Способ формирования объемного тела

Номер патента: 1783279

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Скуратов

МПК: G01B 5/20

Метки: базирования, взаимного, гнутых, измерительной, концевых, концов, координатно, машине, поверхностей, присоединительных, прямолинейных, разметки, расположения, труб, участков, эвм

...2 установлены две основные стойки 3: На этой же линейке установлены и две дополнительные стойки 4 со штоками 5, имеющими базовые цилиндрические поверхности, Основные и базовые стойки имеют возможность перемещаться вдоль линейки 2, На вертикальной оси основных стоек установлены с возможностью поворота вокруг вертикальной оси основных стоек узлы с установленными на их горизонтальной оси каретки б втулками 7 с торцевыми опорными поверхностями А и Б и цилиндрическими базовь 1 ми поверхностями В, Г, Д и Е, оси которых перпендикулярны оси поворота этой каретки, При этом оси стоек 3 и втулок 7 пересекаются в двух точках Жи 3, через которые проходят параллельно продольной линейке оси штоков 5 Диаметры цилиндрических базовых поверхностей штоков...

Номер патента: 728183

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Бродская, Вдовин, Мильвидский, Моргулис, Освенский, Шифрин

МПК: H01L 21/263

Метки: кристалла, маркирования, микродефекту, объемному, поверхности, полупроводникового, соответствующего, участка

...участка из всех отмаркированных участков того же типа.Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 6 - 10А, вакууме 5 10- 5 10торр и продолжительности 1 - 1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полирующем травителе.При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждается...

Номер патента: 821281

Опубликовано: 15.04.1981

Автор: Добролюбов

МПК: B62D 57/00

Метки: гибкого, передвижения, поверхности, поопорной, тела

...их с интервалом к дру- . гому концу гибкого тела, неиэогнутую .З 0 часть которого оставляют в контакте с опорной поверхностью.На фиг. 1 изображено гибкое тело до начала движения; на фиг. 2 - изгибание гибкого тела у одного из концов на фиг. 3 - перемещение изогнутого участка по длине тела) на фиг.4- изогнутый участок у второго конца тела; на фиг. 5 - движение изогнутого участка закончено; на фиг, б - начало. нового цикла движения,Номерами 1-18 обозначены отдельные участки гибкого тела,Предложенный способ осуществляется следующим образом.Для движения гибкое тело изгибают у одного из концов (фиг. 2) на участке 1-7, при этом конец гибкого тела перемещается на величину с, затем изогнутый участок перемещают вдоль гибкого тела (фиг. 3)...

Номер патента: 961926

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Бабаян, Овакимян

МПК: B24B 21/16

Метки: абразивной, криволинейной, ленты, поверхности, прижима

...- А на фиг. 1.Устройство состоит из обечайки 1, на которой насажена упругая оболочка 2. Обечайка на подшипниках установлена на вал 3, на котором размещены профилирующие кулачки 4. Кулачки 4 взаимодействуют с толкателями (фиг. 2), представляющими собой подпружиненный стержень 5 с роликом 6, установленным в корпусе 7, который закреплен в обечайке 1. Рабочая часть стержней 5 проходит через отверстия, выполненные на обечайке 1. Обечайка получает вращение от отдельного привода 8 или посредством абразивной ленты 9. Вал 3 получает вращение от автономного привода, связанного с приводом перемещения обрабатываемого изделия.Стержни 6 могут быть установлены в один и большее количество рядов в зависимости от условий обработки,Устройство для прижима...

Номер патента: 1167481

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Дубиновский

МПК: G01N 21/55

Метки: зеркального, коэффициента, крупногабаритных, локализированных, отражателей, отражения, поверхности, участков

..., 4,жение точки 11 анализа, а ось 12анализа направлена параллельно осиотражателя,Относительное движение точки ана лиза и следа отраженного пучка наповерхности анализа возможно вдвух режимах: синфазный режимч,=ч х (ц=к, с);у И)у, ц,либо асинхронный режим .аь с отрЧ 7 Чгде Ч - линейная скорость перемеинщения точки анализа;Ч - линейная скорость перемещения следа отраженногопучка;нотр И 1(Ц - текущие координаты следа отротраженного пучка в плоскости анализа;Х (1)у (ц- текущие координаты точки ан ананализа.В синфазном режиме необходимо обеспечить синфазность текущих положений следа отраженного пучка в плоскости анализа и точки анализа. В том режиме выдается инфор-мация о КЗО по всей поверхности отраже.шя без пропусков.В асинхронном...