Устройство стирания ультрафиолетовым излучением данных в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств

1508198 СОЮЗ СОВЕТСКИХ,СОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 50 4 С 06 С 5/О ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ орско В,Кузнецов)ельство СССР 3438226, Н 05 К 5/02, опуб елевое отверстие Изобретение относитсльной технике и автом в боковой част ы 9, рефлектор трафиолетового вычисли зирован ндри- фокусГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ПЮТ СССР ВТОРСНОМУ СОИ ТЕЛЬСТВУ(54) УСТРОЙСТВО СТИРАНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ ДАННЫХ В МИКРОСХЕМАХПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩ 1 Е УСТРОЙСТВ ным системам управления,Цель изобретения - повышение надежности и упрощение устройства,На чертеже представлено предлагаемое устройство,Устройство содержит корпус 1к дну которого жестко прикрепленынаправляющие 2 (максимальные габариты платы могут составлять 280 хх 135 мм), расположенные параллельнодруг другу на расстоянии, равном ширине вставляемой платы 3 с размещенными на ней подлежащими стиранию микросхемами 4, промежуточную пластину 5, устанавливаемую параллельноплоскости платы 3 на расстоянии 23 см, с окнами б, откидную крышку 7 2(57) Изобретение относится к вычислительной технике и автоматизированным системам управления, Цель - повышение надежности и упрощение устройства, Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем корпус с крышкой, источник УФ-излучения, рефлектор и промежуточную пластину, в нижней части корпуса параллельно друг другу размещены направляющие, в боковой части корпуса выполнено щелевое отверстие для ввода платы с микросхемами в направляющие, параллельно плоскости плиты закреплены сменная промежуточная пластина с окнами, источник УФ-излучения и рефлектор, 1 ил. корпуса 1, кронштеин10 и источник 11 уль(УФ) излучения,.Расстояние от источника 11 доплаты 3 выбирается исходя иэ структуры формирования пучка, В качестверефлектора 10 используется цилическое зеркало радиусом 70 мм сным расстоянием 35 мм,Выполнение рефлектора 10 в видецилиндрического зеркала обусловлено,тем, что для облучения используетсяисточник с телом свечения, приближающимся по величине к максимальному раэмеру освечиваемой платыРадиус цилиндрического зеркала выбран равным 70 мм, а угол охвата сооставляет 100, Отражающая поверхностьФормула Устройство стирания ультрафиолетовым излучением данных в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, содержащее корпус с крьппкой, источник УФ-излучениями рефлектор и промежуточную пластину, отличающееся тем, что, с целью повьппения надежности и упрощения устройства, в нижней части корпуса размещены направляющие параллельно одна друтсой на расстоянии, заданном геометрическими размерами расположенной на них платы, с подлежащими стиранию микросхемами, в боковой стене корпуса выполнено щелевое отверстие для ввода платы в направляю щие, источник УФ-излучения и рефлектор закреплены параллельно плоскости платы, над которой размещена сменная промежуточная пластина с окнами, расположенными над микросхемами, в которых производится стирание данных,3 1508198зеркала выбирается из условия использования в процессе стирания толькоУФ-части потока излучения источника(остальная часть потока излучениятолько нагревает плату и микросхемычто нежелательно), поэтому зеркалодолжно иметь большой коэффициент очеражения только в УФ-участке спектра.В качестве источника УФ-излучения 10использована лампа ДРТс длинойразрядного промежутка 135 мм и ста"бильными спектральными характеристиками в интервале 0,23-0,32 мкм,Устройство работает следующим образом.. Через щелевое отверстие 8 для ввода плат 3 по направляющим 2 на корпусе 1 в поле УФ-излучения, сформированное источником 11 и рефлектором 10,20вставляется плата 3 с микросхемами 4,подлежащими стиранию. Исходя из разме-ров, конфигурации и расположения наплате 3 стираемых микросхем 4 выбирают сменную промежуточную пластину 5с заданными окнами 6. Установка по .месту промежуточной пластины 5 осуществляется при открытой откидной,крышке 7, которая после установки закрывается, Откидная крышка 7 служит 30для защиты обслуживающего устройствоперсонала от Уф-облучения,Далее включают источник 11 УФ-излучения и после выхода его на режим (зазадано в ТУ на источник) осуществляют 35стирание микросхем 4 на вставленной вустройство плате 3, После окончаниястираниявремя стирания определенов ТУ на микросхемы или обеспечивается проверкой электрическим способом)40 плату вынимают и, не отключая источника 11, через отверстие 8 по направляющим 2 вставляют очередную плату 3 и соответствующую ей пластину 5. При этом, если требуется заменить пластину 5, источник 11 излучения отключа" ется, крышка 2 корпуса 1 откидывается и т,д,Изобретение дает возможность обеспечить надежное УФ-стирание любых микросхем ППЗУ, значительно упростить эксплуатацию при малом времени обслуживания, имеет высокую технологичность изготовления, простоту конструкции и низкую стоимость. и з о б р е т е н и яедактор А,Ог ктор Н.Борисов КНТ СССР оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 10 ЗакаНИИПИ 5541/50 Тираж 668 Государственного комитета по 113035, Москва, Я"3