Способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводниковыхматериалов

Номер патента: 1816001

Опубликовано: 10.06.1999

Автор: Менцер

МПК: C23C 16/16, C23C 16/54

Метки: железа, магнитного, носителя, оксида, пленок, тонких

1. Способ получения магнитного носителя из тонких пленок оксида железа химическим осаждением из паровой фазы путем разложения пентакарбонила железа в окислительной среде на подложке при температуре 250 - 450oC при фиксированном отношении давления продуктов реакции разложения к парциальному давлению кислорода и давлении в камере осаждения 10-2 - 1,0 мм рт.ст. при непрерывном удалении из нее газообразных продуктов, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости, коррозионностойкости и магнитных свойств пленок, в паровую фазу дополнительно вводят летучее соединение кобальта, осмия или цинка, а в качестве окислительной среды используют влажный кислород и процесс...

Номер патента: 1000945

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках, свободных

...период осцилляций дифференциального магнитосопротивления туннельного контакта при нулевом напряжении смещения на нем.Поскольку в данном случае регистрируются осцилляции дифференциального магнитосопротивления образца с туннельным контактом в магнитном поле,в нем определяется средняя концентрация свободных носителей заряда в малом объеме Ч=5 й, где 5 - площадь"уннельного контакта, Р - длина свобо;ного пробега, т.е, обеспечиваетсявысокая локальность измерений.физическая сущность способа поясняется следующим образом,Диффере;(циальное сопротивление туннельного контакта при постоянном напОяж;:.,ии смещения Ч обратно пропорцио(Гально готности состояний полупроводни в ; при энергии Я .+еЧ ( - энергия7 ер(;, полупроводника, знак...

Номер патента: 275235

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Пожала, Толутис

МПК: G01R 35/00

Метки: концентрации, носителей, полупроводнике

...волны в образце /р при данном значении индукции внешнего поля В.Исследуемый полупроводниковьш образец4 помещают в скрещенные катушки: возбуж дения б (вход датчика) и индикации 6 (выход датчика) гелпконной волны. Образец вырезан из полупроводникового монокристалла в виде пластинки толщиной д с параллельными плоскостями, Другие размеры должны быть 25 много больше с/, а их конфигурация значительной роли не играет. Катушки выполнены на твердых каркасах и расположены так, что плоскости их сечения перпендикулярны плоскости образца и между собой. Это позволяет 30 избежать передачи паразитного сигнала от. Г. Карпас Тскред А, А. Камышникова Корректор Т. А. Уманец дак аказ 2888 т 7Ы 1 ИИПИ Компте Тираж 480 о делам изобретений и открытий при...

Номер патента: 602890

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Венгринович, Рудницкий

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитных, механических, пленок, поверхностных, свойств, слоев, тонких

...опирается стержневой постоянный магнит со сферическим концом, то где Г- усилие отрыва постоянного магнита от испытуемого .образцаО - расстояние от полюса магнита (точка 4) до поверхносити испцггуемого образцаЧмагнитный заряд, сосредоточенныйФ 20 в полюсе пстойнного магнита,1- наведенный магнитный заряд в точке 5 зеркапьного отражения исследуемого образца.Наведенный магнитный заряд с равен поверхностному интегралу намагнченности=/,и+/,ав3 82гдето,З - намагниченности материала, соот 301 Ф Хветственно в деформированной и педеформированной зонах,Ь и 5 "поверхности, ограничивающие,2соответственно, деформированную и недефор.,мированную эоны,Йамагниченность;1 определяется магнитной восприимчивостью Ф. Восприимчивость участка поверхности 2 с...

Номер патента: 669301

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Сушков, Титов

МПК: G01R 31/26

Метки: заряда, концентрации, локализованных, носителей, полупроводниках, регистрации

...сигнала.Наиболее близким техническим решением является способ регистрации локализованных носителей заряда в полупроводниках на уровнях прилипания в запрешенной зоне в области р-и перехода путем приложения обратного смегцения и регистрации тока через переход 2 . Согласно этому способу осуществляется определение полного протекшего заряда. Недостатками известного способа является низкая точность, связанная с необходимостью регистрации двух слабых токов, и невозможность определения измерения концентрации локализованных носителей. тносится к области элект ий в полупроводниковом ения - повышение точности печение возможности опреной концентрации носителей669301 Составитель Г. Баланюк Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е....