Патенты с меткой «конденсатора»

Номер патента: 1593488

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Демиденко, Карманенко, Северюхина, Ткаченко

МПК: H01G 4/14

Метки: диэлектриком, конденсатора, пленки, полиимидной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРА С ДИЭЛЕКТРИКОМ ИЗ ПОЛИИМИДНОЙ ПЛЕНКИ, включающий намотку секций и их термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур до 250oC, термообработку секций осуществляют при температуре 310 350oС в течение 4 6 ч.

Номер патента: 1342325

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ильин, Северюхин, Филатова, Хаецкий, Шевцов

МПК: H01G 4/32

Метки: конденсатора, рулонного

Способ изготовления рулонного конденсатора, включающий размещение секции в оболочке из термоусаживающегося материала, термообработку, пропитку жидким диэлектриком и герметизацию секции и пропиточного отверстия, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления, перед операцией размещения секции в оболочке из термоусаживающегося материала на внутреннюю поверхность оболочки наносят пленкообразующий раствор поливинил-бутираля в этиловом спирте, а после размещения секции в оболочке из термоусаживающегося материала осуществляют частичную герметизацию секции путем ее термообработки, после чего осуществляют пропитку секции жидким диэлектриком и герметизацию пропиточного отверстия.

Номер патента: 1581097

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Селезнев, Смолкин, Ткал

МПК: H01G 4/10

Метки: конденсатора, тонкопленочного

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий формирование нижней обкладки путем нанесения пленки алюминия на диэлетрическую подложку, формирования слоя оксида алюминия анодированием нижней обкладки и нанесение верхней обкладки, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя и повышения влагостойкости, после анодирования проводят совместную обработку сформированного слоя оксида алюминия, пленки алюминия и диэлектрической подложки со стороны оксида алюминия излучением лазера с длиной волны 1,06 мкм в режиме свободной генерации с плотностью энергии (1,5-3,5) 104Дж/м2.

Номер патента: 1817606

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Воронин, Красницкий

МПК: H01G 4/00

Метки: интегральной, конденсатора, схемы

...специальной конфигурации первой обкладки, поэтомч эта часть слоя должналегко удаляться в травителях, для этого могут использоваться более рыхлые пленки по сравнению с остальными частями слоя, например, пленки фосфорно-силикатного стекла, скорость травления которых в травителях состава НГ:Н 20 в 3-5 раз вышескорости травления среднетемпературного окисла;средняя часть слоя может использоваться, если нижняя часть слоя все-таки несколькоподтравливается в травителях при удалении верхней части, что будет ухудшать изолирующие свойства, поэтому средняя часть слоя будет служить в качестве стоп-слоя, предотвращающего подтравливание нижней части слоя, для этого используется пленка нитрида кремния, которая устойчива к травителям типа НР:Н...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1825277

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Беспальченко, Верещагин, Донская, Кокин, Меленко, Товмасян

МПК: H05B 33/00

Метки: конденсатора, электролюминесцентного

...изготовления электролюминесцентного конденсатора, включающий последовательное нанесение на первый электрод, в качестве которого используют токопроводящую подложку, защитно-отражающего слоя из смеси двуокиси титана и стекла люминофорно-диэлектрического слоя с последующим чения при том же времени полуспада яркости, что и у необлученных ЭЛК, является аргументом в пользу предположения о том, что за наблюдаемый эффект ответственно увеличение именно начального тока, а не напряжения на зернах люминофора (скорость старения увеличивается с ростом напряжения), Тем не менее нельзя полностью отбросить возможность влияния на яркость облученных ЭЛК и свойств прозрачного электрода.Предлагаемый способ применим прежде всего для изготовления ЭЛК...

Номер патента: 1426310

Опубликовано: 27.03.1997

Автор: Кузнецов

МПК: H01G 2/10

Метки: емкости, конденсатора, корпус, переменной

1. Корпус конденсатора переменной емкости, содержащий секции, разделенные перегородками, боковые окна, выполненные в боковых стенках корпуса и соединяющие верхние и нижние секции перемычки, расположенные под прямым углом к поверхностям стенок, ограничивающие продольные части окон, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности, в верхней перемычке выполнены уступы напротив каждого бокового окна высотой, равной толщине боковой стенки, при этом каждая из частей боковых стенок, ограничивающая продольные части окон, соединена с верхней перемычкой.2. Способ изготовления корпуса конденсатора переменной емкости, включающий заполнение внутренней полости литейной формы для литья под давлением жидким расплавом, формирование...

Номер патента: 1382286

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Радаев

МПК: H01G 13/00

Метки: вакуумного, зазора, конденсатора, межэлектродного, регулировки

Способ регулировки межэлектродного зазора вакуумного конденсатора, включающий измерение емкости конденсатора при фиксированном перекрытии электродов и вращение пакетов электродов один относительно другого до величины минимальной емкости, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности, до измерения емкости конденсатора его располагают горизонтально, а измерение емкости осуществляют при вращении его вокруг продольной оси с фиксацией в пределах оборота положения при максимальной величины емкости, а после вращения пакетов электродов один относительно другого до величины минимальной емкости производят повторные вращения конденсатора и повороты пакетов электродов до изменения...

Номер патента: 1507106

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Радаев

МПК: H01G 5/013

Метки: вакуумного, емкости, конденсатора, переменной, сепаратор

Сепаратор вакуумного конденсатора переменной емкости, содержащий обойму с расположенными рядами отверстиями с ограничительными буртиками и размещенные в отверстиях шарики качения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, ограничительные буртики выполнены на наружной стороне обойме, а на диаметрально противоположной каждому отверстию с ограничительным буртиком стороне обоймы выполнены отверстия с диаметром, превышающим диаметр шарика качения, причем отверстия в соседних рядах смещены между собой в шахматном порядке, общее количество рядов при этом равно 4n, где n - одно из нечетных натуральных чисел от 3 и выше, причем отверстия с ограничительными буртиками при n - нечетном...

Номер патента: 368814

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Радаев, Симонова

МПК: H01G 5/015

Метки: вакуумного, емкости, конденсатора, переменной, токосъемное

Токосъемное устройство вакуумного конденсатора переменной емкости, выполненное в виде установленных параллельно друг другу гибких плоских колец, соединяющих пакет подвижных электродов с внешним выводом, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, на внутренней поверхности каждого кольца размещена отожженная медная лент в виде синусоиды, соединенная с пакетом подвижных электродов.

Номер патента: 1417689

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Радаев, Шокоров, Юринов

МПК: H01G 5/015

Метки: вакуумного, емкости, конденсатора, переменной, повышения, стабильности, температурной

Устройство для повышения температурной стабильности емкости вакуумного конденсатора переменной, выполненное в виде цилиндрического стакана с опорной поверхностью и центральным отверстием для размещения регулировочного винта механизма возвратно-поступательного перемещения пакета подвижных электродов, отличающееся тем, что, с целью уменьшения габаритов, оно снабжено опорным основанием и полыми цилиндрами, коаксиально размещенными в цилиндрическом стакане один относительно другого и соединенными последовательно, причем на торцовых поверхностях полых цилиндров и опорного основания выполнены угловые скосы, а полые цилиндры выполнены из материалов с чередующимися величинами коэффициентов...

Номер патента: 1547664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Васильев, Карасев, Мустафа, Угренинов

МПК: H03K 3/53

Метки: заряда, конденсатора, накопительного

Устройство для заряда накопительного конденсатора, содержащее два входных тиристора и два дозирующих конденсатора, соединенных в мостовую схему, точка соединения анодов входных тиристоров через входной дроссель и точка соединения дозирующих конденсаторов подключены к шинам источника питания, два шунтирующих диода, соединенных анодами, два зарядных тиристора, катодами подключенные к крайним выводам первичной обмотки трансформатора, средний вывод которой соединен с точкой соединения дозирующих конденсаторов, вторичная обмотка трансформатора через мостовой выпрямитель подключена к накопительному конденсатору, анод каждого разрядного тиристора соединен с катодом одного из шунтирующих диодов и с...

Номер патента: 1547665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Васильев, Карасев

МПК: H03K 3/53

Метки: заряда, конденсатора, накопительного

Устройство для заряда накопительного конденсатора, содержащее два входных тиристора и два дозирующих конденсатора, соединенных в мостовую схему, точка соединения анодов входных тиристоров через дроссель и точка соединения дозирующих конденсаторов подключены к шинам источника питания, параллельно дозирующим конденсаторам подключены диоды, причем их катоды подключены к точке соединения дозирующих конденсаторов с катодами входных и анодами зарядных тиристоров, катоды зарядных тиристоров подключены к крайним выводам первичной обмотки трансформатора, имеющей средний вывод, вторичная обмотка трансформатора через мостовой выпрямитель соединена с накопительным конденсатором, отличающееся тем, что,...

Номер патента: 1547663

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Боровой, Васильев, Дмитриев, Карасев, Решидов, Угренинов

МПК: H03K 3/53

Метки: заряда, конденсатора, накопительного

Устройство для заряда накопительного конденсатора, содержащее первый и второй входные тиристоры, соединенные анодами и через входной дроссель подключенные к положительной шине источника питания, первый, второй шунтирующие диоды, параллельно которым подключены соответственно первый и второй дозирующие конденсаторы, первый и второй зарядные тиристоры, катоды которых соединены с крайними выводами первичной обмотки трансформатора, средний вывод которой соединен с отрицательной шиной источника питания, вторичная обмотка трансформатора через мостовой выпрямитель подключена к накопительному конденсатору, анод каждого разрядного тиристора соединен с катодом соответствующего шунтирующего диода и...

Номер патента: 699949

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Алесковский, Васильев, Ежовский, Елисеев, Кольцов

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсатора, тонкопленочного

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий нанесение слоя оксида тантала или ниобия и слоя оксида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик, слой оксида кремния наносят многократной попеременной обработкой слоя оксида тантала или ниобия при температуре 100 - 180oC в вакууме парами четыреххлористого кремния и воды, причем толщина слоя оксида кремния составляет 10 - 100