Патенты с меткой «гальванического»

Номер патента: 208781

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андрющенко, Байрачный, Харьковский, Якименко

МПК: H01M 4/38, H01M 4/50, H01M 6/04 ...

Метки: гальванического, электролит, элемента

...тока, большой саморазряд,С целью улучшения электрических характеристик в предлагаемый электролит вводят фосфаты натвия, например, ниро- или полифосфат натрия в количестве 100 в 2 г/л. Предложено также применять этот электролит для гальванических элементов с положительным электродом из двуокиси марганца и отрицательным электродом из цинка или железа.Для гальванического элемента железо-марганцевой системы оптимальным является электролит, содержащий 150 - 200 г/г хлористого аммония ХН,С 1, 100 - 200 г/л пирофосфата натрия Ха 4 РсО, 10 Н 20, Поскольку сулема вещество очень токсичное, вместо нее вводится каломель НдвСс в количестве 0,5 - 1 г/л; рН такого раствора находится в пределах 7,8 - 8,2.Вместо пирофосфата натрия в электролит...

Номер патента: 213510

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вальтер, Каданов, Шингарев

МПК: C25D 17/00

Метки: автоматическая, гальванического, линия, покрытия

...ванны в продольном разрезе.Линия состоит из ряда ванн 1 (фиг, 1), расположенных по ходу технологического процесса. Детали, уложенные на горизонтальные направляющие, передвигаются по ним при помощи качалок 2, которые представляют собой рамки с натянутыми струнами, свободно висящие на коленчатых валах 3. За один оборот валиков струны качалки подхватывают детали и перемещают их на установленный шаг. Качалка 4 тальваническ вместо натянутых струн и по которым вверх и вниз грузики б, расположенные 5 случае на каждую деталь грузик. Эти грузики однов коподводами к деталям и направляющим 8, которые две пластины со щелью дл 0 той части детали, которая ванопокрытию. Направля навливать в несколько ряд требуемой производительн5 Гальваническая...

Номер патента: 269049

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Иностранец, Иностранна

МПК: H01M 2/02, H01M 6/08

Метки: гальванического, сборки, элемента

...и сборке элемента.По предложенному, способу для автоматизатии процесса предлагается донную часть стаканчика с уплотнительной чашей до установки пластмассовой оболочки дополнительно обжимать до диаметра стаканчика в верхней части путем, например, протягивания через фильеру. Предлагаемый способ заключается в следующем.На донную часть полого стаканчпковогоэлектрода устанавливают металлическую ча шу уплотнения, глубина которой равна нескольким миллиметрам, а внутренний диаметр на 0,1 - 0,2 лл больше наружного диаметра стаканчика, и сжимают одновременно чашу н донную часть стаканчика путем, например, 10 протягивания через фпльеру так, чтобы наружный диаметр чаши стал равен наружному диаметру стаканчика в местах, не подвергшихся...

Номер патента: 288067

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бузова, Герцик, Зюзин, Набиуллин

МПК: H01M 6/00

Метки: гальванического, электрода, элемента

...На боковой поверхности оправки имеются от. верстия 8, сообщаюшиеся с полостью цилиндра, В полости цилиндра установлен пуансон 4, предназначенный для перепрессовывания массы 5, подаваемой в виде таблетки 6 в полость цилиндра и через отверстия в полость, образованную степками корпуса 7 элемента, поверхностью оправки и ограничительной шайбой 8.5 Для предотвращения деформации корпуса элемента под давлением прессуемой массы его помешают в матрицу 9, дном которой служит выталкиватель 10. С целью возврата выталкивателя в исходное положение установлена пру жина 11, опирающаяся одним концом в корпусматрицы, а другим в шток выталкивателя.В торце оправки имеется полость 12, используемая как воздушная камера.Работа устройства. В окно цилиндра 1...

Номер патента: 292320

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Библио, Иностранец, Миостраииа, Плтг

МПК: G03D 3/00, G03F 7/16

Метки: гальванического, пленки, растровой, цилиндрической

...наружной поверхности д значительно больше диаметра Вг на внутренней поверхности 4 трафарета. Однако для применения в качестве растровой пленки размер светопроницаемых отверстий должен быть приблизительно равен 1 з. Очевидно, что трафарет 1 не может быть использован в качестве растровой пленки, так как диаметр 0 для светопроницаемых отверстий слишком мал. Но этот трафарет можно применять как начальную матрицу, устанавливая его ца растяжимую оправку, например ццсвматцческц цадувасмую плц ца гидравлически расширякццийся цилиндр, так чтобы наружный дпаметр трафарета 1 мог быть уцслцчсц па несколько сотых миллиметра, т, с. примерно ца толщину металлического слоя, который должен быть изготовлен. Затем отверстия 2 закрывают изолирующим...

Номер патента: 295269

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранец, Иностранна

МПК: C25D 11/08, C25D 13/00, C25D 5/00 ...

Метки: гальванического, нанесения, поверхности, покрытия

...алюминиевый лист может 55 быть подвергнут процессу старения в ванне из чистого лака при подаче переменного напряжения от 60 до 100 в.При мер 2. Для получения лакцровацпого 60 полупроводникового электрода стальной электрод с помощью вы:трямленного электрического гока покрывается в ванне в описанной выше последовательтост., после чего промывается и обжигается, 65Состав ванны (в вес, ч.):Двуокись титанаРастворимая затвердевающаяфенольная смолаВода 20 15 Концентрат разбавляется водой до содер;кания твердых частиц - 10 ото, с помощью раствора амина устанавливается величина рН 7,5.Необходимо отметить, что независимо от того, состоят эти листы из зачищенттого или незачищенного железа, из меди или цз другого металла, или из...

Номер патента: 302772

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Банных, Бов, Богородский, Иванов, Кожевников, Мазнин, Поспелов, Терентьев, Тишкина, Химанин

МПК: H01M 4/12, H01M 4/46

Метки: гальванического, отрицательного, резервного, электрода, элемента

...снижается, потенциал магния. Снижение потенциала магния обусловлено наличием на его поверхности устойчивого к действию щелочи интерметаллидного соединения, образованного в процессе прокатки сплава в алюминиевой плакировке. Последующая механическая зачистка улучшает электрохимические свойства сплава, но не в достаточной степени в связи с,неравномерностью толщины интерметаллидного слоя по,поверхности магний-ртутного сплава, Причем более глубокая зачистка,не дает гарантии его удаления.Целью изобретения является увеличение разрядного напряжения,и повышение удельных электрических характеристик.Это достигается тем, что поверхность магний-ртутного сплава после обработки в щелочи подвергают травленню,в серной кислоте уд. в, 1,72 - 1,77...

Номер патента: 307580

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Акио, Иностранна, Иностранцы, Сикаеси, Хидео

МПК: C25D 17/18

Метки: гальванического, детали, мелкие, нанесения, покрытия

...не показан), нагревателя 5, кольцевого анода 6, поплавка 7 и расположенного внутри емкости 1 дополнительного цилиндра 8, в нижней перфорированцыеси Томита и Акио Сузуки нои части которого разм ра 2, выполненная в вид полусферического поддон временно катодом.Рабочая камера а внешняя поверхно ным материалом, н р р тлон.После загрузки деталями рабочей камеры включают ее механизм вращения. При вращении рабочей камеры детали отбрасываются за счет центробежной силы к периферии рабочей камеры (см. фиг. 3), совершая при этом совместно с валом 4 вращательные движения, Перемещаясь в направлении периферии, детали удаляются друг от друга, причем увеличение расстояния между ними позволяют деталям, находящимся в верхней части массы, опускаться вниз,...

Номер патента: 309552

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Андрэ, Жан, Иностранцы, Сосьетэ, Франци

МПК: H01M 6/06, H01M 6/22

Метки: гальванического, сухого, цинк-марганцевого, электролит, элемента

...цинка и загуститель - крахмал.При использовании такого электролита в сухом цинк-марганцевом гальваническом элементе в процессе разряда происходит разжижение электролита с увеличением его объема, Следствием этого является утечка электролита из элемента.Цель изобретения - обеспечить максимальную желатинизацию электролита. Это достигается тем, что хлористый цинк взят в количестве 300 в 9 г/л, а загуститель - в количестве 200 в 6 г/л и состоит из смеси кукурузного и картофельного крахмалов с сетчатой структурой в соотношении 32: 68.При этом уменьшается и стабилизируется набухание гранул загустителя в растворе электролита и предотвращается их растрескивание не только при образовании геля, но и при протекании электрохимических реакций.Зерна...

Номер патента: 311318

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Калининское, Патев

МПК: H01M 2/10, H01M 2/20, H01M 6/00 ...

Метки: автоматическое, гальванического, клеммной, панели, сборки, элемента

...25 (см, фиг. 1) рычагами Зб соединен с прижимами 37, установленными подвижно в направляющих 7 конвейера б(см. фиг. 5),Направляющие служат для перемещения спутников и одновременно на каждой позиции совместно оо спутником образуют неподвижный пуансон, конструкция которого обеспечивает выполнение технологической операции, производимой на данной, позиции.На первой позиции (см. фиг. 2) верхние кромки направляющих имеют скосы, которые со скосами на опутнике образуют воронку для захода контактов 15 в соответствующие пазы- спутника, На второй позиции (см, фиг. 3) верхние кромки направляющих, обращенные к спутнику, выполнены под прямым углом для отгиба контактов 15 выступом 27, а,нижние кромки 38 подпружинены и выполняют роль прижима...

Номер патента: 326251

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кудр, Липкина, Марченко, Рыб, Скалозубов, Юринска

МПК: C25D 3/22

Метки: гальванического, цинкования

...интервал рабочих плотностей тока.Описываемый способ заключается в том,что цинк осаждают из электролита, в составкоторого входят (в г/л):Окись цинкаХлористый аммоний 1УротропинБорная кислотаГидрат окиси аммония(25%-ный), мл/л 50 - 125Ванилин 5 - 9 Цинковые осадки получаются блестящими(отражают печатный шрифт), коррозийноПриготовление э гектролита. При температуре 70 - 80 С растворяют в воде хлористый аммоний, уротропин и борную кислоту. В полученном растворе при перемешивании рас творяют окись цинка и ванилин и добавляютрасчетное количество гидрата окиси аммония, после чего раствор подогревают до темпера.туры 90 С, а затем охлаждают до комнатной температуры.15 Ванилин можно вводить в электролит идругим способом, В небольшом...

Номер патента: 337440

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кириченко, Рахматуллин, Шсесо

МПК: C25D 17/08

Метки: гальванического, покрытия

...анодов и устранению экранирующего действия токоподводящих стержней. ванического поастин радиатоые и вертикаль- и держателями. я интенсификания плотности тановочные дерикальных стержкальной плоскоподвеска, общии15 нтальных стержи 2 с установочы 4 с серьгой и Подвеска дляталей, напримержащая горизонтани с установочни 1 аяся тем, что,нологического пртели расположенпод 40 - 50 к ввески. гальванического пластин радиа льные и вертика ыми держателя с целью интенси оцесса, установ ы на вертикалы ертикальной плпокрыти торов, с льные с ми, отл фикации очные де тых стер оскости я де- одер- терж- ичаю- тех- ржажнях поддля придания2 асположены на 40 - 50 к вертиИзобретение относится к нанесению гальванических покрытий.Известна подвеска для галькрытия...

Номер патента: 405146

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Адам, Апирина, Белышев, Гантман, Горохов, Пенькова, Тризно

МПК: H01M 2/16, H01M 6/08

Метки: гальванического, марганцевоцинковой, системы, элемента

...среды;3) растрескивание цинковых электродов при последующем изготовлении элементов вследствие переамальгамации цинка,Целью изобретения является упрощение технологии, уменьшение токсичности, улучшение удельных электрических характеристик элемента. Это достигается тем, что сулему вводят вэлектролит для пропитки бумажного сепаратора в количестве 16 - 20 г/л.Предложенный способ заключается в сле дующем. В стаканчиковый отрицательныйэлектрод помещают диафрагму, состоящую из предварительно загущенного электролита, сулемы и пропитанного в электролите бумажного сепаратора. При этом исключается введе ние сулемы в пасту, поскольку вся сулема, содержащаяся в элементе в количестве 16 - 20 г/л, вводится в электролит для пропитки бумажного...

Номер патента: 367541

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Борде

МПК: H03M 1/00, H03M 1/50

Метки: аналоговых, гальванического, разделения, сигналов

...низкое быстродогрсшность и низкая надедлагаемое устройство отлого тем, что в нем с цельсти и быстродействия выхя на 1 пряжения в скважцосимпульсный трансформатовочньви входами триггеро соединены со входамц под последнего - с фцльтро базы, резистор 12 на входе фильтра, фльтр 18 (пассивный цлц активный),Устройство раоотает следующим образом.При нулевом входном напряжении ., час тота сигналов на выходе преобразователя 5максимальна и сигналы установки и сброса триггера 8:поступают через равные временные интервалы. Нулевому состоянию триггера 8 соответствует открытый транзистор 10 пере ключателя ц закрытый транзистор 9, резистор12 подключен к положительному источнику опорного напряжения, Единичному состоянию триггера 8...

Номер патента: 374385

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C25D 17/06, C25D 19/00

Метки: гальванического, покрытия

...в сторону сжатия пружин 9, воздействуют на зажимы 4, поворачивая их до образования необходимого для входа детали раствора губок, При сходе копирных роликов с копиров штоки под действием пружин возвращаются в исходное положение - происходит захват изделия. При вращении ротора детали, закрепленные в подвесках, транспортируются последовательно по операциям технологического процесса,Погружение в ванны и выход из них осуществляется посредством копира 7, воздействующего на копирный ролик б, жестко связан. ный с державкой подвески, Последняя совершает качательные движения в вертикальной плоскости вокруг оси 10.В процессе обработки, перехват детали с изменением мест его крепления производится от копиров 7 воздействием штоков 5 на зажимы 4...

Номер патента: 378551

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Арапов, Климин

МПК: C25D 17/06

Метки: гальванического, осаждения

...и имеющимп выводы наружу выше уровня электролита, с источником питания 2. Каждый пружинящий контакт изолирован от электролита уплотняющей прокладкой 14 и с помощью винта 15 вводится в контакт с одной из шин.Контактная рамка состоит из основания 15, крышки 17, фиксаторов 18 и 19, осей 20. Ванна 1 для установления контактной рамки имеет направляющие пазы (на чертежах не показаны). В основании 1 б рамки сделано окно, размеры которого определяются размерами получаемой структуры, Крышка 17 прижимает матрицу 4 к пружинящим контактам б, 7, 8 и 9 и прокладкам, С основанием 1 б крышка 17 связана шарнирно посредством осей 20,В закрытом положении контактная рамка запирается фиксаторами 18 и 19.Устройство работает следующим образом....

Номер патента: 418566

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Павленко, Романенко

МПК: C25D 3/56

Метки: гальванического, железа, осаждения, сплавов, электролит

...аммоний.Предложенный электролит позволяет получать мелкокристаллические, блестящие, пластичные, хорошо сцепленные с основой покрытия сплавом железо - никель - вольфрам,Электролит отличается от известного тем, чтов него введен сернокислый никель,Электролит содержит, г/л:Сернокислое железо 15 - 25Сернокислый никель 15 - 25Щавелевокислый аммоний 180 - 200Вольфрамовокисль "монийВ указанном электроиплотности тока 10 - е40 - 60 С и рН 7 - 9.П р и м ер 1. В электролите, содержащем, г/л:Сернокислое железо 25Серцокислый никель 5Щавелевокислый аммоний 1Вольфрамовокислыйаммоций 80 при плотности тока 10 а/дм- "и температуре 40 С получают мелкокристаллические, блестящие осадки сплава железо-никель-вольфрам, содержащие 40% железа, 45% никеля и...

Номер патента: 424334

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Левитан, Шульгин, Юнгельсон

МПК: C25D 19/00, H05K 3/18

Метки: гальванического, плат, покрытияпечатных

...сфильтрами 14 и 15 и установлены в емкости 16 с электролитом 17.Фильтры 14 и 15, фильтру 1 ощ 1 й элемент которы.; выполнен цз металлической сетки, сое дицепы с соответству 1 ощцми входцымц отверстиями золотцикового клапана 18, связаццого через трубопроводь 1 19 и 20 соответственно с каналами 5 и 6 ф 11 льтр-прессцого электролизера 1.Устройство раоотает следующим образом.Электролит 17 прц помощи пасоса 12 поступает через фильтр 14 в открытую правую камеру золотццкового клапана 18 по трубопроводу 19 в канал 5 фпльтр-прессцого элек тролизера 1. Далее электролит через отверСтив 7 ЧСТНЬХ с 1 ПОНЫХ рдМ 2 ПопаЗС 1 В рс 1- .1 3, ПООХОИТ ЧЕРЕЗ ОТВСрСТН 5 ПЕса 1 НЫХ ПЛЗ 11, параллельно церез россе,.иру:о 1 цне отвсрспя 10 рдм 3 н нсчепыс...

Номер патента: 438778

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Бражников, Грачев, Иванов, Кузнецов, Куликовский

МПК: E21B 47/12, G08C 19/00

Метки: гальванического, забоя, информации, использованием, канала, передачи, связи, скважины

...работает следующим образом.25 Измеряемый забойный параметр, напримеросевое усилие на долото, преобразуется преобразователем 5 забойной информации в электрический сигнал, который через фильтр 6 верхних частот по одножильному кабелю 9, 30 смонтированному в нижнем участке 3 буринь438778 5 Предмет иУстройство для пер боя скважины с испо ского канала связи, с ловой блок, который с ним и нижним участк труб, и преобразовате ции, расположенный п зобретени едачи информации с зальзованием гальваничеодержащее турбину, сиоединен кабелем с верхами колонны бурильных ль забойной информаод изолятором-разделиНазаретова витель хред Т актор С. Титова Корректоры: Л, Котоваи Т. Хворова илк Заказ 3651/2ЦНИИ Изд,148 Государственного к по делам...

Номер патента: 469169

Опубликовано: 30.04.1975

Авторы: Бузова, Герцик, Коваль, Марфин, Набиуллин, Рабинович

МПК: H01M 1/00

Метки: введения, гальванического, заполнителей, корпус, токоотвода, элемента

...содержащий мундштук, клапаны и поршни; на фиг. 4 - разрез по А - А на фиг.3; на фиг, 5 - вид по стрелке Б на фиг. 3; на фиг, 6 показано устройство в работе; на фиг.7 - принципиальная схема предлагаемого устройства.Предлагаемое устройство состоит из мундштука 1, надеваемого на положительный электрод 2 либо на корпус гальванического элемента 3. Мундштук выполнен с концентричеЕ. М. Герцик, В.И, И. КовальКрасного Знамени научнотут источников токаустройство подготовлено к надеванию корпуса элемента 3 с положительным электродом 2 на мундштук 1, Надевание осуществляется штоком 19. После надевания корпуса с положительным электродом на мундштук и подачи токоотвода клапаны поворачиваются, соединяя полости цилиндров с соответствующими полостями...

Номер патента: 474572

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Нефедова, Хамаев

МПК: C23C 3/02

Метки: гальванического, медного, наращивания, покрытия, электролит

...ватостью, увеличивающейся с ростом сред за период плотности тока. Поэтому оса в дальнейшем подвергают химическому по рованцю для повышения чистоты повер сти. Поднять плотность рабочего тока вь 2 Л/дма не удается, так как резко увел в а ется кристаллическая шероховатость КРЫТ 151.Целью изобретения является у скорости осаждения покрытия и качества покрытия.Для этого в электролит введен окислит например бихромат калия, при следую соотношении исходных компонентов, г/л:Сернокислая медь 150 в 2 Серная кислота (плотность 1,87) 50 - 70Бихромат калия 10 - 20,Процесс электроосажденцяпульсном токе, в частностипромышленной частоты с длитпульса и паузы 10 мсек.5 Изобретение может быть пвано примером.Электрохцмцческое осаждендцтся в электролите,...

Номер патента: 98384

Опубликовано: 30.10.1975

Автор: Линеев

МПК: C23B 5/00

Метки: гальванического, мелких, покрытия

...разрез ванны; на сриг. 3 - схема перемещения деталей в Ванне.Устройство состоит из Вашы 1 и элеватора 2 для подъема обработагных деталей. Летали 3 засьпаются в бункер 4 и перемещаются с ПООньО элсктро ВГНПОВ ) ПО акл 051:вму ст 1 с 1 атому дну Ванны в узком наклонном пространстве между анодцыми пластинами 6 и ыаТОд 1 М 51 КоТактааИ Т В ПРОТИВОПОТОКЕ ПодогрЕТОГО НЕПРЕРЫВНО Обогащаемого электролита, Площадка 8 предназначена для перевертыван 5151 дета;ей в провессе Ооработки. Обработанные детВЛ 51 опадают закром 9, подгИцаютс 5 элеватором 2 в ковш 10, откуда ссьПаютс 51 в соорпик 11 электролита, ВыссепнОГО из Ванны, Электролит сливается в бак 12, а детали по лотку 13 попадают в перфорированное ведро 14Производитсльносгь устройства в 50 в...

Номер патента: 202681

Опубликовано: 25.03.1976

Автор: Дворецков

МПК: C25D 17/06

Метки: вкладышей, гальванического, лужения, одностороннего, подвеска, сталеалюминиевых

...пластмассового о цилиндра овального сечения.В стенках ци линдра 1 на равном расстоуга имеются сквозные отверстия, в,которые вставляются по двапостоянных магнита 2 призматической фор,мы,разделечные между собой медной прокладкой 3.На середине каждого магнитаи медной прокладкиимеется по сквозномуотверстию, через которое проходит медный стержень 4, Верхний конец стержнязаканчывьется крюком для подвешиван 1 яподвески на автомат, а нижний конец име ет нарезку для закрепления стержня в цилиндре при помоши гайки. Гайка прикрываетсяя, пластмассовым колпачком. Надеж;нов соприкосновение стержня 4 с медными,прокладками 3 обеспечивается стопорными 15 1 винтами, установленными в последних.На цилиндре для отделения обрабаты;ваемых изделий (вкладышей)...

Номер патента: 514922

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Гришаенков, Зильберман, Ивантер, Кубасов, Передков, Ходкевич, Якименко

МПК: C25D 3/50

Метки: гальванического, платинирования, титана

...в тепри 80 С.о ботанного по повторного ет 6 мг/см 3514922 Составитель ф, ЛьвовичРедактоР Л.НаРоднаЯ ТехРед А.Камышниковй 1 г рре т р Л Денискина Заказ 240/7 Изд. ИТираж 1068 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 Москва, Енисейская ул 2 "Гипроводхоз 3ный электрод и известный пдатинированный титановый электрод испытывают в качестве анода в.жестких условиях (50 О/с-ный растовор Н 2 5 04, температура 50 С, плотность2тока 0,1 а/см ). За 10 суток электролиза в 50%-ном Н 304 при 80 С потенциал электродов, изготовленных по предлагаемому способу, не изменяется и убыль веса9анода составляет 1 10 г/а час, тогда как 1 О для известного платинированного...

Номер патента: 521362

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Вороницын, Сирота, Шахбазов

МПК: C25D 17/10

Метки: гальванического, нанесения, покрытий, электрод

...устройства электролитом начинается процесс осаждения металла на поверхность детали или его снятие,в зависимости от полярности подведенноготока к детали и электроду. оПринудительное обновление электролитав межэлектродном пространстве и улучшенные, условия его отвода способствуютуменьшению газосодержания в покрытии. 4Производительность рроцесса электролиза и качество обработанной поверхности при этом значительно повышаются.Формула изобретенияЭлектрод для гальванического нанесения покрытий, содержащий корпус с каналами для подвода электролита, центрирующий и опорный диски, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью интенсификации процесса, повышения качества покрытий и упрощения конструкции электрода, корпус выполйен в виде системы...

Номер патента: 540352

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Морозов, Смигельский, Эпштейн

МПК: H03H 7/38

Метки: аналоговых, гальванического, оптоэлектронное, разделения, сигналов

...фотодиода соединен с инвертирую.щим входом первого усилителя постоянного тока, 1 нанод второго фотодиода с инвертирующим входомвторого усилителя постоянного тока, выход которого через резистор соединен с инвертируюцр 1 мвходом 21.Цель изобретения - обеспечить темпе ну 20стабилизацию нуля,Это достигается тем, что катоды первого ивторого фотодиодов соединены с общей шиной, аинвертирующий и иеинвертирующий входы первогои второго усилителя постоянного тока через рези. 25 ртеже показана принципиальная схема уст. Ужгорол,ул. Пч окв. я,7 б источником регулируемого напряжения 16 и черезрезистор 17 - со своим выходом,Инвертируюпп 1 й вход усилителя 13 соединенчерез резистор 18 с источником 16 и через резистор 19 - с общей щиноц,Выход...

Номер патента: 540946

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Гамер, Кочман

МПК: C25D 3/38

Метки: гальванического, меднения, стали, электролит

...кислота 84 - 168Сернокислый алюминий 1 ЗЗ - 266Фосфорнокислый натрий 20 - 60Щелочь До рН 8 - 93Приготовление электролита.Навески лимонной кислоты, сернокислоймеди, сернокислого алюминия и фосфорнокислого натрия растворяют в воде и растгоромконцентрированной щелочи доводят рН до8 - 9. Полученный раствор разбавляют до необходимого объема,Ниже приводятся примеры составов ванн ирежимов электролиза, при которых получаются плотные, мелкокристаллические покрытия,обеспечивающие очень высокую прочностьсцепления как со стальной основой, так и споследующими металлическими слоями. Анодный и катодный выходы по току во всех примерах равны 100%,П р и м е р 1. Электроосаждение меди настальные катоды осуществлялось из электролита следующего...

Номер патента: 606902

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Беляев, Тявловский, Филиппов, Хмыль

МПК: C25D 5/20

Метки: гальванического, изделия, кабельные, нанесения, покрытий, ультразвуковое

...нанесения гальванических покрытий, содержащее ванну, через дно которой проходят два плоских электрода, соединенные в верхней части траверсой, а в нижней части подсоединенные к ультразвуковым излучателям, Это устройство явля ется наиболее близким к описываемому изобрете. нию по технической сущности и достигаемому результату. Однако указанное устройство позволяет получать гальванические покрыпя только на ста. тически неподвижных деталях и конструктивно не пригодно для получения качественных гальваАНИЧЕСКОГО НАНЕСЕНИЯЗДЕЛИЯб 06902 Сосзавитель И. Саакова Техред К.Гаврон Корректор И. Гоксич Редактор Н. Корченко Тираж 73 В Поднисное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретениЯ и открьпиЯ 113035, Москва, Ж -...

Номер патента: 685730

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Цейтлин

МПК: C25D 17/16

Метки: гальванического, покрытия

...пересыпаниедеталей начинает происходить с площадки 17 на грань 18 в уже укаэанном порядке, с той лишь разницей, что в первом случае токонесущие стержни 15 и канавки 16 препятствуют сползанию деталей, а во втором случае - специально выполненные для этого грани 17 выступы 19. Цикл перемешивания заканчивается поворачиванием загрузочной камеры в ее исходное рабочее положение.Детали оказываются размещенными на катрдной площадке 14 равномерным слоем, который обусловливается углом наклона этой площадки при соответствующем диаметре токонесущих стержней 15. Пересыпание деталей при небольших слоях дает высокое йачество перемешивания, предельно сохраняя детали от всевозможных повреждений.Ток поступает от сети на стержень 5, далее через призму...

Номер патента: 711186

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Гогин, Кадкин

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванического, осаждения

...способа.Схема устройства содержит ванну 1, наполненную электролитом 2, цилиндрическую подложку-катод 3, анод 4, источник тока 5, переменный резистор 6 и амперметр 7, пеилиал П Уж горо атенг,Проектная,4 3 71 ременный резистор 8 и амперметр 9 в цепи подмагничивания, а также переменный резистор 10, включенный параллельно аноду.Переменным резистором 10 регулируют отношение падений напряжений на аноде 4 и катоде 3, причем сопротивление анода выбирают большим сопротивления катода, 11 ри помощи резисторов 6, 8 подбирают необходимые токи злектроосаждения Э и подмагничивания Дподм а при пдмощи. резистора 10 устанавливают практически равные величины падений напряженийна аноде и катоде, обеспечивающие получение однород-, ного...