Многофазный мультивибратор климова

(51)5 Н 0 ОБРЕТЕЛЬСТВУ ОПИСА К АВТОРСК Е Я СВИД импуль многоф каждое лярных торых транэи зистор тыре р фаэный К соед ключей введением в ор М эвенье жит два бипоодимость ководимости левой транканалом,чеатор. Мнегодержит также ранзисторных биполярных проводимости 1( 37 ьство СССР 281, 1975. ВИБРАТОР ится к импульсретения - улуч- формируемых анзи импульснойзовано в генератора ршенствова вляется у ния поос ульсов им изобрет69010.Цель изоб ному авт.с ния чшение пряратор содерцо транзисМ выполненсторах одинаГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 1(57) Изобретение отноной технике. Цель иэобшение прямоугольности Изобретение относитс технике, может быть исп качестве распределителя моугольности формируемых импульсов.Указанная цель достигается за счет сокращения длительности фронтов и срезов этих импульсов путем автоматического сокращения постояннои времени цепи разряда соответствующего время- задающего конденсатора в момент открывания транзисторного ключа, к базе которого подключен данный времязадающий конденсатор.На чертеже приведена принципиальная схема многофазного мультивибратора.Многофазный мультиви жит 11 соединенных в кол торных ключей 1-1 ных на биполярных трай ов - достигается зный мультивибра иэ которых содер транзистора, про противоположна пр торных ключей, и с индуцированным зистора и конден мультивибратор с иненных в кольцо и выполненный на сторах одинаковой ратор. 1 ил. ковой проводимости,одновибратор 2 и 11 звеньев 3-13-,И, общую шину 4 и шину 5 источника питания, причем каждый биполярный транзистор 1-исоединен эмиттером с шиной 4, базой через конденсатор 1-и- с входом (1-и)-го транзистора и через резистор 1"ис гпиной 5, коллектором через резистор 1-пс шиной 5 и через резистор 1-ис входом одновибратора 2, а также через диод 1-ис выходом одновибратора 2, содержащего два биполярных транзистора 2.-1,2-2, проводимость которых соответствует проводимости транзисторов 1-и. ,1-М, пять резисторов 2-3 .,2-7, конденсатор 2-8 и туннельный диод 2-9, причем вход одновибратора 2 соединен через туннельный диод 2-9 с шиной 4 и через резистор 2-3 с базой транзистора 2-1, коллектор которого, являющийся выходом одновибратора 2, соединен через резистор 2-4 с шиной 5. а также через ре598124эистор 2-5 с базой транзистора 2-2,коллектор которого соединен с первойобкладкой конденсатора 2-8 и черезрезистор 2-6 с шиной 5, при этом вторая обкладка конденсатора 2-8 соединена через резистор 2-7 с входом одновибратора 2, а эмиттеры транзисторов2-1 и 2-2 объединены и соединены с общей шиной, причем выход каждого(3-и)-го из Б звеньев соединен с базой соответствующего транзисторногоключа, а вход каждого (3-и)-го из Бзвеньев - с коллектором соответствующего транзисторного ключа, при этомкаждое (3-и)-е вспомогательное звеновключает два биполярных транзистора3-ии З-и, проводимость которыхобратна проводимости транзистора1-и, полевой транзистор 3-и- синдуцированным каналом, четыре резистора 3-и- 3-ии конденстор 3-и первая обкладка которого соединена сэмиттером транзисторй 3-ии шиной 5,а вторая обкладка через резистор 253-и- с истоком транзистора 3-и и через резистор 3-ис базой транзистора З-и, коллектор которого соединен с эмиттером транзистора З-и,соединенного коллектором через реэис- ЭОтор 3-ис выходом звена З-и, а базойчерез резистор 3-и- с затворомтранзистора З-и-З, являющимся входомзвена З-и, причем исток транзистора3-исоединен с шиной 4.Многофазный мультивибратор работает следующим образом,В исходном состоянии при отсутствии запускающего импульса трензисторы 40 1-1-11-Боткрыты и насыщены конденсаторы 1-1-2. 1-Б,2-8 и 3-1-73-Бразряжены, напряжение на туннельном диоде 2-9 отсутствует; транзисторы 2-1, 3-1-13-Б, 3-1-23-Б,3-1-33-Б-Зи диоды 1-1-61-Бзакрыты, транзистор 2-2 открыт.С приходом отрицательного запускающего импульса на базу транзистора 150 1-1-1 он закрывается, конденсатор 1-2-2 следующего основного звена 1-2 заряжается. При закрытом транзисторе 1-1-1 и полностью заряженном конденсаторе 1-2-2 напряжение на выходе звена 1-1 равно напряжению шины 5 иток 1 д через туннельный диод 2-9,выбираемый из условия 14)6-О фд где 1- ток переключения туннельного диода, недостаточен для его переключения, поэтому транзистор 2-1 закрыт..По окончании запускающего импульса транзистор 1-1-1 открывается, конденсатор 1-2-2 разряжается, закрывая при этом транзистор 1-2-1 основного звена 1-2 на время, определяемое параметрами времязадающей цепи в составе конденсатора 1-2-2 и резистора 1-2-3, Процесс происходит аналогично описанному и вдоль многофазного мультивибратора проходит волна возбуждения, когда в любой промежуток времени закрыт только один из Б транзисторов 1-1-11-Б. Ток, протекающий через туннельный диод 2-9, при этом всегда недостаточен для его переключения и транзистор 2-1 и диоды 1-1-6, ,1-Б-б постоянно закрыты, не оказывая влияния на работу многофазного мультивибратора.При запирании под действием помехи одновременно двух и более из Б транзисторов 1-1-11-Бчерез. туннельный диод протекает ток 1 д 4,21,ф, что приводит к переключению туннельного диода. После переключения туннельного диода транзистор 2-1 открывается, соединяя через разделительные диоды 1-1-61-Бс общей шиной 4 коллекторы всех Б транзисторов 1-1-11-Б, а транзистор 2-2 закрывается. При этом прекращается следование волны возбуждения вдоль многофазного мультивибратора, начинается разряд конденсаторов 1-1-2.1-Би заряд конденсатора 2-8 время" задающей цепи одновибратора. Ток заряда конденсатора 2-8 удерживает транзистор 2-1 в открытом состоянии и туннельный диод 2-9 в переключенном состоянии на время, определяемое параметрами цепи: конденсатор 2-8, резисторы 2-6 и 2-7, и необходимое для полного разряда конденсаторов 1-. 1-2, ,1-Б. После заряда конденсатора 2-8 ток через туннельный диод 2-9 прекращается и он возвращается в исходное состояние. При этом транзистор 2-1, диоды 1-1-61-Бзакрываются, а транзисторы 1-1-11-Б"1 и 2-2 открываются, т.е. схема приводится в исходное состояние.Рассмотрим работу каждого (3-и)-го из Б звеньев 3-1. З-Б. В исходном состоянии многофазного мультивибратора при .отсутствии волны возбуждения напряжение на входе (3-и)-го звена1598124 Многофазный мультивибратор поавт. св. У 569010, о т л и ч а ю щ и й с я .тем, что, с целью улучшения прямоугольности формируемых импульсов, внего введены Б звеньев, выход каждого из которых соединен с базой соот ветствующего транзисторного ключа,а вход - с коллектором этого же тран"зисторного ключа, причем каждое изУ звеньев содержит два биполярныхтранзистора, проводимость которыхпротивоположна проводимости транзисторных ключей,. полевой транзистор синдуцированным каналом, четыре резистора и конденсатор, одна обкладка которого соединена с эмиттером перного 55биполярного транзистора и шиной источника питания, а другая обкладка черезпервый резистор - со стоком полевоготранзистора и через второй резисторс базой первого биполярного транзиссоответствует низкому потенциалу логического нуля и равно по значениюколлекторному напряжению открытого игнасьпценного транзистора 1-и,При этомтранзистор 3-изакрыт, конденсатор3-иразряжен, в результате чеготок в базовой цепи транзистора 3-и отсутствует и этот транзистор закрыт.Отсутствие коллекторнаго тока закрытого транзистора З-и-.1 приводит котсутствию эмиттерного тока транзистора 3-ии этот транзистор такжезакрыт. Следовательно, в исходномсостоянии все И вспомогательных звеньев не оказывают влияния на работу Иосновных звеньев,При прохождении по многофазномумультинибратору волны возбуждения вмомент запирания транзистора 1-и на входе звена 3-и появляется высокийпотенциал логической единицы, равныйпо значению напряжению на шине 5. Этоприводит к открыванию транзистораЗ-и-З, заряду конденсатора 3-иипоявлению базоного тока транзистора3-и. В результате этого транзистор3-иоткрывается и насьпцается, а наэмиттер транзистора 3-иподаетсянапряжение, равное разности напряжения логической единицы и напряжениямежду коллектором и эмиттером насыщенного транзистора З-п, в то времякак на базу транзистора 3-иподается напряжение логической единицы. Этоприводит к запиранию транзистора3-ии отсутствию тока н коллекторной цепи этого транзистора.В момент начала открывания транзистора 1=инапряжение на входевспомогательного звена 3-и уменьшается, в результате чего транзистор3-иоткрывается и в его коллекторной цепи начинает течь ток, увеличивающий базовый ток транзистора 1-и и падение напряжения на резисторе1-и, что приводит к возникновениюлавинообразного процесса й открываниюи насыщению транзистора 1-и. Поскольку время от начала до окончаниялавинообразного процесса меньше времени от момента открывания транзистора1-идо момента его насьпцения в изнестном многофазном мультивибраторе,у которого отсутствуют И вспомогательных звеньев, то длительность срезаимпульса, формируемого (1-и)-м основным звеном,в предлагаемом многофазноммультивибраторе сокращается. Это приводит к сокращению времени заиканиятранзистора 1-(и+1)-1 и, следовательно, к сокращению длительности фройтов 5формируемых предлагаемым многофазныммультивибр;:тором импульсов. Для обеспечения указанного эффекта соотношение сопротивлений плеч делителя резистор 3-ии резистор З-и, а также постоянная времени цепи конденсатор3-ии резистор 3-ивыбирается таким образом, чтобы обеспечить насьпцение транзистора 3-ина время лавинообразного процесса, несмотря на закрывание транзистора 3-иво времяэтого процесса и в то же нремя обеспечить разряд конденсатора 3-ии зак.рывание транзистора 3-и к моментуприхода на (1-и)-е звено следующей 20 волны возбуждения. В результате этогов указанный момент времени вспомогательное звено 3-и находится в исходном состоянииТаким образом, предлагаемое устройство улучшает прямоугольность формируемых импульсов за счет сокращениядлительности фронтов и срезов этихимпульсов путем автоматического сок ращения постоянной времени цепи разряда соответствующего времязадающегоконденсатора в момент открывания транзисторного ключа, к базе которогоподключен данный времязадающий кон:.денсатор формула изобретения1598124 гора, коллектор которого соединен сзмиттерм второго бицолярцсц о транзистора, коллектор которого черезтретий резистор соедицен с выходом оставитель Н, фехред Л.Олийнык нто дактор Л, Мотыл 069 Тираж 668Государственного комитета,по изо113035, Москва, Ж, Р Заказ ВНИИПИ Подписное ГКНТ ССС тениям ская н открытиям д. 4/5вский комбинат "Патент", г.Ужго Гагарина,10 Производственно-издат звена, а база через четвертый резистор - с затвором полевого транзистораи с входом звена, исток полевоготранзистора соединен с общей шиной. орректор М. Самборска