Имитатор для настройки электромагнитных дефектоскопов

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 И 926584 Союз СоветскихСоциалистическикРеспублик(6 ) Дополнительное к авт. сеид-ву- (22) Заявлено 15. 09.80 (2 )2982690/25-28 с присоединением заявки М 2982758/25-28 (23) Приоритет(51)М. Кл, С 01 М 27/90 Ъеудлрстюиый комитет ССВ.Р ао делам кзобретеккй к открытий(54) ИМИТАТОР ДЛЯ НАСТРОЙКИ ЭЛЕКТРОНАГНИТНЫХ ДЕФЕКТОСКОПОВ Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано при дефектоскопии материалов и изделий методом вихревых токов.Известен имитатор для настройки дефектоскопов, состоящий из электро- проводного основания и искусственного дефекта в виде твердого тела из электропроводного материала, прикрепленного к поверхности основания 11 1.1 О функциональные возможности имитатора ограничены, поскол ь ку он пра ктически не позволяет имитировать под15 поверхностные трещины с переменной глубиной и шириной раскрытия.Наиболее близким к изобретению по технической сущности является имитатор для настройки электромагнитИ ных дефектоскопов состоящий из основания в виде многослойного электро-. проводного цилиндра и искусственного дефекта, выполненного по коайней мере в одном из слоев в виде сквозной, прорези Г 21Недостатком имитгтора является то, что при изготовлении трещин перемен-. ной глубины необходимо изготавливатЬ искусственную трещи ну в нес кол ькихслоях и жестко фиксировать слои одниотносительно других, образуя однутрещину.Цель изобретения. - снижение трудо"с емкости изготовления искусственных дефектов типа трещин переменной глубины и ширины раскрытия.Поставленная цель достигается за счет того, что в имитаторе для настройки электромагнитных дефектоскопов, состоящем из основания в виде многослойного электропроводного цилиндра и искусственного дефекта, выполненного по крайней мере в одном из слоев, слой с искусственным дефектом выполнен в виде двух соосных втулок, а искусственный дефект размещен между торцами втулок.30 3 92658Для получения трещин переменнойглубины втулки выполняются эксцентричными, а искусственный дефект выполняется в виде шайбы из непроводящего материала, размещенной междуторцами втулок.При этом для получения трещин спостоянным углом раскрытия, одиниз торцов втулки может быть выполненв виде внешнего конуса с вершиной,лежащей на оси втулки, или в видевнутреннего конуса с вершиной, лежащей на оси наружного цилиндра втулки.Для получения трещин с переменнойшириной раскрытия втулки выполнены 15цилиндрическими и соприкасающимисяв одной точке, а плоскость торцаодной из втулок, обращенного к другойвтулке, образует с осью втулки угол,равный 88-89,820Основание и втулки в имитаторемогут быть выполнены из материаловс различной электропроводностью.Имитатор может быть выполнен сошкалой исследуемого параметра имитируемого дефекта.На Фиг. 1 показан имитатор, в котором основание выполнено в видеэлектропроводного стержня, размещенного внутри эксцентричных втулок;на Фиг, 2 - сечение А-А на Фиг. 1,на фиг. 3 - имитатор, в которомоснование выполнено в виде трубыкоторая охватывает эксцентричные втулки на Фиг. 4 и 5 - то же основа 35ния выполнены в. виде двух слоев,между которыми. размещены эксцентричные втулки; на Фиг. 6 и 7 - то же,торцы эксцентричных втулок выполненыв виде внешних конусов с вершинами,лежащими на осях отверстий втулок;на фиг. 8 и 9 - то же, торцы эксцентричных втулок выполнены в виде внутренних конусов с вершинами, лежащими на осях наружных поверхностей45втулок 1 на фиг. 10 - то же, основание выпОлнено в виде стержня изнепроводящего материала и размещеновнутри цилиндрических втулок нафиг, 11 - то же, основание выполнено в аиде стержня из электропровод 50ного материала и размещено внутрицилиндрических втулок на фиг, 12 то же, основание выполнено в видетрубы из электропроводного материала.и размещено внутри цилиндрических втулок; на Фиг. 13 - то же, основание выполнено в виде трубы из проводящего материала, охватывающей 4 4цилиндрические втулки; на Фиг, 14 -то же, основание выполнено в видетрубы из непроводящего материала,охватывающей цилиндрические втуЛки.Имитатор содержит электропроводныевтулкии 2 основание 3, искусственный дефект 4, шкалу 5 параметрадефекта (глубина или ширина трещины),элементы 6 крепления втулок ивинты 7. В вариантах имитатора,представленных на фиг. 4 и 5, основание 3 имитатора выполнено из двухслоев.Имитатор дефектов типа трещинпеременной глубины изготавливаютследующим образом.Измерительным прибором, напримермикроскопом, измеряют толщину стеноквтулок 1 и 2 в различных точках поокружности и градуируют шкЪлу 5, После этого между втулками 1 и 2 устанавливают искусственный дефект-шайбу 4,и собирают имитатор, для чего втулкис помощью элементов 6 и винтов 7 крепят к основанию 3, при этом втулкиподжимают одну к другой,Имитатор дефектов типа трещин спеременной шириной раскрытия изготавливают, следующим образом.Втулки 1 и 2 поджимают одну к другой с помощью элементов 6 и винтов 7.Затем измерительным прибором, например микроскопом, измеряют ширину трещины в различных точках и градуируют шкалу 5.С имитатором работают следующимобразом.Электромагнитный преобразователь 8дефектоскопа устанавливают над трещиной. Снимают показания дефектоскопаи сравнивают их с его градуировкой.Затем осуществляют настройку дефектоскопа, добиваясь показания его индикатора, соответствующего делению .шкалы 5 параметра дефекта имитатора,Аналогичным образом проводится поверка дефектоскопа по всем величинамисследуемого параметра дефекта.Предлагаемый имитатор прост визготовлении, обладает хорошей воспроизводимостью, позволяет имитироватьтрещины с переменной глубиной и шириной раскрытия различного типа (поверхностные, подповерхностные, внутренние),Целесообразноиспользовать имитатор для настройки электромагнитныхдефектоскопов, предназначенных дляконтроля труб, прутков, листов и др.926581 формула изобретения Имитатор для настройки электромагнитных дефектоскопов, состоящий из основания в виде многослойного 5 электропроводного цилиндра и искусственного дефекта, выполненного по крайней мере в одном из слоев, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления искусственных дефектов типа трещин, слой с искусственным дефектом выполнен .в виде двух соосных втулок, а искусственный дефект размещен между торцами втулок.52. Имитатор по и, 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью получения трещины переменной глубины, . втулки выполнены эксцентричными, а искусственный дефект выполнен в виде 20 шайбы из непроводящего материала, размещенной между торцами втулок.3. Имитатор по пп. 1 и 2, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с 25 целью получения трещин с постоянным углом раскрытия, один из торцов втулки выполнен в виде внешнего конуса с вершиной, лежащей на оси от- . верстия втулки. 306Имитатор по пп. 1 и 2, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что одиниз торцЬв втулки выполнен в видевнутреннего конуса с вершиной, лежащей на оси наружного цилиндравтулки,5. Имитатор по п.1, о т л и ч а"ю щ и й с я тем, что, с цельюполучения трещин с переменной шириной раскрытия, втулки выполнены цилиндрическими и соприкасающимисяв одной точке, а плоскость торцаодной из .втулок, обращенного к другой втулке, образует с осью втулкиугол, равный 88-89,86. Имитатор по пп,1-5, о т л ич а ю щ и й с я тем, что основаниеи втулки выполнены из материаловс различной электропроводностью.7. Имитатор по пп. 1-6, о т л ич а ю щ и й с я тем, что он выполненсо шкалой исследуемого параметраимитируемого дефекта,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРУ 526652, кл, 6 01 Н 27/86, 19 Ж,.2. Авторское свидетельство СССРИ 739391, кл. 6 01 М 27/86, 1978,Проектная, 4 ПП "Патент", г.У ли о 76/38 Тираж 883 ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 313035, Москва, Ж,аПодписноекомитета СССРи открытийаушская наб., д. Ы