Патенты с меткой «диэлектрического»

Страница 4

Датчик уровня диэлектрического вещества

Загрузка...

Номер патента: 1638558

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Ахобадзе, Совлуков

МПК: G01F 23/28

Метки: вещества, датчик, диэлектрического, уровня

...волновода (цилиндрический резонатор 1) представляет собой высокодоб ротный резонатор только для колебаний типа Но 1 р,Для волн других, более низких, типов Н 11, ЕО 1 и Н 21 труба 4 не создает условий для эффективного отражения вовнутрь, и добротность резонатора нэ этих типах колебаний является пренебрежимо малой величиной по сравнению с добротностью на колебаниях типа Но 1 р.В круглом волноводе волны типов Но 1 и Е 11 явля ются вы рожден н ы ми, но для последних отражатель 4 не является эффективным, вследствие чего добротность резонатора на колебаниях типа Е 11 также мала, Кроме того, для подавления колебанийтиповН 11, ЕО 1 р,Н 21 р,Е 11 р в резонаторе 1 могут быть выполнены поперечные щели вплоть до разрыва цилиндра по поперечному...

Устройство для диэлектрического нагрева древесины

Загрузка...

Номер патента: 1639962

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Апциаури, Басиладзе, Веселков, Дундуа, Кокая, Кублашвили, Торадзе, Шелленберг

МПК: B27K 5/06

Метки: диэлектрического, древесины, нагрева

...он показан пунктирным контуром) его нижняя часть надавливает на планку 15 и независимо от его ширины концы троса 14 увлекают за собой коромысла 12 с цилиндрами 13, и в момент укладки бруса 10 на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ребра 9 днища 7 цилиндры 13 опускаются сверху на брус 10, прижимая его к ребрам 9, удерживая его в продольном направлении и препятствуя его всплыванию. При этом планка 15 располагается в проемах между гребнями ребер 9 (в пазах).Ванна с водой и брусом подается по валкам 5 в камеру 1 в зону между электродами 3. Включается. высокочастотный генератор 2, создающий в зоне электродов 3 знакопеременное электромагнитное поле, которое, проникая через электропроводящие стенки 6 ванны с водой, вызывает диэлектрический нагрев...

Способ настройки диэлектрического резонатора, установленного в корпусированной микрополосковой линии

Загрузка...

Номер патента: 1644262

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Геворкян, Ковтунов, Спиричева

МПК: H01P 7/10

Метки: диэлектрического, корпусированной, линии, микрополосковой, настройки, резонатора, установленного

...сушке.На чертеже представлен диэлектрический резонатор, установленный в корпусированной микрополосковой линии, с элементами настройки по предлагаемому способу.Устройство имеет корпус 1, на котором установлена вспомогательная крышка 2, в центральной части которой выполнен выступ 3. Внутри корпуса 1 установлена диэлектрическая подложка 4, образующая совместно с корпусом 1 и вспомогательной крышкой 2 корпусированную микрополосковую линию.На поверхности диэлектрической подложки 4 установлен диэлектрический резонатор 5, размещенный в диэлектрической втулке 6, с противоположного конца которой введен выступ 3 вспомогательной крышки 2. Диэлектрический резонатор 5 совместно с диэлектрической втулкой 6 закреплены на поверхности диэлектрической...

Устройство для измерения уровня диэлектрического вещества

Загрузка...

Номер патента: 1659731

Опубликовано: 30.06.1991

Автор: Совлуков

МПК: G01F 23/28

Метки: вещества, диэлектрического, уровня

...для колебаний типа Н 111. 1 ил,й; 7 - блок)х колебаний визмерения идвух собствеорцовый участработает следующим обра руженном в контроли о 1 коаксидльном резон на одном торцовом ный 3 или (и) внутренний ют уменьшенный диамет) уменьшенный диам нний проводник коаксиа1659731 Ь. г Составлтель П,Васильк вдактор М.Бандура Техред М.Моргентал Корректор З.Лончакова 9 Подписное тета по изобретениям и открытиям пр ва, Ж, Раушская наб., 4/5 Тираж 4 Государственного ком113035, МосПроизводствеинс-издательский комбинаг "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 1 О наружныи проводник; в) - одновременно внутренний и наружный проводники. Причем сужение проводников не обязательно должно иметь место на одном и том же торцовом участке. В резонаторе с помощью...

Способ измерения толщины диэлектрического слоя на поверхности полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...

Способ измерения влажности диэлектрического материала

Загрузка...

Номер патента: 1691723

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Переварюха

МПК: G01N 22/04

Метки: влажности, диэлектрического

...операций, связанных с измерением массы, объема или обработкой материала до определенных размеров, т.к. дозирование материала производится автоматически в ходе введения материала в резонатор и завершается при настройке резонатора в резонанс, 2 ил,те вводится материал и одновременн стрируется выходное напряжение р тора. Измеряется максимальное зн выходного напряжения 01, соответ щее резонансу, котороедляданного равно 9 мВ. По графику на фиг, 1 про ся предварительная оценка влажно =1+ графиков на фиг, 1 и 2 найдены ные случайные составляющие поти измерения влажносги уротропиые 1 и 0,1 . Измерения влажности зоне 0-1 О/ с наибольшей точностью бразно проводитьпри частоте расЛй 32 = 200 мГц по графику на фиг, корректировки частоты...

Способ измерения расхода диэлектрического материала

Загрузка...

Номер патента: 1696872

Опубликовано: 07.12.1991

Автор: Каменский

МПК: G01F 1/30

Метки: диэлектрического, расхода

...комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101 Изобретение относится к области измерения расхода г)аэличных сыпучих диэлектрических материалов,Цель изобретения - г,овышение точности измерения.На чертеже представлена блок-схема устройства, реализующего способ,Устройство содержит конденсаторный датчик 1, блок 2 усиления, блОк 8 кор)екции, состоящий из элементов 4 - 7 коррекции по влажности и температуре материала и па влажности и температуре Окружающей среды, сумматор 8, индикатор 9, греобразователь 10 аналог - код, интегратор 11 и блок 12 автоподстройки, При этом блоки 1, 2, 8, 10 и 11 последовательно соединены между собой, вход блока 9 соединен с выходом блока 2, выход блока 3 соединен с дополнительным входом...

Материал для диэлектрического волновода

Загрузка...

Номер патента: 1704199

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Земсков, Злой, Ковальчук, Корпан, Лицов, Мостбауэр, Назаренко, Яковлев

МПК: H01P 11/00, H01P 3/16

Метки: волновода, диэлектрического, материал

...с полиэтиленом высокого давления обеспечивает низкий тангенс угла диэлектрических потерь и оптимальное значение модуля упругости материала, что в условиях произвольных изгибов снижает потери ДВ, Наличие в полимерной композиции сополимера этилена с винилацетатом - сэвилена обеспечивает гладкую поверхность ДВ при его изготовлении, что обуславливает снижение погонных потерь.Бутилкаучук предназначен для снижения внутренних напряжений в ДВ при изготовлении его методом экструзии. Минеральный наполнитель, например каолин или тальк,, авиа позволяет улучшить перерабатываемость полимерной композиции и повышает значение диэлектрической проницаемости мате- С риала, что обуславливает уменьшение Дь потерь на изгибах ДВ,еаей1704199 20-30 композиции и...

Способ изготовления диэлектрического волновода

Загрузка...

Номер патента: 1704200

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Земсков, Злой, Ковальчук, Корпан, Лицов, Мостауэр, Назаренко, Яковлев

МПК: H01P 11/00

Метки: волновода, диэлектрического

...ра и последующем его охлаждении. о т л ч а ю щ и й с я тем, что, с целью снижен погонных потерь в диэлектрическом волн 5 воде в условиях произвольных изгибов, исле экструзии непрерывный гибкь полимерный стержень подвергают вытяж со степенью ориентации 12-25 раз,счет этого снижаются погонные потери вдиэлектрическом волноводе в условиях произвольных изгибов,Ф ормула изобретения Способ изготовления диэлектрическоговолновода, заключающийся в выполнениинепрерывного гибкого полимерного стерж 10 Составитель С. ПодковыринРедактор С. Патрушева Техред М.Моргентал Корректор О. Кундрик Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ бб Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...

Устройство управления натяжением длинномерного диэлектрического материала при его перемотке

Загрузка...

Номер патента: 1744026

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Евтратов, Иванов, Мальцев

МПК: B65H 77/00, G01L 5/10

Метки: диэлектрического, длинномерного, натяжением, перемотке

...устройства. Когда имеют место устойчивые собственные механические колебания перематываемого материала 3, осуществляемые в определенной плоскости, обусловленные технологическим процессом, источник 2 возбуждения механических колебаний материала 3 может быть отключен. При этом отпадает также необходимость а электризации материала с помощью специального электризатора. С помощью преобразователя 9 механические колебания материала 3 преобразуются в электрический сигнал, частота которого функционально зависит от натяже ния (фиг. 2 а). Ввиду отсутствия поперечной. жесткости материала 3 и малой амплитудыколебаний зависимость частоты 1 собственных колебаний перематыааемого материала от его натяжения Е может быть представле на выражением 1=1/2...

Устройство диэлектрического нагрева сыпучих материалов

Загрузка...

Номер патента: 1767704

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Аристов, Гаммель, Зайцев, Игнатенко, Новикова, Цугленок

МПК: H05B 6/46

Метки: диэлектрического, нагрева, сыпучих

...во фторопластовой изоляции 7 по концамзакольцованы по полярности. К этим кольцам 8, 9 во фторопластовой изоляции (фиг,З)подводится напряжение от высокочастотного генератора, т.е. они являются токоподводящими шинами. Кольца установленыжестко через изолятор на корпус 1, Центральный электрод 4 также соединен с кольцом соответствующей полярности с.помощью стержня 10 во фторопластовойизоляции (фиг.З), Перфорированный радиопрозрачный барабан (фиг,4) состоит из отсеков 11. Основание и отсеки барабана перфорированы, Ячейки перфорации мельче зерен сыпучего материала. Корпус 1 содержитпатрубки для загрузки 12 и выгрузки сыпучего материала,Устройство работает следующим образом.Обрабатываемый материал через загрузочный патрубок 12 попадает в отсеки...

Устройство диэлектрического нагрева сыпучих материалов

Загрузка...

Номер патента: 1774525

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аристов, Гаммель, Зайцев, Новикова, Цугленок

МПК: H05B 6/46

Метки: диэлектрического, нагрева, сыпучих

...радиопрозрачных барабанов 3, 4, Радиопрозрачныебарабаны выполнены из отсеков 5 и установлены последовательно на одном радиопрозрачному валу 6, Отсеки 5 образованыторцовыми стенками барабана и радиальными перегородками, Радиопрозрачныйвал 6 вмонтирован горизонтально и проходит через центральную ось цилиндрического экранирующего корпуса 1, Торцовые стенки цил.ндрического экранирующего корпуса 1 являются низкопотенциальными электродами,В боковой поверхности цилиндрического экранирующего корпуса 1 имеются диаметрально расположенные отверстия для загрузки и выгрузки сыпучего материала. Высокопотенциальный электрод 2, выполненный в виде двух третей круга и обращенный дугой по направлению вращения барабана, жестко расположен междуторцовыми...

Способ определения пористости диэлектрического покрытия

Загрузка...

Номер патента: 1784870

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Богданов, Корецкий, Палий, Рогачев, Серенков

МПК: G01N 15/00

Метки: диэлектрического, покрытия, пористости

...двумя текстолитовыми дисками1 (фиг,1) устанавливают образец 2 с испытуемым покрытием, на которое с помощью герметизирующей прокладки 3 крепят стеклянный сосуд 4, В сосуд 4 помещают вспомогательный электрод 5 и посредствомэлектролитического ключа 6 соединяют егос хлорсеребряным электродом 7 сравнения,При осуществлении элементарного цикла измерений стеклянный сосуд 4 заполняют 0,5-молярным раствором хлориданатрия, Образец 2 с испытуемым покрытием, вспомогательный 5 и хлорсеребряный 7 электроды подключаются к соответствующим клеммам потенциостата и в течение заданного промежутка времени проводят 152025 30 35 4050 поляризацию металлического образца 2 потенциалом, выбранным из диапазона от,15 В до -0,20 В. По снятым анодным...

Устройство для измерения линейной плотности диэлектрического материала

Загрузка...

Номер патента: 1807391

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Мефед, Францессон

МПК: G01N 33/36

Метки: диэлектрического, линейной, плотности

...2относительно фазы его входного сигнала сигнала на выходе блока 6,определяютмасМОх., Р - постоянный коэффициент,опреде- су материала, помещенного в измерительляемый параметрами емкостного моста 2, ный конденсатор 3. При движенииАмплитуда Оо сигнала О пропорцио- материала через измерительный конденсанальна параметру д, Этот параметр про тор 3 это эквивалентно измерению линей-порционален сухой массе а, находящегося. ной плотности материала зэ вычетом его. в измерительном конденсаторе материалам влагосодержайия,независитотеговлажности.АмплитудаОО При использовании в качестве блоказависит также от влажности материала, так коррекции 6 дифференциального усилителякак от нее сильно зависит величина пара с амплитудным детектором на его...

Литьевая бесщелочная композиция для изготовления керамического диэлектрического элемента

Загрузка...

Номер патента: 1809932

Опубликовано: 15.04.1993

Автор: Ян

МПК: H01G 4/12

Метки: бесщелочная, диэлектрического, керамического, композиция, литьевая, элемента

...некристаллической фаз двуокиси кремнияв данной композиции.Флюс и некристаллическая двуокиськремния используется совместно с различными количествами альфа-кварца (511 чегВопб В., Татгпзпбцзтг 1 ез Со,). Альфа-кварцизмельчается до частиц размером примерно 2,0 мкм, Изготавливается зеленая лентаи прессуется в стержни размерами примерно 20 х 6 х 3 мм после их термообработки, Затем зти стержни исполЬзуются дляизмерения коэффициента термическогорасширения с помощью дилатометраМеизсЬ, Средние показания коэффициентатермического расширения для диапазонатемпературы 200 - 300 С приводятся в таблице.35 Иэ таблицы видно, что композиции,отвечающие настоящему изобретению,охватывают диапазон коэффициентовтермического расширения...

Способ обнаружения трассы диэлектрического оптического кабеля с поверхности грунта и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1818600

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Жариков, Макаров, Николаев, Сидоркин

МПК: G01R 31/08

Метки: грунта, диэлектрического, кабеля, обнаружения, оптического, поверхности, трассы

...механических колебаний, и оператора, фиксирующего показания индикатора 10, осуществляется по дополнительному каналу связи.Существенные признаки заявляемого способа и устройства для его осуществления следующие.Не требуется дополнительных элементов (сигнальной ленты), прокладываемых рядом с ОК.Отсутствие протяженных металлических элементов вдоль трассы ОК (как в составе ОК, так и в конструкции сигнальной ленты), что предотвращает обнаружение ОК нежелательным наблюдателем.Трасса ОК отыскивается с поверхности грунта, отыскание трассы ОК осуществляется не в отдельных ее точках, а непрерывно вдоль трассы ОК, без разрыва во времени и пространстве.В известных технических решениях не имеется признаков, сходных с отличительными признаками...

Состав для диэлектрического покрытия электродных элементов

Загрузка...

Номер патента: 1669144

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Гаврилюк, Ермилов, Нестеренко, Певзнер

МПК: C03C 8/14

Метки: диэлектрического, покрытия, состав, электродных, элементов

...- осуществляют при 1300 С в кварцевых тиглях в течение 1 ч. Шихту составляют иэ реактивов марки Ч и ХЧ Расплав стекла пропускают через валки для получения сухого гранулята (проката). Полученный гранулят стекла разламывают в шаровой мельнице и просеивают через сито М 02, В качестве керамических наполнителей используют стан ртные химические реактивы - криста ические порошки СаТОз и БгТОз марки Ч и ХЧ,Для приготовления покрытия берут, например, 80 г измельченного стекла, смешивают с 20 гтитаната стронция. К полученной порошковой смеси добавляют спиртоводную смесь (50:50) в количестве 30-40 мл и перемешивают в мельнице до получения однородной суспензии. Размеры частиц стекла и наполнителя составляют не более 70-100 мкм. На подвергнутую...

Способ поляризации диэлектрического материала

Номер патента: 1729235

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Испирьян, Мкртчян, Цормутян

МПК: H01G 7/02

Метки: диэлектрического, поляризации

СПОСОБ ПОЛЯРИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, включающий воздействие на него электрического поля с использованием прокладки при одновременном воздействии акустических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения степени поляризованности, воздействие акустических колебаний осуществляют с частотой, равной резонансной частоте продольных колебаний диэлектрического материала, а толщину прокладки выбирают не превышающей толщину источника акустических колебаний.

Установка для формирования диэлектрического покрытия на металлической заготовке

Номер патента: 1503344

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Гроссман, Зайдман

МПК: C25D 13/12, C25D 21/12

Метки: диэлектрического, заготовке, металлической, покрытия, формирования

Установка для формирования диэлектрического покрытия на металлической заготовке, содержащая ванну с электродами, источник электропитания, вольтметр, самопишущий прибор (миллиамперметр), подъемный механизм и датчик веса покрытия, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества диэлектрического покрытия на поверхности и торцах металлической заготовки больших размеров (более 60 х 48 мм), а также на стенках отверстий диаметром менее 1,5 мм, она снабжена устройством инфракрасного излучения, состоящим из двух частей для создания встречных потоков, и направляющими, установленными над ванной, причем ванна выполнена с заслонкой, установленной с возможностью горизонтального перемещения под направляющими, на которых с возможностью перемещения...

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Способ оценки защитной способности диэлектрического покрытия, нанесенного на металлическую поверхность

Номер патента: 1825153

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Грищенко, Щербаков

МПК: G01R 31/12

Метки: диэлектрического, защитной, металлическую, нанесенного, оценки, поверхность, покрытия, способности

Способ оценки защитной способности диэлектрического покрытия, нанесенного на металлическую поверхность, путем определения времени воздействия агрессивной среды до взаимодействия ее с материалом защищаемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения и экспрессности, тестирования защитного покрытия осуществляют путем погружения испытуемого образца в электролитическую ванну с электролитом при фиксированной величине переменного напряжения, измеряют значение электрической емкости конденсатора, образованного испытуемым образцом и электродом, выполненным из металла, инертного по отношению к электролиту, наличие дефекта в покрытии определяют по микропробою, который...