Способ гальванического осаждения

ткс ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветсиинСоциалистическихРеслуолии(51)М. Кд,(22) Заявлено 13.01,78 (21) 2574018/22-02 с присоединением заявки М С 25 О 21/12 а 11 С 11/00 Вкуднрстнннньй квинтет СССР ао ленам нзобратеннй н етнрытнй.2 (088,8) Дата опубликования описания 25.01,80(54) СПОСОБ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ 10 Изобретение относится к гальванике и может быть использовано для осаждения на проволочную подложку-катод многоком. понентных магнитоанизотропных цилиндрических магнитных пленок (ЦМП), применяемых в цифровых вычислительных машинах в качестве запоминающей среды.Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предложенно. му является способ гальванического осаждения цилиндрических магнитных пленок, включающий погружение цилиндрической подложки-катода в ванну с электролитом и пролус. канне через нее тока. Согласно данному способу одинаковые концы анода и подложки- катода, погруженных в ванну с электролитом, присоединяют к плюсу и минусу соответст. венно источника тока элек 1 роосаждения, при. чем анод и подложку. катод также подключают идейтично обеими концами к источнику вспомогательного тока и источнику тока подмагничнвания соответственно через пере менные резисторы и амперметры. При этом вспомогательный ток, протекающий по аноду, расположенному параллельно катоду, обус. лавливает падение напряжения той же величины и знака, что и падение напряжения, созда. ваемое нг катоде током подмагничивания (11,Однако налище трех независимых источников тока влияет на процесс электроосажде. ния, ведет к нестабильности работы устройства и снижению однородности химического состава и надежности получаемых пленок.Целью изобретения является повышение качества осаждаемых пленок.Поставленная цель достигается тем, что катод и анод подсоединяют к источнику тока противоположными концами, а другие концы соединяют между собой через переменный резистор и амперметр, причем сопротивление анода выбирают большим сопротивления катодаНа чертеже изображена схема устройства для осуществления способа.Схема устройства содержит ванну 1, наполненную электролитом 2, цилиндрическую подложку-катод 3, анод 4, источник тока 5, переменный резистор 6 и амперметр 7, пеилиал П Уж горо атенг,Проектная,4 3 71 ременный резистор 8 и амперметр 9 в цепи подмагничивания, а также переменный резистор 10, включенный параллельно аноду.Переменным резистором 10 регулируют отношение падений напряжений на аноде 4 и катоде 3, причем сопротивление анода выбирают большим сопротивления катода, 11 ри помощи резисторов 6, 8 подбирают необходимые токи злектроосаждения Э и подмагничивания Дподм а при пдмощи. резистора 10 устанавливают практически равные величины падений напряженийна аноде и катоде, обеспечивающие получение однород-, ного гальванического покрытия на катоде,Проверку однородности гальванического покрытия производят по степени постоянст. ва магнитного потока пленки осажденной в неподвижном состоянии, При этом магнитный поток можно измерить при помощи ферротестера, снабженного в качестве щщикато. ра вольтметром средних значений.Анод для улучшения однородности галь ванического покрытия по окружности нодлож. ки-катода выполняют в форме "беличьего колеса", состоящего из платиновых проволок, соединенных на концах снаружи ванны ме таллическими кольцами, причем подложку. катод пропускают внутри по оси "беличьега колеса".Данный способ обеспечивает при помощи одного источника постоянного тока гальваническое осаждение магнитной пленки, подмаг. ничивание подложки катода, а также постоянство разности потенциалов между противо 1 г 1 Одм. 1186",г;положньАпг точками анода и подложки като.да по всей длйне. Кроме того, наличие одного источника тока облегчает установлениеи нодцержание наружного режима электроосаждения.Данный способ обеспечивает также ста..бильность процесса электроосаждения, в част.ности, колебание силы тока в цепи не из.меняет величины отношения падений напря.жений на аноде и катоде.Все зто позволяет удешевить устройсгводля получения цилиндрических магнитныхпленок, упростить процесс его эксплуатации,улучшить однородность гальванического покрытия и повысить надежность пленок. Формула изобретения Способ гальванического осаждения цито, линдрических магнитных пленок, включающий погружение Илиндрической подложки.катода в ванну с электролитом и пропусканиечерез нее тока, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что с целью повышения качества осаж 25 раемых пленок, подложку-катод и анод под.соединяют к источнику тока противоположными концами, а другие концы соединяют междуоэбой через переменный резистор и амперметр, причем сопротивление анода выбираютэо большим сопротивления катода.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент Франции Р 2041163,кл, О 11 С 11/06, 1971,ЦНИИПИ Заказ 8604/20Тираж 698 Подписное