическими параметрами;Производительность кинематическая, шт./ч (для сравнения кинематическая производительность линии сборки резистора РПМ 720 шт,/ч) 1100Количество собираемыхдеталей, шт. 5. Размер паза в корпусепод замковую шайбу, мм 0,5 + 0,05Размер проточки навинте под замковуюшайбу, мм 0,5 + 0,05Толщина замковой шайбы,мм 0,5- 0,05 На фиг. 1 показаны собираемые детали; на фиг. 2 - схема установки подвижного контакта в корпус; на фиг. 3 - схема размещения регулировочного винта в плоскости боковой стенки корпуса (исходное положение деталей...

Номер патента: 1746409

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Городецкий, Калинин, Шарапов

МПК: H01C 3/02

Метки: малоиндуктивного, резистора

...длины резисторадля получения заданной величины сопротивлениянеобходимо учесть, что малая индуктивность обеспечивается тем, что входящий токраспределяется по двум равным, но совстречными токами, частям резистора, т.е.фактически его сопротивление вдвое меньше, поэтомунадо рассчитывать для двойной величины требуемого сопротивления,На фиг. 1 изображен резистор, кольцокоторого образовано из исходного основания с нарезанными на немвинтовыми гранями, на фиг, 2 - то же, из исходногооснования в виде цилиндра; на фиг. 3 -схема исходного основания резистора свинтовыми гранями А и его развертка Б; нафиг. 4 - схема цилиндрического основанияА с разверткой Б; на фиг. 5 - расчетнаясхема геометрических параметров резистора и технологических параметров...

Номер патента: 1308076

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Белогуров, Гостило, Лаце, Юров

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомного, резистора, тонкопленочного

...пленку с дельным сопро 5 тивлением (0,3-0,6)10 Ом см, Иэполученной пленки на подложке вырубаютпри помощи фотолитограФии резистионыеэлементы, размеры которых выбирают в зависимости от требуемого номинала рези 10 стара. Та 2 длл резистора 1 ГОм размер3 .15 м 4,После этого проводят напыление подводящих контактов, состоящих из слоев хро.Ма, меди и никеля при температуре 200 С.Сразу после напыления температуру поднимают до 250 С и подвергают подложки изотермическому отжигу в течение 10 мин.После остыоанил подложек до комнатнойтемпературы производят изготовление подводящих контактов методом фотолитографии,. Затем проводят измерение параметроврезисторов: номинала сопротивления, зависимости активной саставляощей импеданса от частоты в...

Номер патента: 1110327

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Автономов, Берней, Горелов

МПК: H01C 17/00

Метки: композиционного, резистора

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО РЕЗИСТОРА, включающий смешение компонентов, прессование, выдержку в нормальных условиях, гидротермальную обработку и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности электроизоляции резистора и стабильности работы в агрессивных средах, после сушки производят обжиг резистора в воздушной среде при температуре 500 - 600oС до выгорания технического углерода с приповерхностного слоя на глубину 0,3 - 0,8 см и пропитывают его кремнийорганическим полимером на эту глубину.

Номер патента: 1489479

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, фольгового

Способ изготовления фольгового резистора, включающий формирование подложки, нанесение фольги, формирование резистивных дорожек с получением требуемого соотношения площадей сечений подложки и фольговых дорожек, подгонку величины ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сопротивления в широком интервале температур, после операции формирования резистивных дорожек на поверхности подложки формируют ряд параллельных проводящих дорожек, при этом суммарную площадь сечения проводящих и резистивных дорожек определяют из следующего выражения:где Sn - площадь сечения подложки в направлении,...

Номер патента: 803726

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Иванов, Терехов, Филиппов, Франк, Чистяков

МПК: H01C 17/06, H05K 3/06

Метки: металлофольгового, прецизионного, резистора

Способ изготовления прецизионного металлофольгового резистора, включающий присоединение резистивной фольги к технологической диэлектрической подложке, нанесение маски на резистивную фольгу, удаление маски, формирование рисунка в фольге, нанесение цемента, удаление технологической подложки с последующей подгонкой величины сопротивления к номинальному значению, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности металлофольгового резистора и упрощения технологического процесса, удаление маски и формирование рисунка в фольге осуществляют одновременно путем ионного травления, а после нанесения цемента проводят термообработку полученного рисунка в фольге совместно с кристаллизацией цемента,...

Номер патента: 1318102

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Аванесян, Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, фольгового

Способ изготовления фольгового резистора, включающий присоединение фольги к диэлектрической подложке, формирование к ней схемы резистора и подгонку величины температурного коэффициента сопротивления резистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления в интервале температур от -60 до +140oС и повышения точности, перед операцией присоединения фольги к подложке осуществляют формирование подложки заданного сечения, площадь которого определяют из следующего выражения:где Sп - площадь сечения подложки, расположенной в плоскости, перпендикулярной...

Номер патента: 701381

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Григорьев, Дубровский, Терехов, Черепанов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочного, подгонки, резистора

Способ подгонки пленочного резистора, включающий нанесение проводящего материала на поверхность резистивного слоя с последующим проведением диффузии проводящего материала в материал резистивного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подгонки, проводящий материал наносят на поверхность резистивного слоя в виде островковой пленки, а диффузию проводящего материала в материал резистивного слоя проводят путем воздействия на островковую пленку световой энергии при одновременном охлаждении резистивного слоя.

Номер патента: 1461281

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, фольгового

Способ изготовления фольгового резистора, включающий формирование на фольге резистивного элемента с контактными площадками, присоединение его к электроизоляционному основанию, присоединение выводов к контактным площадкам, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и повышения надежности, присоединение резистивного элемента к электроизоляционному основанию и вывод к контактным площадкам осуществляют одновременно путем обжатия колпачками резистивного элемента и основания в области расположения контактных площадок, при этом на контактных площадках выполняют прямоугольные вырезы с расположенными по периметру надрезами.

Номер патента: 1290941

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Кузнецов, Лазарев, Осипов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, тонкопленочного

1. Способ изготовления тонкопленочного резистора, включающий формирование на диэлектрической подложке двух резистивных слоев с противоположным по знаку относительным изменением во времени и соединение их между собой последовательно или параллельно, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности сопротивления резистора, после формирования резистивных слоев с противоположным по знаку относительным изменением сопротивления во времени, определяют величину относительно изменения сопротивления каждого резистивного слоя по истечении 250 ч, после чего определяют величину сопротивления каждого слоя по выражению (1) в случае последовательного соединения резистивных слоев и по...

Номер патента: 1457680

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Недорезов, Подшибякин

МПК: H01C 7/00

Метки: резистора, толстопленочного

Способ изготовления толстопленочного резистора, включающий смешивание проводящей фазы на основе оксида рутения и диэлектрической фазы, состоящей из смеси двух стекол с добавками оксида марганца и оксида меди, нанесение полученной композиции на подложку с последующим ее вжиганием, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности значений ТКС в интервале температур от -60 до +125oС и в диапазоне удельного поверхностного сопротивления от 102 до 105 Oм/ , в качестве смеси в составе диэлектрической фазы используют смесь двух свинцово-силикатных стекол, а добавки оксида меди и оксида марганца...