Номер патента: 744982

Автор: Гурин

ZIP архив

Текст

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет Опубликовано 30.06.80, Бюллетень24 но делом нзобретеннй н отхрытнй(53) УДК 621 374 .335.2 (088.8) Дата опубликования описания 02.07.80(72) Автор изобретения Н. Т. Гурин Ульяновский политехнический институт(54) НЕИРИСТСР Изобретение относится к нейристорной технике и может быть использовано в устройствах вычислительной техники, в автоматике и оптоэлектронике. Известен нейристор, содержащий параллельно включен 5 ные ячейки из последовательно соединенных лазера, фотодиода и фоторезистора 11. Также известен нейристор, содержащий параллельно включенные ячейки приборов с 5 -образной характеристикой 2.1 оИзвестные схемы имеют узкие функциональные возможности.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей.Цель достигается тем, что в нейристор содержащий 1 параллельно включенные ячейки приборов с 5-образной характеристикой, введены оптроны, причем последовательно с каждым прибором с 5-образной характеристикой включены светоизлучаюший элемент одного оптрона и фоточувсч- вительный элемент другого оптрона, свето- излучающий элемент которого включен в к предыдущей ячейке. 2На фиг, 1 приведена принципиальная электрическая схема нейристора: фоточувсрвительный элемент 1, светоизлучаюший элемент 2, приборы с 5-образной характеристикой 3, источник питания 4; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика с нагрузочными прямыми.Нейристор работает следующим образом.При подаче на вход устройства импульсов с длительностью, большей дтительноо ти нейристорного импульса, после включения прибора с 6 -образной характеристикой 3, он останется в низкоомном состоянии в течение всего времени действия входного импульса; соответственно, в течение этого времени светоизлучаюший элемент 2 будет излучать свет, что приведет к переводу прибора с Б -образной характеристикой 3 во включенное состояние, получению светоизлучаюших элементов 2 и т,д. Раостояние, на которое распространится фронт зоны возбуждения и, соответственно, излучения при открытых оптронах определяетсядлительностью входного импульса и временем выключения каждой ячейки от,заднего фронта входного импульса,При равенстве времен включения и выключения ячейки в целом, вдоль нейристо 5ра может распространяться нейристорныйимпульс и, соответственно, светящаясяобласть, с длительностью и размерами,равной и пропорциональными длительности вхорнвго импульса,При времени вьцслючеция ячейки, много меньшем времени включения ее, числовключенных ячеек будет пропорциональнодлительности входного импульса и, соответственно, длина "светящегося столбика"15будет пропорциональна длительностивходного импульса при открытых оптронах.При импульсном напряжении питанияс амплитудой импульса Е и положении линии нагрузки в исходном состоянии 3 ипри подаче па вход импульса запуска одновременно с подачей импульса питания,вдоль цейристора будет распространятьсязона возбуэкдецпя и, соответственно, "светящийся столбик", длительность и длинакоторых пропорциональна длительности импульса питания,11 рп выполнении Оцтроь 1 ов Открытымцдля входа цзлучсши возможно управленцевременами включения и выключешьч ячеек, т.е. З 11скоростью распространения цейристорцого импульса или фронта зоцы возбуэкдецця, а такжеамплитудой цейристорного импульса прц подаче внешней подсветки за счет изменениясопротивлеьцья фоточувствительных элементов оцтроцов и положения лицин нагрузки,что приведет к измененщо тока дозарядкисобственной емкости фоточувствительныхэлементов, протекающего через светоизлучаюцие элементы, протекающего через све-,тоизлучающие элементы и к измецецьцоинтенсивности цх излучения.Кроме того, возможны различные комбинации вышеуказанных режимов,Предложенное устройство может быть,реализовано как в дискретном, так ивмикроэлектронном исполнении.При источнике питания постоянного напряжения амплитудой Е и пересечении БАХлинией нагрузки в положении 2 ,фиг. 2),а также при длительности импульса запуска меньшей длительности нейристорного импульса, реализуется режим самопроизвольного распространения нейристорного импульса. При подаче электрического импульса запуска на прибор с 6-образной характеристикой 3 илц светового импульса ца фоточувствительный элемент 1,достаточного для уменьшения его сопротивления до перевода линии нагрузки в положение 4 прибор с 5 -образной характеристикой 3 переключится в низкоомноесоь:тоя,ние. Начнется заряд собственной емкостифоточувствительного элемента 1, в результате чего будет уменьшаться напряжениена приборе с В -образной характеристикой 3 до величиьны, при которой ток черезнего станет равным току выключения. Прибор с Я-образной характеристикой 3 выключится. Начнется разряд собственной емкости фоточувствительного элемента 1 на егосопротивление, в результате чего повышается напряжение ца приборе с 5-образной характристикой 3 подготавливая егок новому циклу запуска. Г 1 ри протеканиитока через светоцзлучающий элемент 2во время нахождения прибора с 5 -образной характеристикой 3 в цизкоомном состоянии элемепт 2 излучает свет, которыйпадает ца фоточувствительный элемент 1данпого оптроца. Г 1 араметры оптрона выбираются такими, чтобы обеспечить перевод линии нагрузки ячейки в положение 4При этом включится прибор с 5 -образнойхарактеристикой 3, Начнется заряд. собственной емкости фоточувствительного элемента 1 и т.д,В случае выполнения оптронов открытыми для выхода излучения, одновременно с распространением цейристорного импульса, вдоль цего будет распространяться "светящееся пятно", обусловленное выходом. части излучения.Формула изобретенияНейристор, содержащий параллельно включенные ячейки приборов с-образной характеристикой, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него введены оптроны, причем последовательно с каждым прибором с Я -образной характеристикой включены светоизлучающий элемент одного оптрона ц фоточувствительный элемент другого оптрона, светоизлучающий элемент которого включен в предыдущей ячейке,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Бузанов Д, К. и др. Полупроводниковые фотоприемники. "Энергия, М., 1976,с, 49, рис, 31,2. Журнал ТИРИ 19 б 2, т, 50, К. 10,с, 2090 (прототип) .744982 аз 3683/16 Тираж 995 Подп ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4Зах исное лиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Составитель В. ТрубниковРедактор Г, Улыбина Техред М. Петко Корректор Н.

Смотреть

Заявка

2597701, 24.03.1978

УЛЬЯНОВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ГУРИН НЕКТАРИЙ ТИМОФЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 17/567, H03K 17/78

Метки: нейристор

Опубликовано: 30.06.1980

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-744982-nejjristor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Нейристор</a>

Похожие патенты