Устройство выборки и хранения

ответственно с первым, вторым и третьим источниками опорного напряжения, причем база седьмого биполярного транзистора через пятый реэис 05 б 463тор подключена к выходной шине, а через шестой резистор - к общейшине питания, которая соединена с коллекто ром шестого биполярного транзистора,,Изобретение относится к измерительной технике и может быть исполь.зовано в преобразователях формы инФормации,Известно устройство выборки и хранения, содержащее дифференциальныйкаскад с динамической нагрузкой,токовые переключатели, генераторытока и запоминающий. конденсатор И .Однако известное устройство имеет Омалый динамический диапазон входныхсигналов, .Наиболее близким к изобретению потехнической сущности является устройство выборки и хранения, содержащеепервый биполярный транзистор, базакоторого подключена к входной шине,коллектор соединен с эмиттером второго биполярного транзистора, база которого соединена с ис-,окомМДП транзистора, и катодом стабилитрона, коллектор второго биполярного транзис,тора, коллектор и база третьего ибаза четвертого биполярных транзис- .торов объединены, эмиттер третьего.и четвертого биполярных транзисторови сток МДП транзистора соединены спервой шиной питания, базы пятого ишестого биполярных транзисторов сое/динены с шинами управления, а их36эмиттеры через первый источник токаподключены к второй шине питания,коллекторы четвертого и седьмого биполярных транзисторов и затвор ИЦПтранзистора через конденсатор соединены с общей шиной питания, эмиттеры первого и седьмого биполярныхтранзисторов объединены, анод стабилитрона подключен к выходной шинеи через второй источник, тока - к второй шиве гптания 2,40Недостатком этого известного устройства является малый динамическийдиапазон входных сигналов,Цель изобретения - расширение динамического диапазона входных сигналов,2Поставленная цель достигается тем, что в устройство выборки и хранения,содержащее первый биполярный транзистор, база которого подключена к входной шине, коллектор соединен сэмиттером второго биполярного транзистора, база которого соединена с истоком МДП транзистора и катодом стабилитрона, коллектор второго биполярного транзистора, коллектор и база третьего .и база четвертого биполярных транзисторов. объединены, эмиттер третьего и четвертого биполярных транзисторов и сток МДП транзистора соединены с первой шиной питания, базы пятого и шестого биполярных транзисторов соединены с ши-.нами управления, а их эмиттеры черезпервый источник тока подключены квторой шине питания, коллекторы четвертого и седьмого биполярных транзисторов и затвор МДП транзистора че"рез конденсатор соединены с общейшиной питания, эмиттеры первого иседьмого биполярных транзисторов объединены, анод стабилитрона подключен к выходной шине и через вто 4рой источник тока - к второй шине питания, дополнительно введены пять бипоЛярных транзисторов, источник тока, три источника опорного напряжения и резисторы, причем база первого дополнительного биполярного транзистора соединена через дополнительный источник тока с второй ши-. ной питания, через первый резистор -с входной шиной, соединенной через второй резистор с базой седьмого биполярного транзистора, а через третий резистор - с базой второго дополнительного биполярного транзистора, соединенной через четвертый резистор с выходной шиной, коллектор первого биполярного транзистора и эмиттеры второго и третьего дополнительных биполярных транзисторов объединены, коллекторы первого биполярного транзистора и третьего и четвертого дополнительных биполярных транзисторов объединениЖол,лектор второ пэ дополнительного биполяр-Фного транзистора соединен с затворомИДИ транзистора, коллектор пятого,5эмиттер четвертого дополнительныхбиполярных транзисторов и эмиттерыпервого и седьмого биполярных трайэисторов объединены, эактеры первого и пятого дополнительных биполярных транзисторов подключены кколлектору пятого биполярного транзистора, базы третьего, четвертогон пятого дополнительных биполярныхтранзисторов. соединены соответствен 15но с первым, вторым и третьим источниками опорного напряжения, причембаза седьмого биполярного транзистора через пятый резистор подключенак. выходной шйне, а через шестой резистор - к общей шине питания, ко 20торая соединена с коллектором шестого биполярного транзистора.На иг.1 представлена принципиальная электрическая схема устройства;ф 25на фиг. 2 - его амплитудная характеристика.чУстройство содержит первый бипо;лярный транзистор 1, входную шину 2,второй биполярный транзистор 3 ТЯПтранзистор 4, стабилитрон 5, третий6, четвертый 7, пятый 8 и шестой 9биполярные транзисторы, первый источник 10, тока, седьмой биполярныйтранзистор 11, конденсатор 12, выходную шину 13, второй источник 14 35тока, первый дополнительный биполярный транзистор 15, дополнительноисточник 16 тока, резисторы 17-19,втррой дополнительный биполярныйтранзистор 20, резистор 21, третий 4022, четвертый 23 и пятый 24 допопнительные биполярные транзисторы,резисторы 25 и 26, блок 27 управленийи источники 28-30 опорного напряжеиия. 45Устройство работает следующим образом,Вначале рассмотрим амплитуднуюхарактеристику устройства, котораяобеспечивает широкий динамический диапазон входных сигналов. В реиимевыборки от блока 27 управления набазы пятого 8 и шестого 9 биполярных транзисторов подается такой си 1 нал, что транзистор 8 открыт, а : Б.транзистор 9 закрыт. Ток от источника 10 запитывает транзисторы 1,3,6,7,11,15,20,22,23 и 24, В зависимостй,от уровня входного сигнала одни иээтих транзисторов будут открыты, адругие закрыты. Рассмотрим это под 1робнее; Пусть на входнуюшину 2 устройства подается входной сигналположительной или отрицательной полярности такой величины, что Оу с Ос01 Миг,2, участок 1 о), при этомпервый дополнительный биполярныйтранзистор 15 закрыт, а пятый дополнительный би олярньц транзистор24 открыт, вследствие того, что спомощью дойолнительного источника16 тока и первого резистора 17, атакже с помощью источника 30 опор-,ного напряжения (5 1) создаются1такие условия, что в дипазоне входных сигналов О 4 04 О на базепервого дополнительного биполярного .транзистора всегда напряжение болееотрицательное, чем на. базе пятогодополнительного биполярного транзистора. Для этого необходимо обес,.Печить, чтобы=. 1 а,.1При уменьшении входного сигнала,база первого дополнительного биполярного транзистора становится болееотрицательной и указанные условиябудут только, улучшаться. Ток 1 выбирают в пределах нескольких милли"ампер.1:опт должно быть на 1-2 В больше, чем максимальное значение входного сигнала отрицательной полярности. для того, чтобы транзистор 24 невходил в насыщение. Эти условия определяют выбор резисторе 17 при заданном значении О,При условии 1) в диапазоне О(ОО 1 второй и трелЫ дополни-.тельные биполярные транзисторы 20и 22 обесточены. В этом же диапазонеВходных сигналов четвертый дополнительный биполярный транзистор закрыт, так как его база подключенак второму источнику 29 опорного напряжения, причемЕопл-= Оу(2) .Для сигналов, более положительных, чем Од , напряжение на базе первого биполярного транзистора по отношению к базе четвертого дополнительного биполярного транзистора положительно и поэтому транзистор 23закрыт.Следовательно в диапазоне ООВ 4СО открыты транзисторы 1,11,3,6,7,:24,8 и 4, устройство представляет. ВЯИИПИ Государственного к по делам изобретений и о 113035, Москва, Ж, РаувПодписноемитета СССРкрытыйскау наб д, 4/5