Устройство для подгонки плоских пленочных резисторов в номинал

(19) 01) 17 5114 Н САНИЕ ИЗОБРЕТ СР и СпехнологиоростроеИнституа,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ(46) 23.07.86. Бюл, У 27 (71) Институт физики АЧ УС циальное конструкторско-те ческое бюро физического приб ния с опытным производством та физики АН УССР(56) Галич Г.А., Кравченко В.И. Свип-лазер на неодимовом стекле с электрооптической перестройкой дисперсионного резонатора / УФЖ, 1975, т.ХХ, в, 10., с. 1732-1735.Авторское свидетельство СССР В 953674, кл. Н 01 С 17/24, 1980.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДГОНКИ ПЛОСКИХПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ В НОМИНАЛ(57) Изобретение может быть использовано в электронной промышленностидля прецизионной лазерной подгонкидо номинала параметров пленочных резисторов, Цель изобретения - повышение выходной мощности,и упрощениеконструкции устройства, достигает"ся путем совмещения в наружной илиголографической решетке средств длядискретной перестройки длины волныи линейной развертки, что : способствует меньшим энергетическим потерям из-за устранения автономногоблока линейной развертки лазерноголуча, Устройство содержит блок 1лазера с перестраиваемой длиной(не обозначена) с резистором 5, установленную на юстировочном столе6, управляющий привод 7 оптическийблок 8 визуализации, блок 9 управления, блок 10 измерения величины сопротивления подгоняемого резистора,блок 11 управления процессом под 124 б 14 б-гонки, Привод 7 в соответствии с заложенной программой выводит в рабочее положение для подгонки очередной резистор. Контроль за качеством подгонки точностью фокусировки и наведения осуществляется блоком 8.Конечные потери для блока лазерана неоцимовом стекле составляет не менее 40 К от общего потока мощности излучения. 1 э.п.ф-лы, 2 ил.Изобретение относится к производству изделий микроэлектроники и мо 1 кет быть использовано в электронной промьпцленности для прецизионной лазерной подгонки параметров пленоч" ных резисторов в номинал,Цель изобретения - повышение выходной мощности и упрощение конструкции путем совмещения в наружной или голографической решетке средства для,цискретной перестройки длины волны и линейной развертки, что также способствует меньшим энергетическим потерям из-за устранения автономного блока линейной развертки ла эерного луча.На фиг. 1 дана блок-схема устрой-. ства для лазерной подгонки плоских пленочных резисторов в номинал; на фиг. 2 . пример оптической схемы уст О ройства.Блок-схема предлагаемого устройства, приведенная на Фиг.1, содержит блок 1 лазера с перестраиваемой длиф. ной волны излучения, включающий диф ракционную решетку 2 и блок 3 оптического модулятора, Фиксирующую систему 4, плату (не показана) с резистором 5, установленную на юстировочном столе .6, управляемым приводом 7, ЗО оптический блок 8 визуализации, блок 9 управления контактами (не показан) и блок 10 измерения величины сопротивления подгоняемого резистора, а также блок 11 управления процессом подгонки, связанный с блоком программного управления (не показан) привода 7 стола , блоком 10 измерения: величины сопротивления и блоком Э оптического модулятора. В качестве перестраиваемого блока 1 лазера могут быть использованы любые известные лазеры (например, на неодимовом стекле или растворах органических красителей), обладающие ширскими полосами люминесценции, в пределах которых осуществляется перестройка длины волны. Дифракционная решетка 2 (которая может быть голографической решеткой, либо нарезной решеткой-эшелетт) выбирается таким образом, чтобы в спектральном диапазоне работы блока 1 лазера она обладала одним единственным дифракционньпч порядком, а доля энергии, идущая в нулевой порядок дифракции, через который осуществляется вывод излучения из резонатора лазера, обеспечивала бы максимальный КПД лазера. Другими словами, потери в нулевой порядок должны быть конечными (т.е. отличными от нуля, например более 40, а их величина должна быть эквивалентна оптимальным потерям на прозрачность выходного зеркала обычно используемых блоков 1 лазеров. В качестве блока 3 оптического модулятора могут быть использованы электроили акустооптические дефлекторы, осу" ществляющие одновременно модуляцию,цобротности резонатора и электронную (немеханическую) перестройкудлины волны излучения. Остальныеэдеме:нты блок-схемы известны и нетребуют дополнительных пояснений.Пример оптической схемы предлагаемого устройства приведен на фиг,2. Блок 1 лазера содержит активный элемент 12, высокоотражающее зерка,по 13 Я = 1002), дифракционную12463решетку 2 и блок Э оптического моду.лятора. На фиг. 2 показаны такжефокусирующая система 4 и плата срезисторами 5,В частном случае, активным элементом 12 блока 1 лазеров может бытьстержень из неодимового стекла, накачиваемый импульсной лампой в стандартном осветителе (на фиг.2 источник накачки не показан) В качестве 1 Одифракционной решетки 2 может бытьиспользован голографический селектор полного внутреннего отражения,содержащий объемную фазовую решетку,записанную на бихромированном слое 15желатина и работающую в автоколлимационном режиме, Пространственнаячастота решетки ш = 2000 штр/мм,дифракционная эффективность в диапазоне перестройки лазера 1050 - 201090 нм выбрана равной 607, т.е. доля энергии, идущая в нулевой порядокрешетки, являющийся зеркальным отражением от решетки, составляет 407,что обеспечивает близкий к максимальному КПД лазера, В качестве бло-.ка 3 оптического модулятора использован акустооптический дефлекторна кристаллеТеО, возбуждаемыйрадиочастотным генератором Ц =ЗО110 МГц, лй = 1 25 МГц) и обеспечивающий отклонение светового пучка на угол2 . Излучение, выходящее из резонатора через нулевой порядок голографического селектора,для двух различных длин; волн " ипоказано пунктирными линиями. Вфокальной плоскости фокусирующейсистемы 4, т,е. на поверхности резистора 5, показаны два сфокусирован 40ных пятна Й и Й, соответствующиедлинам волн /1 иОптическая схема (фиг.2) работаетследующим образом.Включается источник накачки блока 1 лазера и активные центры (ионы45Э+Ий ) элемента 12 переводятся ввозбужденное состояние. Когда дости-гается пороговое условие, т,е. усиление в активном элементе сравнивается с потерями в резонаторе, об 50разованном зеркалом 13 и дифракционной решеткой 2, возникает генерацияизлучения, длина волны которого определяется углом падения излученияна дифракционную решетку,55 Так, для автоколлимационной схемы 2 й вхпЧ = К 11, где Й и К - период 1464решетки спектра - величины постоянные, ч" - угол падения излучения на решетку, М - длина волны. Блок 3 модулятора изменяет угол падения света на решетку, что приводит к дискретной перестройке длины волны лазерного излучения.В результате блок 1 лазера генерирует последовательность импульсов, каждому из которых .соответствует "своя", строго определенная, длина волны излучения Поскольку в данной схеме существует жесткая связь между длиной волны и углом падения излучения на дифракционную решетку, лазерные лучи различных длин волн, выходя- щие из резонатора через нулевой порядок решетки (отражающиеся зеркально от ее поверхности), попадают на фокусирующую систему 4 под разными углами. Это приводит к тому, что на поверхности резистора 5 образуются сфокусированные пятна Й и Й , смещенные друг относительйо друга в плоскости, совпадающей с плоскостью угловой дисперсии решетки. Таким обг разом, получается "лазерный реэ, необходимый для подгонки величины сопротивления резистора.Устройство работает следующим образом.Плата с резисторами 5 устанавливается на юстировочном столе 6 в фокальной плоскости фокусирующей системы 4, Блок 11 управления включает привод 7, который передвигает стол 6 до установки платы с резисторами в рабочую позицию. В этот момент срабатывает блок 9 управления контактами, опускаются измерительные зонды (не показаны) и блок 10 измерения величины сопротивления измеряет начальное сопротивление резистора. Блок11 управленйя включает перестраиваемый блок 1 лазера и блок 3 оптического модулятора.Блок 1 О измерения величины сопротивления непрерывно измеряет величину сопротивления, и когда она сравняется с номиналом, подает сигнал в блок 11 управления процессом подгонки. Последний выключает блок 3 оптического модулятора (при этом генерация прекращается) и включает управляющий привод 7, который, в соответствии: с заложенной программой, выводит в рабочее положение для подгонки следующий резистор. Контроль эа каСоставитель О,ВолковТехред Б.Кадар едактор В,Ива С.Черн оррек каз 4006/44 Тираж 643Государствделам изобрсква, Ж,Подписноитета СССРткрытийнаб д,4/ ВНИИПИ п 3035, ного к ений и аушска оизводственно-полиграфическое предприятие Уг, жгород, ул,11 роектная,4 3 12461 чеством подгонки, точностью фокусировки и наведения производится с помощью блока 8 визуализации. Формула и э о б р е т е н и я 1. Устройство для подгонки плоских пленочных резисторов в номинал, содержащее блок лазера с блоком оптического модулятора и блоком диск ретной перестройки длины волны, блок линейной развертки лазерного луча с фокусирующей системой, блок управления, соединенный с блоком лазера и блоком измерения величины сопротивления, о т л и ч а ю щ е е с я тем,46 Ьчто, с. целью повышения выходной мощности и упрощения конструкции, блок дискретной перестройки длины волны и блок линейной развертки лазерного луча выполнены в виде нарезной дифракционной голографической решетки с конечными потерями в нулевой порядок дифракции, оптически связанной с фокусирующей системой.2, Устройство по п,1 о т л и ч аю щ е е с я тем, что конечные потери в нулевой порядок дифракции для блока лазера на неодимовом стекле составляют не менее 407 от общего потока мощности излучения блока лазера,