Патенты с меткой «накопитель»

Номер патента: 1728941

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Алиевский, Ледовская

МПК: H02K 31/00

Метки: накопитель, униполярный, электромеханический

...центральное токосъемное устройство, при этом неэлектропроводящие кольцевые элементы скреплены с П-образными частями шин и установлены между центральными частями магнитопроводов роторов Ш-образного сечения, Система неподвижных токоотводящих шин позволяет жестко закрепить кольцевую обмотку возбуждения и бесконтактно подводить к ней ток питания. Отпадает необходимость применения скользящих контактовдля питания этой обмотки, что упрощает конструкцию униполярного электромеханического накопителя, повышает его надежность и улучшает энергетические показатели,На чертеже представлена конструкция униполярного электромеханинеского накопителя.Накопитель содержит два магнитопроводящих ротора 1 и 2 с обращенными друг к другу магнитопроводами...

Номер патента: 1732344

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Брандорф, Квурт, Котляров

МПК: G06F 7/60

Метки: накопитель, цифровой

...коде, В вычитателе происходит вычитание М-С, где С - накапливаемая частная сумма кодов, поступающих на входцифрового накопителя,Подобное решение в построении цифровых накопителей не существует.На чертеже представлена структурнаясхема цифрового накопителя.Накопитель содержит регистр 1, коммутатор 2, сумматор 3, элемент ИЛИ 4 и вычитатель 5, причем выход коммутатора 2соединен с информационным входом регистра 1, выход которого соединен с первымвходом сумматора 3 и с выходом 6 суммыцифрового накопителя, второй вход сумматора 3 соединен с входом 7 слагаемых цифрового накопителя, первыйинформационный вход коммутатора 2 соединен с выходом сумматора 3, первый управляющий вход коммутатора 2 соединен свыходом переполнения цифрового...

Номер патента: 1746098

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Бажанова, Столбов

МПК: F16F 15/30

Метки: кинетической, накопитель, энергии

...маховиков 1 и 1 из хромоникельмолибденовой стали, являющихся роторамиасинхронного двигатель-генератора, и индуктора магнитного поля. Индуктор расположен на корпусе 2 летательного аппарата,Магнитопровод индуктора выполнен изэлектротехнической стали, причем пакеты 3магнитопровода, которые (фиг, 1) имеют горизонтальную шихтовку, штампуются в виде колец из листовой стали. а пакеты 4;имеющие (фиг. 1) вертикальную шихтовку,выполнены навитыми в виде рулонов (спирали), Магнитопровод индуктора образуетдва полуоткрытых кольцевых канала 5 и 5в которых размещаются роторы-маховики,Такое расположение роторов-маховиков,т.е. на корпусе летательного аппарата, обусловлено требованиями безопасности, В случае разрыва роторов их обломки...

Номер патента: 1751815

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Игнатьев, Мызгин, Неклюдов, Савенков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...устройства.Поставленная цель достигается тем, что в накопителе для оперативного запоминающего устройства, содержащем матрицу элементов памяти, первые адресные шины которой являются входами выборки накопителя, источники тока хранения, первые выводы которых подключены к шине нулевого потенциала, токоограничительные элементы на резисторах, первые выводы которых подключены к соответствующим вторым адресным шинам матрицы элементов памяти,вторые выводы источников тока хранения соединены с первыми выводами резисторовсоответствующих токоограничительныхэлементов,.вторые выводы которых объединены. На чертеже изображена принципиальная электрическая схема накопителя для оперативного запоминающего устройства..Накопитель для оперативного...

Номер патента: 1750924

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Подлюк

МПК: B23Q 7/08

Метки: накопитель, укладки, цилиндрических

...предлагаемое устройство, вид сверху; на фиг,2 - ложементсбрасыватель с рычажным ограничителем,вид сверху; на фиг,3 - сечение А - А на фиг,2(с укладываемой деталью); на фиг.4 - то же,в момент отклонения рычажного ограничителя,Устройство содержит подающий лоток1, соединенный с трубопроводом 2, на выходе которого установлен зжектор 3, ложемент-сбрасыватель 4 в виде втулки сфланцем, в котором выполнены сообщающиеся между собой центральный цилиндрический канал 5, продольная ось которогосовпадает с продольной осью зжектора 3,камера 6 сброса и байпасный канал 7. Вофланце втулки ложемента-сбрасывателя 4выполнены пазы 8, а сама она установлена в накопителе 9 для деталей 10. На ложементе-сбрэсывателе 4 внутри накопителя 9 установлен на оси 11...

Номер патента: 1755324

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Зволинский, Иванов, Калюжный, Кодрик, Маслюкова, Мельник

МПК: G11B 25/04

Метки: дисковый, информации, магнитный, накопитель

...крайней мере одно сквозное отверстие, причем шпиндель установлен на днище и связан с приводом, расположенным снаружи корпуса, введена заслонка в виде диска с по крайней мере одним сквозным отверстием, а также поворотный рычаг с лопастью, подпружиненный к корпусу и жестко связанный с центром диска, причем заслонка установлена снаружи корпуса, поворотный рычаг- внутри, а его лопасть- над внешним магнитным диском. На фиг.1 изображен дисковый магнитный накопитель информации, вид сверху; на фиг.2 - сечение А-А на фиг,1,Дисковый магнитный накопитель информации содержит корпус, состоящий из днища 1 и сопряженный с ним верхней части 2, в центре которой установлен расположенный между втулками 3 и 4 воздушный фильтр 5, На днище 1 смонтирован...

Номер патента: 1756939

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Овчаренко, Финк

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...10, затвором которого являетсяадресная шина 3 первой группы, а стоком иистоком - соседние разрядные шины 5 первой группы,Матричный накопитель работает следующим образом,В режиме общего стирания информации на разрядные шины 5 и 6 первой ивторой группы подают высокое положительное импульсное напряжение относительноаДресных шин 3 первой группы, В результате пороговое напряжение всех запоминающих транзисторов 1 становитсяотрицательным, что эквивалентно проводящему состоянию запоминающих транзисторов 1 в режиме считывания информации.В режиме программирования на все адресные шины 4 второй группы подают нулевое напряжение, все ключевые транзисторы2 находятся в закрытом состоянии,На адресную шину 8 третьей группы,шину 9 питания подают...

Номер патента: 1761358

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Оксененко, Челищев

МПК: B21D 43/20

Метки: заготовок, накопитель

...16 и 17 закрываются, абарабан 1 поворачивается на один пазпротив часовой стрелки,При повороте пневмоцилиндр 13 совершает один ход, при этом рейка 9 перемещается вниз, а рейки 11 выходят из зацепления с зубчатым венцом 8, а рейки 12 входят в зацепление с венцом 7, поворачивая его на 1/2 (1/150 часть окружности) против часовой стрелки, и Фиксируют венец 7 в конце .своего хода. При перемещении рейки 9 вверх происходит поворот и фиксация венца 8 в ту же сторону.Механизм.поворота и фиксации 3 работает также, как механизм 4, но поворачивает барабан 1 в противоположную сторону, работа упомянутых меха" низмов 3 и 4 основана на несимметрии зубьев реек 11 и 12, которые входят в зубья венцов 7 и 8, сначала поворачивают их, действуя как клин,...

Номер патента: 1607620

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...НЯТГряжение а Е 1 сэ выбранцьэе раз э)я 11 ные шиээы 3 подаэат низкое положигельное напряжение, я на соседн 11 е выбранные пэины 3 - нулевое цапря:жение, на остальные разрядные шины 3 нцзкое положительное напряжение. Если пороговое напряжение транзистора 6 ячейки памяти 1 низкое, то через НЕГО ПРО 1 ЕКЯЕТ ТОК ЧТО ЭКВИВЯЛЕНТ цо единичному сОСтояциюе Если ПО 1)о говое напряжение транзистора 6 высокое, то через него не протекает ток что эквийалентно нулевому состоянию,Если при проверке работоспособно" сти матричного накопителя будет ус" . тановлено наличие де 11)ектной строки ячеек памяти 1, то оця заменяется строкой из ячееэ," памяти 4 программируемых электрически, исходные состояния которых эквивалентны единично-, муЯля этого Йя...

Номер патента: 1669307

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Овчаренко, Портнягин, Серебрянникова, Штыров

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...эффективной ширины канала на 0,1-0,3 и 0,4-0,7 соответственно для элементов памяти с состояниями "1,0" и "0,1".Таким образом, для двухбитнцх зле ментов пвмятй с состояниями "1,1; "1,О"; "О, 1"; "0,0" получены следую" щие соотношения проводимостей каналов относительно нелегированного элемента памяти с состояниями "1.,1" с максимальной проводимостью: 1,О, 0,7" 0,9 0,3-0,6, О.Работа матричного накопителя заключается в следующем.В реаимесчитывания информации нв выбранную поликремниевую адресную в 1" ну 5 подают низкое полоаительное напряжение (3-5 В) на остальные адресные шины 5 - нулевое напрякецие. На выбранные металлические разрядные ши- ны 8, к которь 1 м подключены истоки ИДП"транзисторов, в которых, размещен или отсутствует...

Номер патента: 1642886

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...и второй группподают высокое положительное импульс-,ное напряжение (12 В, 1 с), Под действием этих напряжений иэбыточный эа"ряд электроиов удаляется с плавающихзатворов транзисторов 1 череэ конденсаторы 3, в, результате чего их пороговые напряжения становятся отрицательными, что эквивалентно единично 50му состоянию в режиме считывания информациици.Следует. отметить, что.для обеспечения блочного стирания информациив первом режиме через выбранные55транзисторы 5 второй группы на выбранные шины 8 подают высокое положительное импульсное напряжение, при этом остальные транзисторы 5 невЪбранных строк находятся в закрытом состоянии. Через конденсаторы 3 выбранных строк происходит удаление избыточного заряда транзисторов 1 выбранных строк,...

Номер патента: 1586435

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...хэзьк 6 и ииЕвкбофки зиненЕЧеь-еэинзжкбцен эонзк бМ К 11 ОкеОН хечйод,ом хебоееье 6 ен 5 1 чб Озе 1611 еб.е. ЕчеЕчйме 6 мвм еЕВ фд,эвхз.Обц эн мо 7 ЕчеЕЕеш зечеЕгкйбвй ау Ечбози 6-об,е.з еЕО 1111 еб 91 чее с-, йое,зибегебд, есеч.цчбмсо с одзи 6 эбзе Од, (зниш Цоегзэбге еое 111 еб 9 ы) збосед.е 6 есэпоккаеебцЛ Одз Вк зикзжнйцен (.ьэешЕчсеэбц) сэвшЕчееэйи зн е 1 вбо,е,зе 1611 всЕ,е. Одэщаекиееоцвб О.ЕОН-еВб 9 ЕЧН зикзжкбцен эааодойоц игод эинэжыбцен эоееэггЛ 11 д.а О егоц с вцеиееЭон одоеэЫе К 11 ищ фЧЕеепп ЭЕчеЕекббвб .эЕчеззйее злкней 91 чаэе 1 ЭЕчеЧЕгед,зо вн фэинэжыйцве 1 эон чизд,есжоггоц эомбин оЕВМоц с Чнеше элц Ьыйбеб элеЕЕеесЕ 91 чн и Е Лесееш алнзэйГЕ Я аЕнней 91 чсе вн ыЕгэд.ицоеЕВН Одоеьиб.е,ееч иее 1 еибофее ыешВсцчиьз...

Номер патента: 1770987

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...информации 5. Когда канал ввода-вывода 6 заполнится ЦМД, включаются регистры хранения информации 5 и ЦМД из канзла ввода-вывода поступают в регистры 5, а ЦМД из регистров 5 поступают в канал оводз-вывода 6. Далее по каналу ввода - вывода 6 ЦМД поступают о узел считывзния 8, Рассмотрим более подробно продвижение ЦМД через зазор в регистрах 5 хранения информации. Направление поля смещения выбрана таким, что при положительных токзх 1, 12 ЦМД фиксируется в МСЛ, обрззуашейся у нижнего козя отверстий 9,10, В исходном состоянии ЦМД 18 и 19 (фиг.2) находятся в положении, определяемом положительным током 11 и отрицательным токам 1 э. При этом МСЛ абрззаозна нижним кроем отверстия 9 и верхним краем отверстия 11 для ЦМД 18 и верхним краем...

Номер патента: 1778790

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...остальные разрядные шины 2 - низкое положительное напряжение,Если пороговое напряжение выбранного запоминающего транзистора 3 низкое (высокое), не превышает (превышает) напряжение на адресной шине 1, то через него, разрядную шину 2, открытый адресный транзистор 4 выбранной строки протекает (не протекает) ток, что экивалентно единичному (нулевому) состоянию ячейки памяти. Через остальные ячейки памяти ток не протекает, так как закрыты адресные транзисторы 4,Считывание постоянно запрограммированной информации матричного накопителя, его ПЗУ части, определяемой наличием или отсутствием конденсаторов 5, проводится следующим образом.После стирания информации в матричном накопителе облучением его ультрафиолетовым излучением на все стирающие...

Номер патента: 1779311

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Басенок, Дзоценидзе

МПК: A22C 11/00

Метки: колбасных, мотков, накопитель, образования, сформованных, устройства

...5. Во втулках 5установлены прутки, изготовленные из двух частей. Часть 6 прутка изготовлена из жесткого материала и часть 7 прутка - из упругого материала. Прорези 4 чаши 3 ограничивают нижнее положение прутков в горизонтальномм состоянии. фиксатора положения прутка и одновременно наклоняющим его на острый угол а к горизонтали.Пластина 8 имеет по краям скосы 10 (фиг. 3) для плавного захода и выхода пруткаиз паза 9. С целью обеспецения требуемого наклонения прутка к горизонту (в зависимости от вида изделия) пластина 8 установлена с возможностью регулирования ее по высоте за счет налиция пазов 11 и креплениявинтами 12 (фиг. 4).Пруток состоит из жесткой части 6, выполненной из трубы 13 с закрепленным на конце ее стержнем 14 и надетой на...

Номер патента: 1781777

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Бажанова, Кирко, Столбов

МПК: H02K 7/02

Метки: инерционный, накопитель, энергии

...полюсов вращающегося поля статоров, Они имеют в плане форму трапеций с криволинейными основаниями, радиусы кривизны которых соответствуют радиусам 10 внешней и внутренней окружностей магнитопроводов статоров, а боковые стороны ориентированы в радиальном направлении и при их продолжении они пересекаются на оси вращения ротора-маховика. Для увели чения массы последнего и снижения аэродинамических потерь пазы залиты проводящим немагнитным материалом (латунью, бронзой или алюминием). Глубина пазов и форма их в сечении выбраны из 20 условия получения кривой выходного напряжения, возможно меньше отличающейся от синусоиды, Вес ротора-маховика частично компенсируется электромагнитом постоянного тока 5, расположенным соосно 25 с осью вращения.По...

Номер патента: 1782917

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гречин, Кузнецов, Чернышевский, Шумков

МПК: B66C 13/28

Метки: автономной, дизельгенератора, накопитель, установки, энергии

...режимах машины (плавкрана): при неизменной средней нагрузке и при изменяющейся средней нагрузке дизельгенератора.5 При неизменной средней нагрузке дизельгенератора во время технологического цикла машины (плавкрана) мгновенная мощность, создаваемая механизмами, существенно неравномерна, Пик нагрузки со здается при разгоне груза на подъеме. Приопускании груза нагрузка минимальна.Электродвигатель 2 работает вхолостую со скоростью а =2 йЪ; 02= Е 2 и скольжение 3=-1. Средняя технологическая нагрузка 15 полностью преодолевается дизелем, Прирезком увеличении нагрузки регулятор дизеля через привод 9 перемещает рейку топливного насоса 10 вправо, а вместе с ней инижний движок датчика 6. На входе интег ратора 5 действует отрицательное напряжение...

Номер патента: 1786322

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гулиа, Серх

МПК: F16H 33/02

Метки: механической, накопитель, энергии

...2, и по крайней мере одну ленту 3, размещенную между ними и закрепленную одним концом на внутренней поверхности цилиндрического кожуха 1, причем другой конец ленты размещен в кожухе свободно в тангенциальном направлении без передачи крутящего момента, поочередно связанным с зарядным устройством и потребителем. При этом лента выполнена упругой, имеющей изгибную жесткость и стянутой упругими силами ее предварительной деформации к геометрической оси вращения, Кроме этого, второй конец ленты 3 может быть закреплен на втулке 4, свободно установленной на оси 2 без передачи крутящего момента,Не следует отождествлять предложениес изобретениями, т.н, центробежного акку мулятора, где лента чрезвычайно мало упруга и не деформируется предварительно,...

Номер патента: 1790006

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Службин, Темерти, Ястребов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...и пространстве магнитнымрельефом, создаваемым протекающими токами.За исходное состояние примем такое,когда канал ввода - вывода 2 свободен отЦМД, а регистры хранения информации 3заполнены ЦМД 24 и 25, находящимися впозициях, обозначенных как А,Считаем, что при положительном направлении тока 2, 2", 3 и 3" домены фикси 1790006руется в позициях А, Г канала ввода - вывода 2 и А , Г регистров хранения информации 3 соответственно.Накопитель может работать в одном из трех режимов: запись, считывание или поиск информации.В режиме записи информации ЦМД 26 и 27 зарождаются в узле генерации 6 и путем подачи в проводники 2 и 2" двухфазных разнополярных импульсов тока (фиг. 3), сдвинутых друг относительно друга во времени на одну четверть периода,...

Номер патента: 1813060

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Трофимов

МПК: B65G 25/00

Метки: накопитель, шаговый

...5вверх, На их концах шарнирно закрепленынижние упоры 15 и жестко - ограничители16,Накопитель работает следующим образом, 10Кирпич или шлакобетонные, керамзитобетонные или другие камни на плоских металлических поддонах (на фиг.1 показаныпунктиром) подводят к накопителю и устанавливают в промежутке между двумя его 15боковыми частями на полки 6. Включаютгидроцилиндр 7 на втягивание поршня. Тра. верса 10 спускается и верхние упоры 12,опираясь на ограничители 13, перемещаютвзаимодействующие с ними полки 6 наружных ветвей цепей 5 вниз, При этом полки 6внутренних ветвей движутся вверх, поднимая имеющиеся на накопителе поддоны. Вконце пути подъема полки наружных ветвей, находящиеся над полками, взаимодействовавшими с нижними упорами...

Номер патента: 1814709

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Гулиа, Серх

МПК: F16F 15/30

Метки: маховичный, накопитель

...муфта 8 (привод не показан), связывающая вакуумный насос 7 и источником энергйи, воздух откачивается из полости 4. При этом за счет создаваемого перепада давления с двух сторон бесконтактных уплотнений 5 масло поступает в их рабочую зону, например, в винтовую полость, Частота вращения, при которой закрывается клапан 6 и начинается откачка воздуха, выбирается так, что перепаддавления, создаваемый бесконтактными уплотнениями 5 заведомо больше,.чем перепад давления, обеспечиваемый вакуумным насосом 7, Ограничение создаваемого разряжения обеспечивается предохранительным клапаном 12, открытие которого сигнализирует о необходимости отключения вакуумного насоса 7. Эти действия могут осуществляться оператором или системой управления,Отключение...

Номер патента: 1816647

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Лютов, Россохин, Челехсаев

МПК: B23Q 7/10

Метки: кассет, накопитель

...полки уголков 5.Высота подьема площадки 2 установлена с возмокностью захвата собачками 9 своими выступами 22 нижней кассеты 7 и штабеля в целом, когда штабель поднят площадкой 2,Величина возвратно-поступательного переглещения штанг 17 установлена таким образом, что штанги 17 (в верхнем положении) с собачками 9 и кассетой 7 образуют П-образный контур над транспортером высотой и шириной больше соответствующих размеров кассеты, т.е, кассеты 7 могут беспрепятственно заходить под штабель кассет, расположенный на собачках. Плоскости 26 выступов 22 собачек 9, взаимодействующие с кассетами 7, расположены ниже осей 21 на величину 3 (фиг, 1)О, Для остановки кассет транспортер накопителя снабжен отсекателем 27 (фиг. 4). Для надежного удержания...

Номер патента: 1830590

Опубликовано: 30.07.1993

Автор: Солодовников

МПК: H02J 7/34

Метки: возобновляющегося, источника, накопитель, энергии

...батарей,В процессе работы информация о функционировании каждой секции может сохра 20 няться на продолжении двух-трех циклов,что позволяет определить деградацию каждой аккумуляторной батареи и в соответствии с этой информацией корректироватьрабочие режимы, а также индицировать вы 25 хад характеристик эа номинальные пределы, что показывает необходимость заменыконкретной батареи или прекращение ее использования.Укаэанные функции частично определя 30 ют работу отдельной секции в части слежения за аккумуляторной батареей. На самомделе конкретная работа устройства гораздосложнее и имеет вероятностный характер,эа счет конкретной программы, организую 35 щей взаимодействие секции в зависимостиот сложившейся ситуации.После запуска устройство...

Номер патента: 1831399

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Вальтер, Карл

МПК: B21D 43/00

Метки: накопитель, промежуточный

...19, а также двигатель 20 для продольного движения (горизонтально) перемещаемой по направляющим рельсам 19 монтажной плиты 20, 21 - это ходовой винт, 22 - гайка для передачи движения от двигателя 20 монтажной плите 20, 23 - направляющие монтажной плиты 20,По монтажной плите 20 в направляющих 24 и 25 может горизонтально, но поперек описанному выше движению перемещаться скользящая плита 26. Это движение осуществляется посредством закрепленного на монтажной плите 20 двига. теля 27, приводимого им во вращени ходового винта 28 и установленной н скользящей плите 26 гайке 29.Скользящая плита 26 в опорной раме 3( удерживает направляющие колонны 31,которых с возможностью вертикального пе ремещения установлены направляющи скалки 32....

Номер патента: 1837754

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Высоцкий, Илясов

МПК: A01K 1/01

Метки: горизонтальный, накопитель, отстойник

...примыкающий к навесу 22 отстойника.Горизонтальный отстойник-накопитель работает следующим образом, 20По напорному трубопроводу 17 и патуубкам 19 исходная суспензия подается в отстойник 1 и опускается на днище 10. Суспензия от,оси отстойника 1 движется к боковым стенкам, где установлены дренаж ные фильтрующие решетки 4. В это время начинается фильтрование через решетку 4 и ветвь ленточного транспортера 6, примыкающую к решетке 4 и стенкам корпуса 2.Жидкая фракция поступает в полость 14 30и через перфорированный барабан 8 сновафильтруется через внутреннюю сторону ленточного транспортера 6.По мере наполнения отстойника 1 фильтрование происходит через твердую фрак цию и транспортер 6, что улучшает качество жидкой фракции.После...

Номер патента: 2005319

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Воловник, Савинова, Томозов

МПК: G11B 20/10

Метки: видеокассете, информации, накопитель

...переход от неизбыточного двоичного кода, в котором информация поступает иэ персональной электронной вычислительной машины, к избыточному корректирующему коду, позволяющему исправлять ошибки, Закодированная информация в объеме, который может быть записан на один трек,5 10 15 20 25 30 35 40 45 передается в буферное запоминающее устройство 13 для временного хранения. Буферное запоминающее устройство 13 служит также для согласования временных диаграмм работы персональной ЭВМ и видеомагнитофона, Иэ буферного запоминающего устройства 13 закодированная информация пословно передается в блок 1 последовательно - параллельного преобразования, где происходит преобразование параллельного кода в последовательный. Запись на магнитную ленту (через...

Номер патента: 1378681

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: G11C 11/40

Метки: включением, изменяемым, матричный, мдп-транзисторах, накопитель, пороговым

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗМЕНЯЕМЫМ ПОРОГОВЫМ ВКЛЮЧЕНИЕМ , содеpжащий ячейки памяти, каждая из котоpых состоит из гpуппы запоминающих тpанзистоpов, пpичем в каждой стpоке затвоpы гpупп тpанзистоpов подключены к соответствующей числовой шине, а истоки и стоки гpупп тpанзистоpов в каждом столбце соответственно объединены, отличающийся тем, что, с целью повышения быстpодействия матpичного накопителя, он содеpжит дополнительные числовые pазpядные и упpавляющие шины, а в каждую ячейку памяти введены упpавляющие МДП-тpанзистоpы, исток пеpвого упpавляющего МДП-тpанзистоpа подключен к истокам запоминающих тpанзистоpов данной ячейки памяти, к стокам котоpых подключен сток втоpого упpавляющего МДП-тpанзистоpа, пpичем в каждой...

Номер патента: 1494785

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Кононов, Коняев, Коробков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, информации, накопитель

1. Накопитель информации, содержащий шины выборки строк и шины выборки столбцов, в узлах пересечения которых расположены элементы памяти, каждый из которых состоит из триггера и четырех транзисторов связи, истоки первого и третьего транзисторов связи соединены с прямым выходом триггера, а истоки второго и четвертого транзисторов - с инверсными, шины прямых и инверсных данных строк и шины прямых и инверсных данных столбцов, стоки первого и второго транзисторов связи элементов памяти подключены к соответствующим шинам прямых и инверсных данных столбцов, а затворы - к соответствующей шине выборки столбцов, стоки третьего и четвертого транзисторов связи элементов памяти подключены к соответствующим шинам прямых и инверсных данных строк, а...

Номер патента: 1436735

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Колкер, Крюков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой размещены первая и вторая диффузионные области первого типа проводимости, первая и вторая диффузионные области второго типа проводимости, третья диффузионная область второго типа проводимости, на поверхности первой диффузионной области первого типа проводимости расположен первый диэлектрический слой, на поверхности которой размещен второй диэлектрический слой, а на поверхности третьей диффузионной области второго типа проводимости размещен третий диэлектрический слой, на поверхностях второго и третьего диэлектрических слоев расположены плавающие затворы, выполненные из поликристаллического...

Номер патента: 1378682

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, диффузионные слои первого типа проводимости, размещенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, диффузионные области второго типа проводимости, размещенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки между диффузионными слоями первого типа проводимости, первый, второй, третий, четвертый и пятый диэлектрические слои разной толщины с отверстиями, расположенные на поверхности одного из диффузионных слоев первого типа проводимости, второй диэлектрический слой расположен на поверхности другого диффузионного слоя первого типа проводимости, третий диэлектрический слой расположен на поверхности...