Токовый квадратор

.Фк СООЭ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК А 19) 6 7/ 51) ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИДЕТЕЛ ЬСТВУ К АВТОРСКО бюро модем тво СС1987.ия "Пр иборы и ительной числ отехнике циондлькра в фу ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(57) Изобретение относитсяи может быть использовано Предлагаемое изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в функциональных преобразователях и в устройствах преобразования частоты,Известен широкополосный квадратичный преобразователь 11, содержащий первый квадратичный полевой транзистор, исток и затвор которого соединены с входом преобразователя и стоком второго квадратичного полевого транзистора, сток первого и исток второго транзисторов через первый и второй фильтровые конденсаторы, а затвор второго транзистора непосредственно, подключены к шине нулеого потенциала и соединены соответственно с входами уменьшаемого и вычитаемого блока вычитания,Недостаток данного устройства - ограниченный динамический диапазон входного сигнала, в котором достигается достаточная точность преобразования, а также затруднительность микроминиатюризации вследствие использования разнородной элементной базы,Иэ известных технических решений наиболее близким по технической сущности к ных преобразователях и в устроиствах преобразования частоты, Цель изобретения - повышение точности за счет расширения частотного диапазона и повышения температурной стабильности, Поставленная цель достигается за счет того, что трачэисторы в схеме квадратора работают в режиме, близком к малосигнальному, что расширяет диапазон рабочих частот квадратора, а также вследствие повышения температурной стабильности передаточной характеристики квадратора за счет ослабления ее зависимости от параметров транзисторов. 1 ил. заявляемому объекту является токовый Д квадратор 2, содержащий с первого по тре- С- тий усилительные транзисторы одного типа проводимости, четвертый и пятый усилиъ.Г тельные транзисторы противополо)кного типа проводимости, токоограничительный резистор, база первого усилительного тран-- ф зистора соединена с коллектором второго усилительного транзистора и является вхо- ) дом токового квадратора, база второго ус и-а лительного транзистора соединена с базой СО третьего усилительного транзистора, коллектор первого усилительного транзистора подключен к коллектору и базе четвертого усилительного транзистора и к базе пятого усилительного транзистора, коллектор третьего усилительного транзистора соеди- ъ нен с коллектором пятого усилительного транзистора и является выходом токового квадратора, эмиттеры четвертого и пятого усилительных транзисторов подключены к первой шине питания, эмиттеры второго и третьего усилительных транзисторов подключены ко второй шине питания, 1791828. Однако, в указанном токовом квадраторе передаточная характеристика имеет сильную температурную нестабильность. Кроме этого, квадратичная зависимость выходного тока от входного наблюдается при условии абсолютной малости входного тока, который одновременно является током смещения транзисторов схемы,.т,е, транзисторы должны работать в режиме малых токов, что увеличивает их инерционность, снижая тем самым. рабочие частоты устройства, В результате имеет место снижение точности данного квадратора нэ повышенных частотах, а также при изменении температуры окружающей среды,Цель изобретения - повышение точности за счет расширения частотногодиапазона и повышения температурной стабильности.Поставленная цель достигается тем, что в токовый квадратор, содержащий с первого по третий усилительные.транзисторы одного типа производимости, четвертый и пятый усилительные транзисторы противоположного типа проводимости, токо- ограничительный резистор, база первого усилительйого транзистора соединена с коллектором второго усилительного транзистора и является входом токового квадратора, база второго усилительного транзистора соединена с базой третьего усилительного транзистора, коллектор первого усилительного транзистора подключен к коллектору и базе четвертого усилительного транзистора и к базе пятого усилительного транзистора, коллектор третьего усилительного транзистора соединен с коллектором пятого усилительного транзистора и является выходом токового квадратора, эмиттеры четвертого и пятогоусилительных транзисторов подключены к первой шине питания, эмиттеры второго и третьего усилительных транзисторов подключены ко второй шине питания, дополнительно введены с шестого по девятый усилительные транзисторы типа проводимости, одинакового с типом проводимости первого усилительного транзистора. десятый и одиннадцатый усилительные транзисторы, тип проводимости которых одинаков с типом проводимости четвертого усилительного транзистора, причем эмиттер первого усилительного транзистора соединен с коллектором и базой шестого усилительного транзистора, к коллектору второго усилительного транзистора подключена база седьмого усилительного транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором восьмого усилительного транзистора, база которого подключена к базе и коллектору девятого усилительного транзистора, коллектор которого через токоограничительный резистор соединен с коллектором и базой десятогоусилительного транзистора и с базой одиннадцатого усилительного транзистора, коллектор которого подключен к базе седьмого усилительного транзистора, коллектор которого соединен с эмиттерами десятого и одиннадцатого усилительных транзисторов и с первой шиной питания, эмиттеры шестого, восьмого и девятого усилительных транзисторов подключены ко второй шине питания.Наличие отличительных признаков обуславливает соответствие заявляемого техниче 10 ского решения критерию "новизна", Заявляемое техническое решение соответствует также критерию существенные отличия", по 15 скольку не обнаружено решений с признаками,сходными с признаками, отличающими заявляемое техническое решение от прототипа,Положительный эффект достигается за счет того, что транзисторы в схеме квадратора работают в режиме, близком к малосигнальному, что расширяет диапазон рабочих частот квадратора, а также вследствие повышения температурной стабильности передаточной характеристики квадратора за 25 счет ослабления ее зависимости от параметров транзисторов Заявляемое техническое решение поясняется чертежом на котором приведена его схема электрическая принципиальная.Токовый квадратор содержит первый транзистор 1, база которого соединена с 30 коллектором второго 2 и одиннадцатого 3 транзисторов, базой седьмого 4 транзистора и входом квадратора 5, коллектор соединен с базой и коллектором четвертого транзистора 6 и базой пятого транзистора 7, эмиттер соединен с базой и коллектором шестого транзистора 8, восьмой транзистор 9, коллектор которого соединен с базами того транзистора 3, коллектор седьмого транзистора 4 и эмиттеры четвертого 6, пятого 7, десятого 13 и одиннадцатого 3 транзисторов подключены к первой шине питания 14, эмиттеры второго 2, третьего 10, шестого 8, вось 50 Мого 9 и девятого 11 транзисторов подключены ко второй шине питания 15, коллекторы третьего 10.и пятого 7 транзисторов соединены с выходом квадратора 16,Рассмотрим работу предложенного устройства. Примем, что токи базы всех транзисторовпренебрежимо малы по сравнению с их токами коллектора. транзлсторы работают на частотах, много меньших 1,- граничной частоты коэффициента передачи транзисторов по току а транзисторы 40 второго 2. и третьего 10 транзисторов, базасоединена с базой и коллектором девятого транзистора 11 и через токоограничиваю, щий резистор 12 - с базой и коллекторомдесятого транзистора 13 и базой одиннадца(2) 55 Обэ 1+ Обэб =. Обзг,одинакового типа проводимости идентичны, за исключением транзистора 7, отличающегося от однотипных с ним транзисторов вдвое большей площадью эмиттера.Первоначально подключается цепь нагрузки и подается напряжение питания такой величины, чтобы вывести все транзисторы в активный режим. При этом транзисторы 3 и 9 выполняют функцию согласованных источников тока смещения о, Эти транзисторы образуют совместно с транзисторами 13 и 11 токовые отражатели, на вход которых подается опорный ток, протекающий через токоограничивающий резистор 12 и равный где Еп - напряжение между шинами питания 14 и 15;Обэ - база-эмиттерное напряжение транзисторов 11, 13;Я - сопротивление резистора 12.Транзисторы 1, 2, 4, 8 и 10 по постоянному току образуют схему токового отражателя, на вход которого от источника тока на транзисторе 3 поступает ток о, повторяющийся в коллекторных цепях транзисторов 1, 8 и 10. Ток змиттера транзистора отрицательной обратной связи 4 задается источником тока на транзисторе 9, Ток коллектора транзистора 1 поступает на вход токового зеркала га транзисторах 6 и 7.Принцип действия предложенного устройства заключается в следующем. Напрякение по высокой частоте между входом квадратора 5 и шиной питания 15 равно сумме базо-эмиттерных напряжений транзисторов 1 и 8, а также базо-эмиттерному напряжению транзистора 2 (база-эмиттерное напряжение транзистора обратной связи 4 по высокой частоте пренебрежимо мало). Входной переменный ток вхуправляет база-эмиттерным напряжением транзистора 2, которое, в свою очередь. является управляющим для транзисторов 1, 8 и 10. Управление транзистором 10 является линейным, и его коллекторный переменный ток равен входному переменному токувх. Управление же транзисторами 1 и 8 нелинейно в силу того, что, как указывалось выше,Ф где Обэ, Обэб, Обэг пеРеменные составлЯ- ющие базо-эмиттерных напряжений транзисторов 1, 8 и 2, соответственно. Т.к. баэо-эмиттерные напряжения транзисторов пропорциональны натуральному логарифму от функции эмиттерного тока, то равенство(2) равносильно тому, что входной 5 ток, протекающий через транзистор 2, пропорционялен квадрату функции тока, протекающего через транзисторы 1 и 8,Действительно, раскроем выражение(2), используя уравнение Зберса-Молла: 10 ххПП 1 п (1 + , ) + 1 п, п (1 П. - , ): где- переменный ток, протекающий в цепи транзисторов 1 и 8 и далее поступающий на вход токового отражателя на транзисторах 6 и 7,Из (3) имеем:(1)2 1 вх25 30 Выражение (5) может быть разложено в степенной ряд при условии 11 вх 1 /о1 т,е 21+- - + - 1 3540Из выражения (6) видно, что если просуммировать ток коллектора транзистора 11с током, равным - - Ьх, то зависимость 45 результирующего тока от входного будетблизка к квадратичной, С этой целью токподается на отражатель тока на транзисторах 6 и 7, который инвертирует и удваивает ток. Выходной ток отражается суммируется с коллекторным током транзистора 10, т.е, на выход квадратора 16 поступает ток, равный-1 вх(-у 1 вх --- 1," )8 Го ".1 4 иКак видно, из выражения (7), в предложенном устройстве для повышения точности квадратичного закона преобраэовяня,36 мА,изменен ерату его изменение и ы на 1 С равно: 4,4 мВ 10 кОм 0,44 Фтока 1 о раэффици т.е, температурныйвен: 0,44 мкА 0,36 мА Фор Токо ервого торы од ый и пя ротивоп бретени р, содерж ительные оди мости ные тран проводим мула иэо вый квадрато по третий уси ного типа про тый усилител оложного типа я ащий с транэи- четверисторы сти, товходного тока нужно уменьшать отношение ах /1 О, что соответствует работе транзисторов в малосигнальном режиме, где они имеют максимальный диапазон рабочих частот, Из выражения (7) также следует, что температурная нестабильностьпередаточной характеристики в предложенном устройстве много меньше, чем в прототипе, т.к, определяется весьма малой температурой зависимостью тока 10 (см. (1, Например, пусть ЕП=5 В, й - 10 кОм; при этом базоэмиттерные напряжения транзисторов 11 и 13 равны приблизительно 0,7 В и имеют температурный коэффициент примерно минус 2,2 мВ /С. Тогда, в соответствии с (1), токо равен; В прототипе ж ходнои ток пропорционален абсолютн емпературе.Таким образом, предлагаемый токовый квадратор выгодно отличается от прототипа тем, что при прочих равных условиях (элементная база, величина напряжения питания) имеет повышенную точность вследствие расширенного диапазона рабочих частот и повышенной температурной стабильности передаточной характеристикоограничительный резистор, база первого усилительного транзистора соединена с коллектором второго усилительного транзистора и является входом токового 5 квадратора, база второго усилительноготранзистора соединена с базой третьего усилительного транзистора, коллектор первого усилительного транзистора подключен к коллектору и базе четвертого 10 усилительного транзистора и к базе пятого усилительного транзистора, коллектор третьего усилительного транзистора соединен с коллектором пятого усилительного транзистора и является выходом 15 токового квадратора, эмиттеры четвертого и пятого усилительных транзисторов подключены к первой шине питания, эмиттеры второго и третьего усилительных транзисторов - к второй шине питания, о т лича ющийся тем,что,сцельюповышения точности за счет расширения частотного диапазона и повышения температурной стабильности, в него введены с шестого по девятый усилительные транзисторы типа 25 проводимости, одинакового с типом проводимости первого усилительного транзистора, девятый и одиннадцатый усилительные транзисторы, тип проводимости которых одинаков с типом проводимости четвертого 30 усилительного гранзистора, причем эмиттер первого усилительного транзистора соединен с коллектором и базой шестого усилительного транзистора, к коллектору второго усилительного транзистора под ключена база седьмого усилительного транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором восьмого усилительного транзистора, база которого подключена к базе и коллектору девятого усилительного тран зистора, коллектор которого через токоограничительный резистор соединен с коллектором и базой десятого усилительного транзистора и с базой одиннадцатого усилительного транзистора, коллектор ко торого подключен к базе седьмого усилительного транзистора. коллектор которого соединен с змиттерами десятого и один надцатого усилительных транзисторов и с первой шиной питания, эмиттеры шестого.50 восьмого и девятого усилительных транзисторов подключены к второй шине питания.1791828 актор Н, Пигин Лукач орре ри ГКНТ СССР Гагарина, 10 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгор каз 153 ВНИИПИ Составитель В. ПрокопенТехред М.Моргентал Тираж Подписноедарственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5