Устройство для дифференцированного гальванопокрытия оснований микросхем

7/ исоединением заявкисударстеенный комитет СССР о м изобретений(43) Опубликовано 07.05.82. Бюллетень17 (45) Дата опубликования описания 07.05.82(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФЕРЕНЦИРОВАННОГО ГАЛ ЬВАНО ПОКРЫТИЯ ОСНОВАНИЙ М ИКРОСХЕЧ,1г Изобре нических техники нанесени ных мик При из дется зо компресс выводов ся слоем тия трсб пышка дкн ос- окрыы (за(тнпа осажают о з пакеты,Годушкаэтого устр нструкции ваний, н грузке-выг оистдля изкая рузке тение касается нанесешя гальва- покрытиЙ на нзделн 51 электронной и может быть использовано для я золота на основания интегральросхем.готовленин микросхем монтаж велотой проволокой методом термоии, для чего контактные площадки оснований микросхем нокрываОтзолота. Така 51 жс толщина Г 10 крыуется н на внутренней стороне доля посадки кристалла на эвтетику,Известно устройство для локально крытия металлами, в котором участ нований микросхем, не подлежащие п тию (технологическая рамка), зажат крыты) между двумя прокладками резины), а на остальную часть золото дается одинаковой толщины. С обеих сторон детали укладыв перфорированные аноды из листово лота. Отдельные ячейки собираются в уплотняемые с торцов жесткими Г ыи 1 Основными недостатками ва являются сложность ко большого количества осно производительность при заи большие потери золота прн нзготовлеш 1 н перфорированных анодов.По сравнению с гальванопокрытием основанй в барабанах устройство дает не большую экономию золота, так как на участки, не зажатыс прокладками, золото наносится одинаковой толщины, Однако для с)ада пи 51 НадсжНЫХ КОНТКТНЫХ СОЕдПНЕНИЙ достаточно иметь требуемую для этого тол) Ц 11 ну нок 1)ыт 115 толькО на контактных н,10 щадках, а на остальных частях в 4 - 6 раз меньше, т. е. 1 - 1,5 мкм.Известно устройство для дифференцированного гальванопокрытия оСнований мик росхем, которое состоит из погружаемой вэлектролит металлической кассеты с гнездами для укладки оснований микросхем н металлической крышки с угольными электродами, количество которых соответствует 20 количеству обрабатываемых деталей н которые при закрытии кассеты находятся против каждой детали на определенном расстоянии 2.В процессе электролиза против электро дов на деталях покрытие получается толще,чем на остальных частях детали (дифференцированное покрытие).Это устройство в массовом производстветакже не прпмешмо, так как имеет незпа- ЗО ительную Г мкость кассет, следовательно, Ь 80351низкую производительность покрытия, икроме того, незначительную разницу в толщине покрытия видимых и невидимыхугольными электродами поверхностей, темболее определенного участка видимой 5стороны ввиду большого рассеивания электрического поля от большого количестваанодов, что может дать также незначительную экономию золота, а также засорениеэлектролита угольными электродами (ца- цуглероживацие), что влияет на качество покрытия,Цель изобретения - повышение производительности и качества покрытия - достигается тем, что в устройстве для дифференцированного гальванопокрытия оснований микросхем корпус выполнен в видеполого цилиндра из изоляционного матсриала, в основаниях которого выполненыотверстия для электролита, гнезда выполиены в виде отверстий, размеры и формакоторых соответствуют размерам оснований микросхем с максимальной толщинойпокрытия, а анод выполнен в виде стержня,размещенного в полости цилиндра и установленцого по оси цилиндра, причем контактные и крепежные элементы выполненыв виде проволочных колец, охватывающихкорпус и поджатых цилиндрическими пружинами, а отверстия в основаниях цилццд- Зора выполнены регулируемыми по величинеих сечения.На чертеже изображено устройство длядифференцированного гальванопокрытцяоснований микросхем. 35Оно содержит корпус 1, изготовленныйиз изоляционного материала, например тсрмостойкого оргстекла или полистиролаПСМ, в виде полого цилиндра. Перемычками 2 и штырьками 3 по периметру корпус. .Ообразованы ряды гнезд для оснований микросхем. В середине каждого гнезда имеются отверстия 4, размеры ц форма которыхсоответствует размерам оснований микросхем с максимальной толщиной покрытия. 45На наружной поверхности корпуса 1 цорядам отверстий размещены контакИые икрепежные э,1 ементы в виде проволочныхколец 5. Сверху кольца 5 поджаты цилиндрическими пружинами б. Кольца 5 и цружины б соединены с катодом 7. Основания8 устройства выполнены с двойным дном сотверстиями 9. Поворотом подвижной части дна можно регулировать сечение отверстий 9, Внутри корпуса по оси цилиндра 55установлен анод 10, соединенный с контактом 11.Устройство работает следующим образом. Основания микросхем 12 ободкомвнутрь вставляются в гнезда, образованные 00перемычками 2 и штырьками 3 против отверстий 4 под пружины 6, При этом осцовацц прижимаются Ободко к прОВолочцо 11 кольцу 5, в результате осуществ,ется контакт ободка с катодо: /, а посредством пружин б катод 7 соединяется с дном ц кОнтактцымц рамками Оснований 8. Устройство подключается к источнику тока и погружается в ванну с электролитом. По окончании гальвацопокрытия пружинки расстегиваются и основания высыпаются в корзинку для дальнейшей обработки.Описываемое устройство обеспечивает значительную экономию золота за счет того, что на невидимых анодом участках оснований толщина покрытия в 4 - 6 раз меньше, чем на видимых, площадь которых в 4 раза меньше чем невидимых, качество покрытия за счет чистоты электролита и надежности контактов улучшается, а также из-за размещения всех оснований ца одинаковом расстоянии от анода, что обеспечивает стабилыую толщину покрытия.Возможность одювремец пой обработки большого числа оснований (1500 в 20 штук) повышает цроизводцтельцость работы устройства,Формула изобретения1. Устройство для,цфферсццироваццого гальванопокрытця оснований микросхем, содержащее корпус с 1 цсзда 1 и для размещения оснований микросхем, анод, катод, контактные ц крепежные элементы, отлии а Ощесся тем, что, с целью повышения производительности и качества покрытия, корпус выполнен В Виде полого цилиндра из изоляционного материала, в основаниях которого выполнены отверстия для электролита, гнезда выполнены в виде отверстий, размеры ц форма которых соответствуют размерам Оснований микросхем с максимальОй тоЩицой покРытц 51, 2 анОД Выцолцсц В иде стержня, размещенного в полости цилиндра и устацовлсшого по оси Ц 1,ИЦЦР 2, ЦРЦИСМ КОНтаКтНЫЕ И КРЕПЕЖНЫЕ элементы выполнены в виде проволочных колец, охватывающих корпус и поджатых цилицдрически.,ш пружинами.2. Устрой. .во по и. 1, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью регулирования толщины ЦОКРЬТИ 51, ОТВСРС 51 В ОСЦОВ 2 ЦЦЯХ ЦИЛИНД- ра выполнены регулируемыми по величине их сечения.Источники информации,принятые во вццмацце при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССРЛ". 487164, кл. С 25 Р 17/00, 1972, 2. Патегг Японии Лоо 2268, кл. 99(5) С 21, 1964,680351 Составитель Л. Прокопенкоедактор П. Горькова Техред А. Камышникова Корректор 3. Тарас биография, пр. Сапунов аказ 713/1 ПО Пояс осудар 113Изд. Мв 151енного комите Москва, ЖТираж 687ССР по дедам изоб аушская наб., д. 4/5 Подписноеий и открытий