Раствор для химического индирования
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СИИДЮТИЛЬСТВУ Союз СоветсинкСоцнвлнстнчвсннкРеспублик и 905318 1) Дополнительное к авт, свид-ву -(51)М, К 3 С 3/02 с присоединением заявки М -Гоаударстюыкентат СССР до делан звбретейаткрытдаДата опубликования описания 15028) Авторыизобретени ППоп Ю, фед К, И, Бубно Волгоградский политехнический институ 7) Заявитель) РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ИНДИРОВАНИ Изомиче когоребрянеребд натние относится к нанесенипокрытий, в частности индиевых,Известен раствор для химичеснанесения покрытий, например сеного на медь, содержащий соль сра, комплексующий агент - цианирия, щелочь, восстановитель - гипофосфит натрия 11,Однако данный раствор при заменев его составе соли осаждаемого металла на соль индия не обеспечивает получения качественных индиевых покрытий,Наиболее близкой к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является известный раствор для химического индирования, содержащий соль индия, например сульфат, хлорид, гидроксид, борат, комплексообразователь, например тартрат и агент для создания рН среды, на- . пример минеральную кислоту 121. Однако данный раствор не позволяет получать покрытия толщиной более2,5 мкм, так как по истечении 1520 мин осаждение индия практическипрекращается вследствие цементацииконтактирующего металла индием, Толщина же индиевого покрытия 2,5 мкмнедостаточна для практического применения, По нормалям машиностроенияминимальная толщина индиевого покрытия 6-9 мкм, Кроме того, полученноеиз этого раствора покрытие недостаточно корроэионностойко,Цель изобретения - обеспечениевозможности получения более толстыхпокрытий и повышения их коррозионной стойкости,Укаэанная цель достигается тем,что раствор, содержащий соль индия,комплексообразователь и агент для создания рН среды, дополнительно содержит гидразин-гидрат, а в качествекомплексообразователя и агента длясоздания рН среды соответственно905318 Соль индия Тиогликолеваякислота Гидроксид щелочного металла 35-45 26-31 Гидразин-гидрат 3тиогликолевую кислоту и гидроксидщелочного металла при следующемсоотношении компонентов, г/л: Процесс ведут при 60-80 С,В качестве соли индия используютсульфат, хлорид, Вместо соли индияможет быть использован его гидроксид15В. качестве агента для создания рНсреды - едкий натр или едкое кали,Приготавливают раствор следующимобразом,20К 60 мл сульфата индия (титр =я 0,1 г/мл) приливают 30 мл тиогликолевой кислоты, затем 90 мл едкогонатра (титр = 0,5 г/мл), далее790 мл дистиллированной воды и в последнюю очередь 30 мл гидразин-гидрата, Плотность кислоты 1,3253, плотность гидрата 1,032.Способ нанесения покрытия,Рабочая температура раствора60-80 С. Плотность загрузки в . 2 дм/л.Контактирующий металл (алюминий) помещают либо в пористую керамическуюдиафрагму с раствором едкого натрас 4(40-45 г/л), либо в другой сосуд стаким же раствором щелочи, соединенным с металлизирующим раствором припомощи электрохимического ключа, наполненного концентрированным раствором едкого натра(50) или насыщенным раствором (хлорида) сульфата натрия (калия), Покрываемое изделие погружают в раствор для индирования инакоротко соединяют с контактирующимметаллом (алюминием),Экспериментальные данные, полученные при опробовании раствора дляхимического индирования, сведены втаблицу,Покрытия, полученные из данногораствора, равномерны по толщине, мелкокристаллические и плотные, сцепление с основой 75 -80 кгс/см,При снижении температуры до 40 Сструктура покрытия не изменяется,Полученное индиевое покрытие устойчиво к воздействию влаги и в атмосфере, содержащей сернистый газ,сероводород, а также устойчиво в среде минеральных масел,Полученное покрытие способно кпайке при 120-5 фС с использованиемнеактивных флюсов, что может найтиприменение в радиоэлектронной промышленности, Высокая отражательная способность позволяет использовать данное покрытие для изготовления отражательных устройств,905318 Соль индия Тиогликолеваякислота Гидроксид щелочного металла 3-й 26-31 Гидраз ин -гидрат Составитель Г, НогинскаяРедактор В, Бобков Техред РАлиян Корректор О, Билак Заказ 295/39 Тираж 1048 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная,7формула изобретенияРаствор для химического индирования, содержащий соль индия, комплексообразователь и агент для создания рН среды, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения возможности получения более толстых покрытий и повышения их коррозионной стойкости, он дополнительно содержит гидраэин-гидрат, а в качестве комплексообразователя и агента для создания рН среды соответственно - тиогликолевую кислоту и гидроксид щелочного металла при следующем соотношении компонентов, г/л:1 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР У 176151, кл, С 23 С 3/02, 1964,2, Патент СЫА Ю 3389060, кл.204 -26,опублик. 1968.
СмотретьЗаявка
2888730, 29.02.1980
ВОЛГОГРАДСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БУБНОВ КОНСТАНТИН ИВАНОВИЧ, ФЕДОРОВ ЛЕВ ЮРЬЕВИЧ, ПОПОВ ГЕРМАН ПАВЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C23C 3/02
Метки: индирования, раствор, химического
Опубликовано: 15.02.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-905318-rastvor-dlya-khimicheskogo-indirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Раствор для химического индирования</a>
Предыдущий патент: Раствор для активирования поверхности диэлектриков
Следующий патент: Способ диффузионной металлизации стальных изделий
Случайный патент: Способ регулирования семенной продуктивности картофеля